公开(公告)号：KR101897372B1

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：KR1020167007361

申请日：2014-08-01

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 다카타마사히로 ,  다나카아츠시 ,  스즈키마사유키

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02628 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 본발명은, 금속질산염을포함하는용액을기판상에도포하고, 도포막을건조하여금속산화물전구체막을형성하는공정과, 금속산화물전구체막을금속산화물막으로전화하는공정을교대로 N회(N≥2) 반복하는것을포함하며, (n-1)회째(2≤n≤N)에금속산화물전구체막을형성하는공정에이용하는금속질산염을포함하는용액의금속몰 농도를 C(mol/L), n회째에금속산화물전구체막을형성하는공정에이용하는금속질산염을포함하는용액의금속몰 농도를 C(mol/L)으로했을때에, 1>(C/C)의관계를충족하는적어도 2회의공정을포함하는금속산화물막의제조방법및 이것에의하여제조된금속산화물막그리고그것을구비한디바이스를제공한다.

公开(公告)号：KR1020170066302A

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：KR1020170069541

申请日：2017-06-05

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 에구치,신고 ,  몬마,요헤이 ,  타니,아츠히로 ,  호사카,야슈하루 ,  하시모토,케니치 ,  히로슈에,미사코

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67132 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1266 ,  H01L21/78 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76259 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203

摘要： 본발명은반도체소자의제작시에사용한기판으로부터, 반도체소자를포함하는소자형성층을박리할때에, 박리에의해서발생한정전기에의한방전을억제한다. 기판(10)상에박리층(12), 소자형성층(11)을형성한다. 소자형성층(11)의상면에는나중에박리가능한지지기재(13)가고정된다. 지지기재(13)를개재하여, 소자형성층(11)을변형시켜, 소자형성층(11)과박리층(12)의계면에서박리를발생시킨다. 박리에의해서차차나타나는소자형성층(11) 및박리층(12)이순수등의액체(15)로젖도록, 액체(15)를공급하면서박리를한다. 액체(15)에의해소자형성층(11) 및박리층(12)의표면에발생한전하가확산되어, 박리대전에의한방전을없앨수 있다.

公开(公告)号：KR1020160125828A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020150056833

申请日：2015-04-22

申请人： 한국과학기술연구원

发明人： 민병권 ,  황윤정 ,  박세진

IPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0445

CPC分类号： H01L31/208 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/065 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864

摘要： 본발명은태양전지용 CIGSSe 박막및 이의제조방법, 이를이용한태양전지에관한것으로, 더욱상세하게는오제(Auger) 전자분광법의분석결과, 상기박막의표면에서깊이방향으로황 함량의극소값지점까지는황의피크세기(intensity)가감소하는것을특징으로하는태양전지용 CIGSSe 박막을제조하여, 상기 CIGSSe 박막내의밴드갭을제어함으로써상기 CIGSSe 박막을포함하는태양전지는광전변환효율을개선시키는데탁월한효과를나타낸다.

摘要翻译： 提供了一种用于太阳能电池的CIGSSe薄膜，其制备方法和使用其的太阳能电池。 更具体地说，用于太阳能电池的CIGSSe薄膜在基于俄歇电子能谱分析之后显示出从薄膜表面到硫含量的局部最小值点的硫的峰值强度的降低， 从而控制薄膜中的带隙。 因此，包含CIGSSe薄膜的太阳能电池在提高光电转换效率方面表现出极好的效果。

公开(公告)号：KR101577615B1

公开(公告)日：2015-12-15

申请号：KR1020140053442

申请日：2014-05-02

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 곤도토시카즈 ,  기시다히데유키

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 박막트랜지스터의오프전류의증가, 또는임계값전압의마이너스시프트를예방하는것이다. 박막트랜지스터(150)는, 소스전극층(107a) 및드레인전극층(107b)과산화물반도체층(103) 사이에버퍼층(106)이형성된다. 버퍼층(106)은, 산화물반도체층(103)의중앙부위에, 절연체또는반도체인금속산화물층(105)을갖는다. 금속산화물층(105)은, 산화물반도체층(103)에의불순물의침입을억제하는보호층으로서기능한다. 따라서, 박막트랜지스터(150)의오프전류의증가, 또는임계값의마이너스시프트를예방할수 있다.

公开(公告)号：KR101473209B1

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：KR1020107010827

申请日：2008-10-29

申请人： 에어 워터 가부시키가이샤

发明人： 이즈미가쓰토시 ,  요코야마다카시

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B1/10 ,  H01L21/02 ,  C23C14/48

CPC分类号： H01L21/265 ,  C30B1/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/76251

摘要： 본발명은비교적저가의다결정 SiC 기판을모재기판으로하여비뚤어짐이적고대형이며결정성이좋은단결정 SiC 기판을저가로제조한다. Si 모재층(2)에소정두께의표면 Si층(3)과매립산화물층(4)이형성된 SOI 기판(1)에대해, 상기표면 Si층(3)측으로부터 P이온을주입함으로써, 상기매립산화물층(4)을 PSG층(6)으로변성시켜연화점을저하시키는 P이온주입공정과, 상기 PSG층(6)이형성된 SOI 기판(1)을탄화수소계가스분위기중에서가열하여상기표면 Si층(3)을 SiC로변성시킨후 냉각시켜표면에단결정 SiC층(5)을형성하는 SiC 형성공정을행한다.

公开(公告)号：KR101469740B1

公开(公告)日：2014-12-08

申请号：KR1020130036156

申请日：2013-04-03

申请人： 한국에너지기술연구원

发明人： 어영주 ,  조준식 ,  박주형 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조아라 ,  신기식 ,  안승규 ,  유진수 ,  박상현

IPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 태양전지에사용되는 CI(G)S의제조과정중 셀렌화공정의효율을높이기위한방법으로더욱구체적으로는 CI(G)S계전구체박막을일정콘테이너혹은챔버에삽입하여, 상기콘테이너혹은챔버내에셀레늄(Se)을주입하고온도를올려셀렌화하는공정을통해고압력셀렌화가가능한것에관한것으로일정콘테이너혹은챔버내에셀레늄(Se) 분압을높여고압력셀렌화를통해손실되는셀레늄(Se)을줄일수 있고, 셀렌화의효율을높이고열처리의시간을단축시킬수 있는효과를나타낸다. 이를위해상기 CI(G)S계전구체박막과상기챔버(Chamber)의간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기챔버(Chamber)에셀레늄(Se)을주입하며, 셀렌화를위한열처리는상기챔버(Chamber)의내측일면또는, 내측전면에위치하는발열체에의해온도를증가시킨다.

公开(公告)号：KR1020140132524A

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：KR1020130051781

申请日：2013-05-08

申请人： 엘지전자 주식회사

发明人： 김치선

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/205 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025

摘要： 본 발명은 발광 소자에 관한 것으로 특히, 이종 기판, 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 기저 기판; 상기 기저 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하고 질화물 반도체를 포함하는 제 1반도체층; 상기 제 1반도체층 상에 위치하고 다수의 금속 입자를 포함하는 결함 차단층; 및 상기 결함 차단층 상에 위치하고 질화물 반도체를 포함하는 제 2반도체층을 포함하여 구성될 수 있다.

摘要翻译： 本发明涉及一种发光装置。 更具体地，本发明涉及具有异质结构的衬底，氮化物半导体发光器件及其制造方法。 具有异质结构的衬底可以包括：下面的衬底; 位于下面的衬底上的缓冲层; 位于所述缓冲层上并且包括氮化物半导体的第一半导体层; 缺陷防止层，其位于所述第一半导体层上并且包括多个金属颗粒; 以及第二半导体层，其位于缺陷防止层上并且包括氮化物半导体层。

公开(公告)号：KR1020140082681A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：KR1020147008574

申请日：2012-09-10

申请人： 테크니쉐 유니버시테트 델프트

发明人： 이시하라,료이치 ,  판데르즈완,미첼

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02592 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1292 ,  H01L51/0005

摘要： 기판, 바람직하게는 플라스틱 기판 내에 측벽들 및 베이스를 포함하는 하나 이상의 인덴테이션들(indentations) 형성하는 단계; 상기 하나 이상의 인덴테이션들 중 적어도 하나를 제1 전구체(precursor; 前驅體) 물질, 바람직하게는 제1 금속 전구체, 반도체 전구체 또는 금속 산화물 전구체를 포함하는 제1 잉크로 충전하는 단계; 및 상기 인덴테이션 안쪽의 상기 베이스의 표면이 드웨티드(dewetted)되고 또한 상기 인덴테이션 안쪽에 제1 물질의 좁은 제1 구조가 형성되도록 상기 제1 잉크의 적어도 일부를 어닐링하는 단계를 포함하는 박막 장치의 적어도 일 부분의 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR101403288B1

公开(公告)日：2014-06-13

申请号：KR1020120063958

申请日：2012-06-14

申请人： 에스엔유 프리시젼 주식회사

发明人： 유상우 ,  김주원 ,  전광진 ,  박상현 ,  차재정

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC分类号： H01L31/0272 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/67115 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/543

摘要： 본 발명은 태양 전지용 박막 열처리 시스템에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양 전지용 박막 열처리 시스템은 수용공간을 형성하는 챔버;와 기판이 배치되는 밀폐공간을 형성하는 케이싱;과 기판에 열을 가하는 램프;와 밀폐공간에 반응가스를 분사하는 분사부;를 포함하되, 챔버는 상부챔버; 상부챔버와 개폐가능하게 결합되는 하부챔버;를 포함하고, 케이싱은 챔버와 연동하여 개폐되는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 밀폐공간에 균일하게 반응가스를 분사하고 균일하게 열을 가함으로써, 셀레늄 및 반응가스의 확산을 통한 손실이 최소화되는 태양 전지용 박막 열처리 시스템이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140060273A

公开(公告)日：2014-05-19

申请号：KR1020140053442

申请日：2014-05-02

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 곤도토시카즈 ,  기시다히데유키

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： In a thin film transistor, an increase in off-state current or a negative shift of a threshold voltage is prevented. The thin film transistor (150) provides a buffer layer (106) between an oxide semiconductor layer (103) and each of a source electrode layer (107a) and a drain electrode layer (107b). The buffer layer (106) includes a metal oxide layer (105) which is an insulator or a semiconductor over the center part of the oxide semiconductor layer (103). The metal oxide layer (105) functions as a protective layer for suppressing the penetration of impurities into the oxide semiconductor layer (103). Therefore, in the thin film transistor, the increase in off-state current or the negative shift of the threshold voltage can be prevented.

摘要翻译： 在薄膜晶体管中，防止关断状态电流的增加或阈值电压的负偏移。 薄膜晶体管（150）在氧化物半导体层（103）和源极电极层（107a）和漏极电极层（107b）之间提供缓冲层（106）。 缓冲层（106）包括在氧化物半导体层（103）的中心部分上的绝缘体或半导体的金属氧化物层（105）。 金属氧化物层（105）用作抑制杂质向氧化物半导体层（103）的渗透的保护层。 因此，在薄膜晶体管中，可以防止关断状态电流的增加或阈值电压的负偏移。