公开(公告)号：KR1020150138070A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：KR1020150075101

申请日：2015-05-28

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 고에즈카쥬니치 ,  진트유마사미 ,  구로사키다이스케 ,  시마유키노리 ,  오보나이토시미츠

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: [과제] 산화물반도체를갖는트랜지스터를사용한반도체장치에있어서, 전기특성의변동을억제하는동시에, 신뢰성을향상시킨다. [해결수단] 트랜지스터를갖는반도체장치로서, 트랜지스터는채널영역에산화물반도체막을갖고, 트랜지스터의드레인전류-게이트전압특성에서의, 로그로나타내지는드레인전류의최대기울기의접선과 1×10A의축과의교점의게이트전압을시프트값으로한 경우, 산화물반도체막에대하여, 산화물반도체막의밴드갭이상의에너지로광을조사했을때에, 광조사시의시프트값으로부터광 조사전의시프트값의차분이 -1V 이상 0.5V 이하이다.

Abstract translation: 本发明的目的是抑制电特性的改变，并提高使用包括氧化物半导体的晶体管的半导体器件的可靠性。 在包括晶体管的半导体器件中，晶体管包括沟道区中的氧化物半导体膜，并且在光照射下的偏移值与光照射之间的偏移值之间的变化大于或等于-1V且小于或等于 等于0.5V，其中移位值是在1×10 ^（ - 12）A轴的交点处的晶体管的栅极电压和漏极电流的漏极电流的对数的最快切线， 晶体管的栅极电压特性，以及其中具有大于或等于氧化物半导体膜的带隙的能量的光在氧化物半导体膜上进行发光的情况。

公开(公告)号：KR1020150146409A

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：KR1020150084952

申请日：2015-06-16

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 진트유마사미 ,  오보나이토시미츠 ,  고에즈카쥬니치 ,  히라이시스즈노스케

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/385 ,  H01L21/441 ,  H01L21/47573 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 본발명은산화물반도체를가지는트랜지스터를사용한반도체장치에서전기특성의변동을억제함과함께신뢰성을향상시킨다. 트랜지스터를가지는반도체장치로, 트랜지스터는게이트전극, 제 1 절연막, 산화물반도체막, 제 2 절연막, 및한 쌍의전극을가진다. 게이트전극과산화물반도체막은서로중첩되는영역을가진다. 산화물반도체막은제 1 절연막과제 2 절연막사이에위치하며한 쌍의전극과접촉되는영역을가진다. 제 1 절연막은게이트전극과산화물반도체막사이에위치한다. 제 1 절연막및 제 2 절연막중 적어도한쪽은실리콘및 산소를포함하고, 플루오린산을사용하여에칭할때의에칭속도가 8nm/분보다큰 영역을가진다.

Abstract translation: 本发明涉及使用具有氧化物半导体的晶体管的半导体器件，其中电性能的变化被控制，并且可靠性得到改善。 晶体管器件包括栅电极，第一绝缘膜，氧化物半导体膜，第二绝缘膜和一对电极。 栅电极和氧化物半导体膜具有重叠区域。 氧化物半导体膜设置在第一绝缘膜和第二绝缘膜之间，并且具有与一对电极接触的区域。 第一绝缘膜设置在栅电极和氧化物半导体膜之间。 第一绝缘膜和第二绝缘膜的一侧包括硅氧烷和氧，并且具有通过使用氟酸进行蚀刻时的蚀刻速度快于8nm /分钟的区域。

公开(公告)号：KR102239942B1

公开(公告)日：2021-04-14

申请号：KR1020167020353

申请日：2014-12-17

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키슌페이 ,  코에주카주니치 ,  진트유마사미 ,  시마유키노리 ,  하모치타카시 ,  나카자와야수타카

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/10 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786

Abstract: 산화물반도체가사용되며온-상태전류가높은트랜지스터를포함한반도체장치를제공한다. 구동회로부에제공된제 1 트랜지스터및 화소부에제공된제 2 트랜지스터를포함한반도체장치에서, 상기제 1 트랜지스터및 상기제 2 트랜지스터는상이한구조들을가진다. 더욱이, 상기제 1 트랜지스터및 상기제 2 트랜지스터는게이트전극, 소스전극, 및드레인전극으로서작용하는도전막들이중첩하지않는상부-게이트구조를가진트랜지스터들이다. 더욱이, 산화물반도체막에서, 불순물원소는상기게이트전극, 상기소스전극, 및상기드레인전극과중첩하지않는영역에포함된다.

公开(公告)号：KR1020160102309A

公开(公告)日：2016-08-29

申请号：KR1020167020353

申请日：2014-12-17

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키슌페이 ,  코에주카주니치 ,  진트유마사미 ,  시마유키노리 ,  하모치타카시 ,  나카자와야수타카

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/10 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78606 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 산화물반도체가사용되며온-상태전류가높은트랜지스터를포함한반도체장치를제공한다. 구동회로부에제공된제 1 트랜지스터및 화소부에제공된제 2 트랜지스터를포함한반도체장치에서, 상기제 1 트랜지스터및 상기제 2 트랜지스터는상이한구조들을가진다. 더욱이, 상기제 1 트랜지스터및 상기제 2 트랜지스터는게이트전극, 소스전극, 및드레인전극으로서작용하는도전막들이중첩하지않는상부-게이트구조를가진트랜지스터들이다. 더욱이, 산화물반도체막에서, 불순물원소는상기게이트전극, 상기소스전극, 및상기드레인전극과중첩하지않는영역에포함된다.

Abstract translation: 使用氧化物半导体并且提供包括具有高导通电流的晶体管的半导体器件。 在包括设置在所述第一晶体管和驱动电路部分设置的像素部分的第二晶体管的半导体器件，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的结构。 此外，第一晶体管和所述第二晶体管是一个上导电层上不重叠以作为栅电极，源极电极和漏极电极与栅极结构的晶体管。 另外，在氧化物半导体膜的杂质元素被包括在所述栅电极，源电极，并且不重叠的漏极电极的区域。

公开(公告)号：KR1020150123718A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：KR1020150055132

申请日：2015-04-20

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 고에즈카준이치 ,  시마유키노리 ,  진트유마사미 ,  나가자와야스타카 ,  야마자키순페이

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/42388

Abstract: 기생용량이작은트랜지스터를제공한다. 또는주파수특성이높은트랜지스터를제공한다. 또는상기트랜지스터를갖는반도체장치를제공한다. 산화물반도체막은, 제 1 도전막과산화물반도체막이서로접하는제 1 영역과, 제 1 절연막과산화물반도체막이서로접하는제 2 영역과, 제 3 절연막과산화물반도체막이서로접하는제 3 영역과, 제 2 절연막과산화물반도체막이서로접하는제 4 영역과, 제 2 도전막과산화물반도체막이서로접하는제 5 영역을갖고, 제 1 절연막은제 1 도전막위 및산화물반도체막위에제공되고, 제 2 절연막은제 2 도전막위 및산화물반도체막위에제공되고, 제 3 절연막은제 1 절연막위, 제 2 절연막위 및산화물반도체막위에제공되고, 제 3 도전막과산화물반도체막은제 3 절연막을개재하여서로중첩되는영역을갖는다.

Abstract translation: 提供具有小的寄生电容的晶体管，具有高频特性的晶体管，或包括该晶体管的半导体器件。 氧化物半导体膜包括其中第一导电膜和氧化物半导体膜彼此接触的第一区域; 第一绝缘膜和氧化物半导体膜彼此接触的第二区域; 第三绝缘膜和氧化物半导体膜彼此接触的第三区域; 第二绝缘膜和氧化物半导体膜彼此接触的第四区域; 以及第二导电膜和氧化物半导体膜彼此接触的第五区域。 第一绝缘膜放置在氧化物半导体膜和第一导电膜上; 将第二绝缘膜放置在第二导电膜和氧化物半导体膜上; 第三绝缘膜放置在第一绝缘膜，第二绝缘膜和氧化物半导体膜上; 并且第三导电膜和氧化物半导体膜包括通过在其间插入第三绝缘膜而使第三导电膜和氧化物半导体膜彼此重叠的区域。

公开(公告)号：KR1020150093616A

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：KR1020150018470

申请日：2015-02-06

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 고에즈카준이치 ,  진트유마사미 ,  시마유키노리 ,  쿠로사키다이스케 ,  나카다마사타카 ,  야마자키슌페이

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78618

Abstract: [과제] 산화물 반도체를 사용한 온 전류가 큰 반도체 장치를 제공한다.
[해결 과제] 구동 회로부에 설치된 제 1 트랜지스터와, 화소부에 설치된 제 2 트랜지스터를 갖는 반도체 장치로서, 제 1 트랜지스터와 제 2 트랜지스터는 구조가 상이하다. 또한, 제 1 트랜지스터 및 제 2 트랜지스터는, 톱 게이트 구조의 트랜지스터로서, 산화물 반도체막에 있어서, 게이트 전극과 중첩되지 않는 영역에 불순물 원소를 가진다. 산화물 반도체막에 있어서, 불순물 원소를 갖는 영역은 저저항 영역으로서의 기능을 가진다. 또한, 산화물 반도체막에 있어서, 불순물 원소를 갖는 영역은, 수소를 함유하는 막과 접하고 있다. 또한, 구동 회로부에 설치된 제 1 트랜지스터는, 제 1 막 및 제 2 막이 적층된 산화물 반도체막을 가지고, 화소부에 설치된 제 2 트랜지스터는, 제 1 막과 금속 원소의 원자수비가 상이한 산화물 반도체막을 가져도 좋다.

Abstract translation: 提供了使用氧化物半导体的具有高导通电流的半导体器件。 半导体器件包括设置在驱动电路单元中的第一晶体管和设置在像素单元中的第二晶体管，其中第一晶体管和第二晶体管的结构不同。 此外，第一晶体管和第二晶体管是顶栅结构的晶体管，并且相对于氧化物半导体膜，在不与栅电极重叠的区域中具有杂质元素。 在氧化物半导体膜中，具有杂质元素的区域具有作为低电阻区域的功能。 此外，在氧化物半导体膜中，具有杂质元素的区域与含有氢的膜接触。 此外，设置在驱动电路单元中的第一晶体管具有层叠有第一膜和第二膜的氧化物半导体膜，而设置在像素单元中的第二晶体管可以具有氧化物半导体膜，其中， 第一个电影和一个金属元素是不同的。