公开(公告)号：KR101824175B1

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：KR1020160106700

申请日：2016-08-23

申请人： (주) 씨앤아이테크놀로지

发明人： 김봉석 ,  이민진 ,  정유섭 ,  박정배

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/203 ,  H01L23/60 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/203 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67706 ,  H01L23/60

摘要： 본발명은반도체패키지에전자파차폐막(EMI shielding layer)을형성하기위한스퍼터링공정을수행하는스퍼터링시스템을개시하며, 상기스퍼터링시스템의각각의프로세스챔버는공정대상물을제공받기위한제1 이송과공정이완료된공정대상물을다음단계로제공하기위한제2 이송을수행하는제1 이송부를구비하여프로세스경로를형성한다.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于执行用于在半导体封装中形成EMI屏蔽层的溅射工艺的溅射系统，其中溅射系统的每个处理室包括用于接收处理对象的第一传送， 以及第一传送部件，用于执行第二传送以将处理对象提供给下一步骤，由此形成处理路径。

公开(公告)号：KR101823861B1

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：KR1020177017484

申请日：2010-10-29

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 가토기요시 ,  고야마준

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/105 ,  G11C14/00 ,  G11C7/04 ,  H03K3/037 ,  H03K3/356 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06

CPC分类号： H03K3/356104 ,  G11C7/04 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/045 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/6659 ,  H03K3/0375 ,  H03K3/286 ,  H03K3/356 ,  H03K3/356121 ,  H03K3/356173

摘要： 새로운불휘발성래치회로및 상기불휘발성래치회로를사용한반도체장치를제공하기위해, 불휘발성래치회로는제 1 소자의출력이제 2 소자의입력에전기적으로접속되고, 상기제 2 소자의출력이상기제 1 소자의입력에전기적으로접속되는루프구조를갖는래치부; 및상기래치부의데이터를보유하기위한데이터보유부를포함한다. 상기데이터보유부에서, 채널형성영역을형성하기위한반도체재료로서산화물반도체를사용한트랜지스터가스위칭소자로서사용된다. 또한, 상기트랜지스터의소스전극또는드레인전극에전기적으로접속된인버터가포함된다. 상기트랜지스터를사용하여, 상기래치부에보유된데이터는상기인버터의게이트용량소자또는별도로제공되는용량소자에기록될수 있다.

公开(公告)号：KR1020170141308A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：KR1020160073871

申请日：2016-06-14

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 탁영조 ,  강삼묵 ,  김미현 ,  김준연 ,  박영수

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604

摘要： 본발명의일 실시예는, 서로대향하는제1 면과제2 면을갖는실리콘기판을마련하는단계와, 제1 성장챔버에서상기실리콘기판의제1 면에질화물템플릿을성장시키는단계 - 상기질화물템플릿의성장과정에서상기실리콘기판의제2 면에실리콘화합물층이형성됨 - 와, 상기실리콘기판의제2 면으로부터상기실리콘화합물층을제거하는단계와, 제2 성장챔버에서상기질화물템플릿상에Ⅲ족질화물단결정을성장시키는단계와, 상기제2 성장챔버에서상기실리콘기판을제거하는단계를포함하는질화물반도체기판제조방법을제공한다.

摘要翻译： 一个实施例中，第一表面的分配方法包括：提供具有第二表面的硅衬底，和在彼此面对本发明的第一个生长室中在氮化物模板生长到硅衬底的第一表面的第二步骤，其中所述氮化物模板 在周围去除从硅衬底，在生长室中的第二ⅲ族氮化物单晶在氮化物模板的第二表面的硅化合物层形成在硅衬底的第二表面上该硅化合物层，和城堡的部分 本发明还提供了一种制造氮化物半导体衬底的方法。

公开(公告)号：KR101806271B1

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：KR1020127031760

申请日：2011-05-09

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L29/7869

摘要： 산화물반도체를이용한반도체장치에안정된전기적특성을부여하여, 고신뢰성화하는것을목적의하나로한다. 게이트전극을형성하고, 게이트전극상에제 1 절연막을형성하고, 제 1 절연막에할로겐도핑처리를실시하여, 제 1 절연막에할로겐원자를공급하고, 제 1 절연막상에, 게이트전극과중첩하여산화물반도체막을형성하고, 산화물반도체막에열처리를실시하여산화물반도체막중의수소원자를제거하고, 수소원자가제거된산화물반도체막에산소도핑처리를실시하여, 산화물반도체막중에산소원자를공급하고, 산소원자가공급된산화물반도체막에열처리를실시하고, 산화물반도체막상에접하여, 소스전극및 드레인전극을형성하고, 제 2 절연막을형성하는반도체장치의제작방법이다.

公开(公告)号：KR1020170134777A

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：KR1020177034180

申请日：2011-03-11

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/46 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618

摘要： 본발명은, 산화물반도체를이용한반도체장치에안정된전기적특성을부여하여, 고신뢰성화하는것을목적의하나로한다. 산화물반도체막을포함하는트랜지스터에있어서, 산화물반도체막의상면부에, 채널보호막으로서기능하는, 산화물반도체막과동종의성분으로이루어지는금속산화물막이적층되어있는트랜지스터를제공한다. 또한, 트랜지스터의활성층에이용하는산화물반도체막은열처리에의해, 수소, 수분, 수산기또는수소화물등의불순물을산화물반도체로부터배제하고, 또한불순물의배제공정에의해동시에감소하게되는산화물반도체를구성하는주성분재료인산소를공급함으로써, 고순도화및 전기적으로 i형(진성)화된것이다.

摘要翻译： 本发明的一个目的是提供一种使用具有稳定电特性的氧化物半导体的半导体器件，由此实现高可靠性。 在晶体管包括氧化物半导体膜，并且提供了在其上表面部分，氧化物半导体膜和晶体管的氧化物半导体膜的相同组合物的层叠体形成的金属氧化物膜用作沟道保护膜。 此外，由氧化物半导体膜进行热处理使用该晶体管有源层，并且排除杂质，例如氢气，水，羟基或从氧化物半导体的氢化物，和氧化物半导体的主要成分材料是通过排除在同一时间的杂质的过程中减少 通过提供磷酸，它被高度纯化并且电i型（内在的）。

公开(公告)号：KR1020170129036A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：KR1020160068692

申请日：2016-06-02

申请人： (주)알파플러스

发明人： 황도원

IPC分类号： C23C14/24 ,  H01L21/22 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C14/243 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/22 ,  H01L21/67098

摘要： 본발명은열선의직진도를향상시킬수 있는진공증발원을제공하는것이그 기술적과제이다. 이를위해, 본발명의진공증발원은, 도가니를포함하는진공증발원에있어서, 상기도가니를가열하는제1 열선; 및상기제1 열선의상부를고정하는제1 상부고정부를포함한다.

公开(公告)号：KR1020170122209A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：KR1020177025297

申请日：2016-02-23

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 고에즈카준이치 ,  오카자키겐이치 ,  호사카야스하루 ,  진쵸우마사미 ,  이구치다카히로 ,  야마자키슌페이

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

摘要： 산화물반도체막을포함하는트랜지스터의전기특성의변화를억제한다. 트랜지스터는제 1 게이트전극, 제 1 절연막, 산화물반도체막, 소스전극, 드레인전극, 제 2 절연막, 제 2 게이트전극, 및제 3 절연막을포함한다. 산화물반도체막은제 1 게이트전극측의제 1 산화물반도체막, 및제 1 산화물반도체막위의제 2 산화물반도체막을포함한다. 제 1 산화물반도체막및 제 2 산화물반도체막은 In,, 및 Zn(은 Al, Ga, Y, 또는 Sn)을포함한다. 제 2 산화물반도체막의한 영역에있어서, In의원자수는제 1 산화물반도체막보다적다. 제 2 게이트전극은산화물반도체막에포함되는금속원소중 적어도하나를포함한다.

摘要翻译： 由此抑制包括氧化物半导体膜的晶体管的电特性的变化。 晶体管包括第一栅电极，第一绝缘膜，氧化物半导体膜，源电极，漏电极，第二绝缘膜，第二栅电极和第三绝缘膜。 氧化物半导体膜包括在第一栅极电极侧上的第一氧化物半导体膜和在第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。 第一氧化物半导体膜和第二氧化物半导体膜包括In和Zn（银：Al，Ga，Y或Sn）。 在第二氧化物半导体膜的一个区域中，In原子的数量小于第一氧化物半导体膜的数量。 第二栅电极包括氧化物半导体膜中包含的至少一个金属元素。

公开(公告)号：KR101791812B1

公开(公告)日：2017-10-30

申请号：KR1020167029895

申请日：2010-08-20

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 쯔부꾸마사시 ,  요시또미슈헤이 ,  쯔지다까히로 ,  호소바미유끼 ,  사까따준이찌로 ,  도마쯔히로유끼 ,  하야까와마사히꼬

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/1262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 채널이형성되는임계값전압이플러스이고 0V에될 수있는한 가까운산화물반도체막을포함하는박막트랜지스터의구조의제작방법을제공하는것을과제로한다. 제1 열처리에의해탈수화또는탈수소화시킨산화물반도체층을포함하는박막트랜지스터를피복하도록보호절연층을형성하고, 제1 열처리보다낮은온도에서승온과강온을복수회반복하는제2 열처리를행함으로써, 채널길이에의존하지않고, 채널이형성되는임계값전압이플러스이고 0V에될 수있는한 가까운산화물반도체층을포함하는박막트랜지스터를제작할수 있다.

摘要翻译： 它是零，并且阈值电压加上邻近氧化物结构提供了一种制造薄膜晶体管包括半导体薄膜，其可以是0V的方法中形成沟道。 第一形成的保护绝缘层，以覆盖薄膜晶体管，其包括具有在热处理的氧化物半导体层的解放水合或脱氢，并且在通过进行第二热处理比所述第一热处理低的温度下重复多次的温度上升和温度下降 包括尽可能接近形成沟道的阈值电压的氧化物半导体层的薄膜晶体管可以是正电压和0V而不依赖于沟道长度。

公开(公告)号：KR101790365B1

公开(公告)日：2017-10-25

申请号：KR1020127014553

申请日：2010-10-28

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자끼슌뻬이 ,  고야마준 ,  가또기요시

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/1203 ,  G11C11/403 ,  G11C11/405 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225

摘要： 신규한구조를갖는반도체장치를제공하는것이목적이다. 반도체장치는제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선, 제1 게이트전극, 제1 소스전극및 제1 드레인전극을포함하는제1 트랜지스터, 및제2 게이트전극, 제2 소스전극및 제2 드레인전극을포함하는제2 트랜지스터를포함한다. 제1 트랜지스터는반도체재료를포함하는기판위에제공되고, 제2 트랜지스터는산화물반도체층을포함한다.

摘要翻译： 目的是提供具有新颖结构的半导体器件。 该半导体器件包括：包括第一布线，第二布线，第三布线，第四布线，第一栅电极，第一源电极和第一漏电极的第一晶体管以及包括第二栅电极的第二晶体管， 以及包括第二漏电极的第二晶体管。 第一晶体管设置在包括半导体材料的衬底上，并且第二晶体管包括氧化物半导体层。

公开(公告)号：KR1020170106270A

公开(公告)日：2017-09-20

申请号：KR1020170115861

申请日：2017-09-11

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 사카타준이치로 ,  히로하시타쿠야 ,  키시다히데유키

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L29/45 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L2924/13069

摘要： 안정한전기특성을갖는박막트랜지스터를갖는신뢰성이좋은반도체장치를제공하는것이과제의하나가된다. 반도체층을산화물반도체층으로하는역 스태거형박막트랜지스터를포함하는반도체장치에있어서, 산화물반도체층위에버퍼층을갖는다. 버퍼층은반도체층의채널형성영역과, 소스전극층및 드레인전극층에접한다. 버퍼층은막 내에저항분포를갖고, 반도체층의채널형성영역위에형성되는영역의전기전도도(傳導度)는반도체층의채널형성영역의전기전도도보다낮고, 소스전극층및 드레인전극층과접하는영역의전기전도도는반도체층의채널형성영역의전기전도도보다높다.

摘要翻译： 提供具有电特性稳定的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置成为问题。 一种半导体器件，包括具有作为氧化物半导体层的半导体层的反交错型薄膜晶体管，半导体器件在氧化物半导体层上具有缓冲层。 缓冲层与半导体层的沟道形成区域以及源电极层和漏电极层接触。 所述缓冲层具有在膜中的电阻分布，以在半导体层（传导度）小于信道形成半导体层，该区域的与所述源电极层及漏电极层相接触的导电性的区域的导电性较低的沟道形成区上形成的区域的导电性 高于半导体层的沟道形成区域的导电率。