公开(公告)号：KR101930230B1

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：KR1020177012688

申请日：2010-10-18

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 이치조미쓰히로 ,  다나카데츠히로 ,  야수모토세이지 ,  마시로슌 ,  오이카와요시아키 ,  오카자키켄이치

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

摘要： 본 발명의 목적은 반도체 장치를 고속으로 구동하고 반도체 장치의 신뢰성을 개선하는 것이다. 반도체 장치를 제작하기 위한 방법에서, 게이트 전극이 절연성을 가진 기판 위에 형성되고, 게이트 절연막이 게이트 전극 위에 형성되고, 산화물 반도체막이 게이트 절연막 위에 형성되고, 게이트 절연막이 고밀도 플라즈마를 이용하여 성막 처리에 의해 형성된다. 따라서, 게이트 절연막에서의 미결합수가 감소되고, 게이트 절연막과 산화물 반도체 사이의 계면의 품질이 개선된다.

公开(公告)号：KR101747158B1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：KR1020127014502

申请日：2010-10-18

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 이치조미쓰히로 ,  다나카데츠히로 ,  야수모토세이지 ,  마시로슌 ,  오이카와요시아키 ,  오카자키켄이치

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/44 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/67167 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 본발명의목적은반도체장치를고속으로구동하고반도체장치의신뢰성을개선하는것이다. 반도체장치를제작하기위한방법에서, 게이트전극이절연성을가진기판위에형성되고, 게이트절연막이게이트전극위에형성되고, 산화물반도체막이게이트절연막위에형성되고, 게이트절연막이고밀도플라즈마를이용하여성막처리에의해형성된다. 따라서, 게이트절연막에서의미결합수가감소되고, 게이트절연막과산화물반도체사이의계면의품질이개선된다.

公开(公告)号：KR1020120093327A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：KR1020127014502

申请日：2010-10-18

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 이치조미쓰히로 ,  다나카데츠히로 ,  야수모토세이지 ,  마시로슌 ,  오이카와요시아키 ,  오카자키켄이치

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/44 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/67167 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 본 발명의 목적은 반도체 장치를 고속으로 구동하고 반도체 장치의 신뢰성을 개선하는 것이다. 반도체 장치를 제작하기 위한 방법에서, 게이트 전극이 절연성을 가진 기판 위에 형성되고, 게이트 절연막이 게이트 전극 위에 형성되고, 산화물 반도체막이 게이트 절연막 위에 형성되고, 게이트 절연막이 고밀도 플라즈마를 이용하여 성막 처리에 의해 형성된다. 따라서, 게이트 절연막에서의 미결합수가 감소되고, 게이트 절연막과 산화물 반도체 사이의 계면의 품질이 개선된다.

公开(公告)号：KR1020170068420A

公开(公告)日：2017-06-19

申请号：KR1020170069720

申请日：2017-06-05

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 나카지마미야코 ,  미야이리히데카주 ,  이사토시유키 ,  카토에리카 ,  이치조미쓰히로 ,  쿠리키카주타카 ,  요코이토모카주

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/06

摘要： 본발명은, 오프전류가낮고, 온전류및 전계효과이동도가높은박막트랜지스터를제공한다. 역스태거형박막트랜지스터에있어서, 게이트절연층으로서질화실리콘층과상기질화실리콘층이산화된산화실리콘층이적층되어형성되고, 상기게이트절연층의산화실리콘층과의계면의바로위로부터결정성장한미결정반도체층이형성된다. 게이트절연층의바로위로부터결정성장하기때문에결정성이높고온 전류및 전계효과이동도가높은박막트랜지스터가된다. 또한, 버퍼층이형성됨으로써오프전류가저감된다.

摘要翻译： 本发明提供一种具有低关断电流和高导通电流和场效应迁移率的薄膜晶体管。 1.一种反向交错型薄膜晶体管，包括：通过堆叠氮化硅层和由氮化硅层离散的氧化硅层形成的栅极绝缘层;以及微晶半导体 层形成。 由于晶体直接生长在栅绝缘层上方，所以薄膜晶体管具有高结晶度和高导通电流和场效应迁移率。 此外，由于形成缓冲层，所以截止电流减小。

公开(公告)号：KR1020170056709A

公开(公告)日：2017-05-23

申请号：KR1020177012688

申请日：2010-10-18

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 이치조미쓰히로 ,  다나카데츠히로 ,  야수모토세이지 ,  마시로슌 ,  오이카와요시아키 ,  오카자키켄이치

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC分类号： H01L21/44 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/67167 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 본발명의목적은반도체장치를고속으로구동하고반도체장치의신뢰성을개선하는것이다. 반도체장치를제작하기위한방법에서, 게이트전극이절연성을가진기판위에형성되고, 게이트절연막이게이트전극위에형성되고, 산화물반도체막이게이트절연막위에형성되고, 게이트절연막이고밀도플라즈마를이용하여성막처리에의해형성된다. 따라서, 게이트절연막에서의미결합수가감소되고, 게이트절연막과산화물반도체사이의계면의품질이개선된다.

摘要翻译： 本发明的目的是高速驱动半导体器件并提高半导体器件的可靠性。 在用于制造半导体器件的方法中，由具有绝缘性的基板上形成的栅电极，被，通过栅极通过成膜处理绝缘膜使用高密度等离子体形成的栅极绝缘膜形成在栅电极，氧化物和半导体膜的栅极绝缘膜 它形成。 因此，耦合装置的数量上的栅绝缘膜被减小，由此提高了栅极半导体过氧化物间绝缘膜的表面质量。

公开(公告)号：KR1020110000508A

公开(公告)日：2011-01-03

申请号：KR1020100059836

申请日：2010-06-24

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 나카지마미야코 ,  미야이리히데카주 ,  이사토시유키 ,  카토에리카 ,  이치조미쓰히로 ,  쿠리키카주타카 ,  요코이토모카주

IPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/06

摘要： PURPOSE: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve the crystalline property and growth speed of a microcrystalline semiconductor layer. CONSTITUTION: A gate electrode layer(402) is formed on a substrate(400). A gate insulating layer(404) is formed on the gate electrode layer. A first semiconductor layer(406), which includes a microcrystalline semiconductor layer, is formed on the gate insulating layer. A second semiconductor layer(407), which includes an amorphous semiconductor region, is formed on the first semiconductor layer. A source region and a drain region(410) are contacted with the semiconductor layer.

摘要翻译： 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法，以提高微晶半导体层的结晶特性和生长速度。 构成：在基板（400）上形成栅电极层（402）。 栅极绝缘层（404）形成在栅电极层上。 在栅极绝缘层上形成包括微​​晶半导体层的第一半导体层（406）。 在第一半导体层上形成包括非晶半导体区域的第二半导体层（407）。 源极区和漏极区（410）与半导体层接触。