公开(公告)号：KR1020170112892A

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：KR1020160096795

申请日：2016-07-29

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 아시하라,히로시 ,  오하시,나오후미 ,  다케다,츠요시 ,  기쿠치,도시유키

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/76879 ,  C23C16/045 ,  C23C16/14 ,  C23C16/24 ,  C23F1/12 ,  C23F3/04 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295

摘要： 에어갭이형성된반도체장치에있어서, 양호한특성을실현가능하게하는기술을제공한다. 상기과제를해결하기위해서, 제1 층간절연막과, 상기제1 층간절연막상에형성되어, 배선으로서사용되는복수의구리함유막과, 상기구리함유막간을절연하는배선간절연막과, 상기복수의구리함유막의사이에형성된공극을갖는제1 배선층과, 상기구리함유막상면의일부의면 상에형성되어, 상기구리함유막의성분의확산을억제하도록구성되는제1 확산방지막을갖는기판을처리실에반입하는공정과, 상기구리함유막상 중상기제1 확산방지막이형성되지않은다른부의면 상에, 상기구리함유막의성분의확산을억제하도록구성되는제2 확산방지막을형성하는공정을갖는기술을제공한다.

摘要翻译： 提供了一种用于在形成气隙的半导体器件中实现良好特性的技术。 多个在第一层间绝缘膜上形成并用作布线的含铜膜;用于使含铜膜彼此绝缘的线间绝缘膜; 据在所述第一布线层和具有之间形成的空气间隙的含铜膜表面的含薄膜部分侧形成，使所述第一基板具有第一扩散防止膜被布置以抑制在所述处理室中的含铜膜成分的扩散 步骤，在含铜膜的表面严重碱没有在其它部分形成的第一扩散阻挡膜，提供了一种技术，形成第二扩散防止膜的工序被布置以抑制含铜膜成分的扩散。

公开(公告)号：KR1020170102429A

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：KR1020170025532

申请日：2017-02-27

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 피셔안드레아스 ,  릴토르스텐 ,  자넥리차드 ,  보니페이스존

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01L21/31122 ,  C23F1/00 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/334

摘要： 기판상에서 ALE (atomic layer etching) 를수행하기위한방법은, 다음의방법단계들: 기판의표면상에서표면개질동작을수행하는단계로서, 표면개질동작은기판표면의적어도하나의모노레이어를개질된층으로변환하도록구성되는, 표면개질동작을수행하는단계; 기판표면상에서제거동작을수행하는단계로서, 제거동작은기판표면으로부터개질된층을제거하도록구성되고, 개질된층을제거하는동작은개질된층을휘발시키도록구성되는리간드교환반응을통해발생하는, 제거동작을수행하는단계; 제거동작후에, 기판표면상에서플라즈마처리를수행하는단계로서, 플라즈마처리는기판표면으로부터제거동작에의해생성된잔여물들을제거하도록구성되고, 잔여물들은플라즈마처리에의해휘발되는, 플라즈마처리를수행하는단계; 및기판표면으로부터미리규정된두께가에칭될때까지전술한동작들을반복하는단계를포함한다.

摘要翻译： 一种用于在衬底上执行ALE（原子层蚀刻）方法，以下方法步骤：在所述衬底的表面上的表面改性作用的步骤，所述表面修饰操作时修改所述基板层的表面的至少一个单层 该方法包括：执行表面修改操作; 该方法包括：在衬底表面上进行消除操作，去除操作被配置为从该衬底表面除去的改性层，以去除经由其适于挥发的改性层的配位体交换反应发生的改性层的操作 ，执行移除操作; 在去除操作之后在基板表面上执行等离子体处理，其中等离子体处理被配置为从基板表面去除由去除操作产生的残余物，并且其中残余物通过等离子体处理而挥发 。 并且重复上述操作直到从基板表面蚀刻出预定厚度。

公开(公告)号：KR1020170015937A

公开(公告)日：2017-02-10

申请号：KR1020167036653

申请日：2015-06-01

申请人： 바스프 에스이

发明人： 헤르만트마리-끌레르 ,  폰베른스토르프베른트-스테펜

IPC分类号： B22F3/10 ,  B22F3/22 ,  B22F1/00 ,  C08L59/02 ,  C08L59/04 ,  C08L61/00

CPC分类号： B22F3/16 ,  B22F1/0059 ,  B22F1/0062 ,  B22F3/1025 ,  B22F3/225 ,  B22F2302/45 ,  C23F1/12 ,  C23F1/16 ,  C08L59/02 ,  C08L59/04 ,  C08L61/00

摘要： 본발명은, 소결가능한세라믹또는금속성분말과, 결합제로서폴리옥시메틸렌또는다수의옥시메틸렌단위를함유하는공중합체의혼합물을성형하여콤팩트를수득하고, 기체산으로처리하여상기콤팩트로부터결합제를제거하고, 생성된성형물을소결함으로써, 소결된성형물을제조하기위한개선된방법에관한것이다.

摘要翻译： 本发明涉及通过将可烧结陶瓷或金属粉末与聚甲醛或含有大部分甲醛单元的共聚物作为粘合剂的混合物成型制成烧结成型体的改进方法，以得到紧密结构，通过 用气态酸处理，并烧结所得到的模制品。

公开(公告)号：KR1020170013169A

公开(公告)日：2017-02-06

申请号：KR1020160093555

申请日：2016-07-22

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

发明人： 린준 ,  다케야고지 ,  다치바나미츠히로 ,  야오아키후미 ,  야마우치구니히로 ,  미야자키다츠오

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L23/53209 ,  H01L2924/01027 ,  H05K3/02 ,  H05K2203/0315

摘要： 코발트막을산화하는산화가스와β-디케톤으로이루어지는에칭가스를이용하여피처리체표면의코발트막을에칭할때, 피처리체에카본막이형성되는것을방지할수 있는기술을제공한다. 피처리체를 250℃이하의온도로가열하면서β-디케톤으로이루어지는에칭가스와, 상기코발트막을산화하기위한산화가스를, 상기에칭가스의유량에대한상기산화가스의유량의비율이 0.5% 내지 50%가되도록상기피처리체에공급한다. 이에의해, 카본막의형성을억제하면서, 상기코발트막을에칭할수 있다.

摘要翻译： 蚀刻方法包括通过向目标物体供给含有β-二酮的蚀刻气体和氧化钴膜的氧化气体来蚀刻在目标物体的表面上形成的钴膜的工序。 执行蚀刻气体和氧化气体的供给，使得氧化气体与蚀刻气体的流量比在0.5％至50％的范围内，同时将目标物体加热到低于或等于250°的温度 C。

公开(公告)号：KR1020160124689A

公开(公告)日：2016-10-28

申请号：KR1020160047545

申请日：2016-04-19

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 탄사만다 ,  김태승 ,  양웬빙 ,  막스제프리 ,  릴토스텐

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L41/47 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32651 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 휘발성종을형성하도록할로겐및 에칭될금속과반응하는재료를증착하고그리고기판을에칭하도록할로겐-함유가스및 활성화가스에기판을노출시킴으로써금속을에칭하는방법들이제공된다. 증착된재료들은실리콘, 게르마늄, 티타늄, 탄소, 주석, 및이들의조합들을포함할수도있다. 방법들은 MRAM 구조체들을제조하기에적합하고진공을파괴하지않고 ALD 프로세스와 ALE 프로세스를통합하는것을수반할수도있다.

公开(公告)号：KR1020150128961A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：KR1020157028656

申请日：2014-03-13

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 안티스,제프리더블유. ,  쉬미겐,벤자민 ,  톰슨,데이비드

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/32136 ,  C23F1/00 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/32135

摘要： 전이금속들을포함하는막들을에칭시키는방법들이제공된다. 특정방법들은적어도하나의전이금속을포함하는기판표면을활성화시키되, 여기서기판표면의활성화가기판표면을열, 플라즈마, 산화환경, 또는할라이드전달제에노출시켜활성화된기판표면을제공하는것을포함하고; 활성화된기판표면을루이스염기또는 pi 산을포함하는시약에노출시켜시약으로부터의하나이상의리간드들에배위된전이금속중 하나이상의원자들을포함하는증기상배위착물을제공하는것을포함한다. 특정의다른방법들은 Co 층, Cu 층, 및 Ni 층중 둘이상을포함하는다층기판으로부터선택적인에칭을제공한다.

公开(公告)号：KR1020140117312A

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：KR1020140035471

申请日：2014-03-26

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도호쿠 다이가쿠

发明人： 구순 ,  사무카와세이지

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： C23F4/00 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065

摘要： Provided is a method of etching a transition metal-containing film using a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes: a processing container configured to define a processing chamber and a plasma generation chamber; and a shielding unit provided between the processing chamber and the plasma generation chamber and formed with a plurality of openings to communicate the processing chamber and the plasma generation chamber with each other. The shielding unit has a shielding property against ultraviolet rays. The method includes: (a) supplying neutral particles of oxygen atoms to the processing chamber in which a workpiece is accommodated by generating plasma of a first gas containing oxygen in the plasma generation chamber; (b) supplying a second gas to complex a transition metal oxidized while supplying the neutral particles of oxygen to the processing chamber; and (c) supplying neutral particles of rare gas atoms to the processing chamber by generating plasma of a rare gas.

摘要翻译： 提供使用基板处理装置蚀刻含过渡金属的膜的方法。 基板处理装置包括：处理容器，其构造成限定处理室和等离子体产生室; 以及设置在处理室和等离子体生成室之间并形成有多个开口以使处理室和等离子体产生室彼此连通的屏蔽单元。 屏蔽单元具有抗紫外线的屏蔽性能。 该方法包括：（a）通过在等离子体产生室中产生含有氧的第一气体的等离子体，将氧原子的中性粒子供给到容纳工件的处理室; （b）供应第二气体以将过氧化物氧化，同时将中性粒子的氧气供应到处理室; 和（c）通过产生稀有气体的等离子体将稀有气体原子的中性粒子供给到处理室。

公开(公告)号：KR1020140081909A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020147016633

申请日：2013-01-11

申请人： 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤

发明人： 다케다도시히코 ,  니시무라히로유키 ,  오바타가쓰나리

IPC分类号： H01L51/56 ,  H05B33/10 ,  C23C14/24

CPC分类号： H01L51/0011 ,  B05B12/20 ,  C23C14/042 ,  C23C16/042 ,  C23F1/02 ,  C23F1/12 ,  C23F1/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56

摘要： 대형화된 경우라도 고정밀도화와 경량화의 양쪽을 만족시킬 수 있는 증착 마스크의 제조 방법, 및 고정밀도의 유기 반도체 소자를 제조할 수 있는 유기 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것. 금속판의 한쪽 면에 수지층이 형성되어 있는 수지층이 형성된 금속판을 준비하는 단계와, 상기 수지층이 형성된 금속판에서의 금속판에 대하여, 상기 금속판만을 관통하는 슬릿을 형성함으로써 수지층이 형성된 금속 마스크를 형성하는 단계와, 그 후, 상기 금속 마스크 측으로부터 레이저를 조사하고, 상기 수지층에 증착 제작하는 패턴에 대응한 개구부를 종횡으로 복수 열 형성함으로써 수지 마스크를 형성하는 단계에 의해 증착 마스크를 제조한다.

摘要翻译： 即使大尺寸的是提供一种制造能够产生的制造方法，并用蒸镀掩模，可以同时满足高的精度和轻量化的高精确度的有机半导体元件的有机半导体器件的方法。 制备金属板可以是在片材的金属层的一个表面上形成的树脂层被形成，并且所述金属掩模，所述树脂层是通过形成相对于在板中的金属板的狭缝，其中，在形成树脂层时，通过只在金属板形成 准备通过形成，其后的步骤的沉积掩模，以形成由多个形成在一个水平和垂直方向以对应于图案用于从金属掩模侧照射激光的开口列的树脂掩模，在树脂层上沉积产生 。

公开(公告)号：KR1020140034855A

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：KR1020137034247

申请日：2011-06-08

申请人： 아우디 아게

发明人： 샤오민후아

IPC分类号： B22F1/00 ,  H01M4/92

CPC分类号： H01M4/92 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0088 ,  B22F2201/013 ,  B22F2301/25 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B82Y30/00 ,  C23F1/12 ,  C25F3/02 ,  H01M4/88 ,  Y02E60/50 ,  B22F1/00 ,  B01J23/44 ,  B82B3/00 ,  C25F1/00 ,  B22F2202/06 ,  B22F1/0062 ,  B22F9/18

摘要： 본 발명의 팔라듐 나노입자로부터 계면활성제를 제거하는 방법은 수소에 팔라듐 나노입자를 노출시키는 단계와 팔라듐 나노입자로부터 계면활성제를 제거하는 단계를 포함한다. 방법은 계면활성제를 사용하여 팔라듐 나노입자를 합성하는 단계를 포함한다. 계면활성제는 팔라듐 나노입자의 기하구조적 특성에 영향을 미치며 팔라듐 나노입자에 결합한다. 방법은 또한 수소에 팔라듐 나노입자를 노출시켜 팔라듐 나노입자로부터 계면활성제를 제거하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100103407A

公开(公告)日：2010-09-27

申请号：KR1020100022040

申请日：2010-03-12

申请人： 에스피피 프로세스 테크놀로지 시스템즈 유케이 리미티드

发明人： 안셀,올리버 ,  배러스,안토니 ,  베넷,폴 ,  토셀,데이비드

IPC分类号： C23F1/08 ,  C23F1/12 ,  C23F4/02

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01J37/32917 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/32981 ,  H01J37/3299 ,  C23F1/08 ,  C23F1/12 ,  C23F4/02

摘要： PURPOSE: A device for chemically etching a member, which can be used for a shorter etching process, is provided to rapidly perform gas quality evaluation and leakage check. CONSTITUTION: A device for chemically etching a member comprises a chamber(11), a pumping port and a workpiece support. The chamber accepts the process gas. The chamber comprises a sub-chamber. The sub-chamber is located between the upper stream of the pumping port and the downstream of the workpiece support. The sub-chamber comprises a window. An excitation source is positioned close to the window. The pumping port pulls out discharge gas. The workpiece support locates within the chamber.

摘要翻译： 目的：提供可用于较短蚀刻工艺的用于化学蚀刻部件的装置，用于快速进行气体质量评估和泄漏检查。 构成：用于化学蚀刻构件的装置包括腔室（11），泵送口和工件支撑件。 该室接受工艺气体。 该室包括一个子室。 子室位于泵送端口的上游和工件支撑件的下游之间。 子室包括一个窗口。 激发源靠近窗口定位。 泵送口抽出放电气体。 工件支架位于腔室内。