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公开(公告)号：KR101384258B1
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：KR1020130017958
申请日：2013-02-20
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/3065
CPC分类号： G11B5/3163 , C23F4/00 , G01R33/098 , G11B5/1278 , G11B5/3909
摘要： The present invention provides a plasma etching method of a magnetic film, which is capable of obtaining a desired etching depth regardless of a size of an opening of a mask. The plasma etching method of a magnetic film using tantalum as a mask according to the present invention includes a first process of plasma etching the magnetic film to a desired depth by using a mixture of an ammonia gas and a helium gas, and a second process of plasma etching the magnetic film etched to the desired depth by using a mixture of an ammonia gas and a gas containing oxygen or a mixture of an ammonia gas and a gas containing a hydroxyl group. [Reference numerals] (13) AITiC substrate; (AA) 12.5 degrees
摘要翻译： 本发明提供一种磁膜的等离子体蚀刻方法，其能够获得期望的蚀刻深度，而与掩模的开口尺寸无关。 根据本发明的使用钽作为掩模的磁膜的等离子体蚀刻方法包括通过使用氨气和氦气的混合物将磁性膜等离子体蚀刻到所需深度的第一工艺，以及第 通过使用氨气和含有氧的气体或氨气和含羟基的气体的混合物的混合物等离子体蚀刻蚀刻到期望深度的磁性膜。 （13）AITi基板; （AA）12.5度
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公开(公告)号：KR101636428B1
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：KR1020140097288
申请日：2014-07-30
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L43/12 , H01J37/321 , H01J37/32651
摘要： 본발명은, 패러데이실드를구비하는유도결합형플라즈마에칭장치를이용한플라즈마처리방법에있어서, 자성막의에칭처리와성막처리의양방을하나의처리실에서행할수 있는플라즈마처리방법을제공한다. 본발명은, 시료가플라즈마처리되는처리실과, 상기처리실의상부를기밀하게밀봉하는유전체창문과, 상기유전체창문의상방에배치된유도결합안테나와, 상기유도결합안테나에고주파전력을공급하는고주파전원과, 상기유도결합안테나와상기유전체창문의사이에배치된패러데이실드를구비하는플라즈마처리장치를이용하여자성막을플라즈마에칭하는플라즈마처리방법에있어서, 상기자성막을플라즈마에칭한후, 상기패러데이실드에고주파전압을인가하면서의플라즈마처리에의해상기플라즈마에칭된자성막에퇴적막을형성하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020130024705A
公开(公告)日：2013-03-08
申请号：KR1020120007291
申请日：2012-01-25
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32862 , H01J2237/334 , H01L43/12
摘要： PURPOSE: A plasma etching method is provided to easily generate cleaning plasma for a wafer including CO. CONSTITUTION: A wafer is transferred into a vacuum chamber(S101). A gas containing CO is ionized into plasma(S102). An etching process is performed on a magnetic layer using CO plasma(S103). The gas in the vacuum chamber is exchanged with a cleaning gas(S104). A cleaning process is performed using cleaning plasma(S105). [Reference numerals] (AA) First step; (BB) Second step; (CC) Third step; (DD) Fourth step; (EE) Fifth step; (FF) Sixth step; (GG) Seventh step; (S101) Loading a wafer to be etched; (S102) Converting CO-containing gas into a plasma state; (S103) Performing etching with CO-containing plasma; (S104) Replacing the CO-containing gas with cleaning gas; (S105) Performing cleaning by cleaning plasma; (S106) Dissipating the cleaning plasma; (S107) Unloading the etched wafer
摘要翻译： 目的：提供等离子体蚀刻方法以容易地生成包括CO的晶片的清洁等离子体。构成：将晶片转移到真空室（S101）中。 将含有CO的气体离子化成等离子体（S102）。 使用CO等离子体对磁性层进行蚀刻处理（S103）。 真空室中的气体与清洁气体交换（S104）。 使用清洗等离子体进行清洗处理（S105）。 （附图标记）（AA）第一步; （BB）第二步; （CC）第三步; （DD）第四步; （EE）第五步; （FF）第六步; （GG）第七步; （S101）加载要蚀刻的晶片; （S102）将含CO气体转换成等离子体状态; （S103）用含CO等离子体进行蚀刻; （S104）用清洁气体代替含CO气体; （S105）清洗等离子体进行清洗; （S106）耗散清洗等离子体; （S107）卸载蚀刻后的晶片
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公开(公告)号：KR101578077B1
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：KR1020140013015
申请日：2014-02-05
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： (과제) 본발명은, 반응생성물의에칭패턴측벽에의퇴적을억제하는플라즈마에칭방법을제공한다. (해결수단) 본발명은, 제 1 자성막과, 상기제 1 자성막의상방에배치된제 2 자성막과, 상기제 1 자성막과상기제 2 자성막의사이에배치된금속산화막과, 상기제 2 자성막의상방에배치되어상부전극이되는제 2 금속막과, 상기제 1 자성막의하방에배치되어하부전극이되는제 1 금속막을갖는시료를플라즈마에칭하는플라즈마에칭방법에있어서, 일산화탄소가스를이용하여상기제 1 자성막과상기금속산화막과상기제 2 자성막을에칭하는제 1 공정과, 상기제 1 공정후, 상기시료를수소가스와불활성가스의혼합가스를이용하여에칭하는제 2 공정을가지며, 상기제 1 금속막은탄탈을함유하는막인것을특징으로한다.
摘要翻译： 本发明提供一种用于抑制反应产物在蚀刻图案的侧壁上沉积的等离子体蚀刻方法。 [解决问题的手段]本发明中，第一磁性膜和设置在所述上磁膜和所述第一第二磁性层，如设置在第一磁性膜之间的金属氧化物膜和所述第二磁性膜，其中 在第二个第二金属膜被设置在磁性膜作为上部电极，和所述第一磁膜，称为等离子体的样品的等离子体蚀刻方法已经被设置在下部电极下方上面是第一金属膜，通过使用一氧化碳气体 并且其中，所述第一磁膜和在金属氧化物膜和第二磁性膜的简称，在第一步骤之后的第一处理;以及第二处理称为样本使用与惰性气体的氢气组成的混合气体 而第一金属膜是含有钽的膜。
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公开(公告)号：KR1020150137936A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020140097288
申请日：2014-07-30
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L43/12 , H01J37/321 , H01J37/32651 , H01L21/3065 , H01L21/76825 , H05H1/46
摘要： 본발명은, 패러데이실드를구비하는유도결합형플라즈마에칭장치를이용한플라즈마처리방법에있어서, 자성막의에칭처리와성막처리의양방을하나의처리실에서행할수 있는플라즈마처리방법을제공한다. 본발명은, 시료가플라즈마처리되는처리실과, 상기처리실의상부를기밀하게밀봉하는유전체창문과, 상기유전체창문의상방에배치된유도결합안테나와, 상기유도결합안테나에고주파전력을공급하는고주파전원과, 상기유도결합안테나와상기유전체창문의사이에배치된패러데이실드를구비하는플라즈마처리장치를이용하여자성막을플라즈마에칭하는플라즈마처리방법에있어서, 상기자성막을플라즈마에칭한후, 상기패러데이실드에고주파전압을인가하면서의플라즈마처리에의해상기플라즈마에칭된자성막에퇴적막을형성하는것을특징으로한다.
摘要翻译： 本发明在使用包括法拉第屏蔽的电感耦合等离子体蚀刻装置的等离子体处理方法中，提供了能够在一个处理室中的磁性膜上进行蚀刻处理和成膜处理的等离子体处理方法。 根据使用等离子体处理装置对磁性膜进行等离子体蚀刻的等离子体处理方法，包括：处理室，其中样品被等离子体处理; 电绝缘窗，其密封所述处理室的上部; 电感耦合天线，布置在电介质窗口的上部; 用于向感应耦合天线提供高频电力的高频电源; 以及布置在电感耦合天线和电介质窗口之间的法拉第屏蔽，磁膜被等离子体蚀刻，然后在通过等离子体处理等离子体蚀刻的磁膜上形成沉积膜，同时向 法拉第盾。
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公开(公告)号：KR101794738B1
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020157020877
申请日：2014-11-19
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , G11B5/31 , H01L21/02
摘要： 본발명은, 피에칭막의치수를패터닝된치수보다축소시키는플라즈마처리방법에있어서, 치수의축소화에수반되는피에칭막의변형이나도괴를일으키지않고치수를축소시킬수 있는플라즈마처리방법을제공한다. 본발명은, 레지스트와상기레지스트의하방에배치된반사방지막과상기반사방지막의하방에배치된마스크용막을이용하여플라즈마에칭에의해탄탈막을트리밍하는플라즈마처리방법에있어서, 상기레지스트를마스크로하여플라즈마에칭에의해상기반사방지막과상기마스크용막을트리밍하고, 상기트리밍된반사방지막과상기트리밍된마스크용막을플라즈마에의해제거하며, 상기트리밍된레지스트와상기트리밍된반사방지막을플라즈마에의해제거한후의마스크용막을마스크로하여플라즈마에칭에의해상기탄탈막을트리밍하는것을특징으로한다.
摘要翻译： 本发明中，在还原比图案化膜蚀刻尺寸维度的血液等离子体处理方法，提供了在sikilsu减小的尺寸等离子处理，而不会引起变形或折叠伴随尺寸的减小的蚀刻的膜的方法。 在本发明中，抗蚀剂，并使用该抗蚀剂为布置在抗反射涂层膜的底部的掩模和反射下方配置有修剪钽膜的膜通过等离子蚀刻，等离子通过在等离子体处理方法的抗蚀剂作为掩模。 由防反射膜和掩模等离子体修整和，去除之后通过蚀刻对掩模和所述修剪的防反射膜和用于它所述修剪掩模的薄膜通过等离子体去除，并防止所述装饰和所述修剪抗蚀剂反射膜为膜 该膜通过等离子体蚀刻的掩模，其特征在于修剪钽膜。
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公开(公告)号：KR1020160077012A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：KR1020157020877
申请日：2014-11-19
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , G11B5/31 , H01L21/02
CPC分类号： C23F1/02 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L43/12 , H01L21/3065 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , H01L21/02315 , H01L21/31144 , H01L21/32136
摘要： 본발명은, 피에칭막의치수를패터닝된치수보다축소시키는플라즈마처리방법에있어서, 치수의축소화에수반되는피에칭막의변형이나도괴를일으키지않고치수를축소시킬수 있는플라즈마처리방법을제공한다. 본발명은, 레지스트와상기레지스트의하방에배치된반사방지막과상기반사방지막의하방에배치된마스크용막을이용하여플라즈마에칭에의해탄탈막을트리밍하는플라즈마처리방법에있어서, 상기레지스트를마스크로하여플라즈마에칭에의해상기반사방지막과상기마스크용막을트리밍하고, 상기트리밍된반사방지막과상기트리밍된마스크용막을플라즈마에의해제거하며, 상기트리밍된레지스트와상기트리밍된반사방지막을플라즈마에의해제거한후의마스크용막을마스크로하여플라즈마에칭에의해상기탄탈막을트리밍하는것을특징으로한다.
摘要翻译： 提供了一种等离子体处理方法，用于从图案化尺寸减小要蚀刻的膜的尺寸，并且能够减小尺寸，而不会导致待蚀刻的膜的变形或塌陷。 使用抗蚀剂的等离子体蚀刻来修整钽膜的等离子体处理方法，设置在抗蚀剂下方的防反射膜和设置在抗反射膜下的掩模膜的步骤包括以下步骤：通过等离子体蚀刻对抗反射膜和掩模膜进行修整 抗蚀剂作为掩模; 通过等离子体去除经过修整的抗蚀剂和抗反射膜; 作为掩模，通过用抗蚀剂和经过修整的抗反射膜之后获得的掩模膜通过等离子体蚀刻来修整钽膜作为掩模。
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公开(公告)号：KR101903432B1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：KR1020160098396
申请日：2016-08-02
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L43/12 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC分类号： H01L43/12 , B08B7/0035 , B08B9/08 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32651 , H01J37/32853 , H01J37/32862 , H01J2237/334 , H01J2237/335 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 본발명은, 자성막과금속산화막의적층구조의웨이퍼를플라스마에칭하여, 자성막과금속산화막과의적층구조의웨이퍼의디바이스특성의악화를억제함과함께자성막과금속산화막이에칭된처리실내의퇴적물을제거할수 있는플라스마처리방법을제공하는것을과제로한다. 이러한과제를해결하기위하여본 발명은, 자성막과금속산화막을적층하는적층막에마스크의패턴을형성하는플라스마처리방법에있어서, 상기자성막을플라스마에칭하고, 상기자성막의플라스마에칭후, 상기자성막이플라스마에칭된처리실을플라스마클리닝하고, 상기플라스마클리닝은, 염소원소를함유하는가스와삼염화붕소가스의혼합가스를이용해서플라스마클리닝하는제1 플라스마클리닝과, 상기제1 플라스마클리닝후, 상기처리실내에잔류하는붕소를제거하는제2 플라스마클리닝을포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020170081554A
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：KR1020160098396
申请日：2016-08-02
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L43/12 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC分类号： H01L43/12 , B08B7/0035 , B08B9/08 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32651 , H01J37/32853 , H01J37/32862 , H01J2237/334 , H01J2237/335 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 본발명은, 자성막과금속산화막의적층구조의웨이퍼를플라스마에칭하여, 자성막과금속산화막과의적층구조의웨이퍼의디바이스특성의악화를억제함과함께자성막과금속산화막이에칭된처리실내의퇴적물을제거할수 있는플라스마처리방법을제공하는것을과제로한다. 이러한과제를해결하기위하여본 발명은, 자성막과금속산화막을적층하는적층막에마스크의패턴을형성하는플라스마처리방법에있어서, 상기자성막을플라스마에칭하고, 상기자성막의플라스마에칭후, 상기자성막이플라스마에칭된처리실을플라스마클리닝하고, 상기플라스마클리닝은, 염소원소를함유하는가스와삼염화붕소가스의혼합가스를이용해서플라스마클리닝하는제1 플라스마클리닝과, 상기제1 플라스마클리닝후, 상기처리실내에잔류하는붕소를제거하는제2 플라스마클리닝을포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译： 本发明，现在被称为膜的堆叠层结构的晶片和金属氧化物膜的等离子体，磁性膜，并与器件特性的金属氧化物处理的膜和金属氧化物层的多层结构的晶片的抑制劣化的字符被蚀刻室 本发明提供了一种能够去除等离子体沉积物的等离子体处理方法。 本发明为了解决这样的问题，在形成上的膜和金属氧化物层层压叠层膜的掩模的图案的等离子体处理方法中的字符，称为磁性膜成等离子体，然后，记者沉积的等离子体蚀刻中，磁性 膜进行等离子体清洁的等离子体蚀刻处理室，其中所述等离子体清洗是，使用含有氯元素等离子体清洁所述第一等离子体清洁和等离子体清洗后的第一个，处理腔室，以气体和三氯化硼气体的混合气体 以及用于去除第二等离子体清洁过程中残留的硼的第二等离子体清洁过程。
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公开(公告)号：KR1020150007199A
公开(公告)日：2015-01-20
申请号：KR1020140013015
申请日：2014-02-05
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L43/12 , C23F4/00 , H01L21/3065 , H01L21/76825
摘要： (과제) 본 발명은, 반응생성물의 에칭 패턴 측벽에의 퇴적을 억제하는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다.
(해결 수단) 본 발명은, 제 1 자성막과, 상기 제 1 자성막의 상방에 배치된 제 2 자성막과, 상기 제 1 자성막과 상기 제 2 자성막의 사이에 배치된 금속산화막과, 상기 제 2 자성막의 상방에 배치되어 상부 전극이 되는 제 2 금속막과, 상기 제 1 자성막의 하방에 배치되어 하부 전극이 되는 제 1 금속막을 갖는 시료를 플라즈마 에칭하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 일산화탄소 가스를 이용하여 상기 제 1 자성막과 상기 금속산화막과 상기 제 2 자성막을 에칭하는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후, 상기 시료를 수소 가스와 불활성 가스의 혼합 가스를 이용하여 에칭하는 제 2 공정을 가지며, 상기 제 1 금속막은 탄탈을 함유하는 막인 것을 특징으로 한다.摘要翻译： 提供了一种防止在反应产物的蚀刻图案侧壁上沉积的等离子体蚀刻方法。 在对具有第一磁性层的试样进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法中，配置在第一磁性层的上部的第二磁性层，布置在第一磁性层和第二磁性层之间的金属氧化物层， 第二金属层，其布置在第二磁性层的上部并成为上部电极，第一金属层布置在第一磁性层的下部并成为下部电极，本发明包括： 通过使用一氧化碳气体蚀刻第一磁性层，金属氧化物层和第二磁性层的第一工艺; 以及在第一次处理之后使用氢气和惰性气体的混合气体蚀刻样品的第二过程。 第一金属层包含钽。
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