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    처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
    1.
    发明公开
    처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법 审中-实审
    处理液体供应设备和处理液体供应方法

    公开(公告)号：KR1020150039569A

    公开(公告)日：2015-04-10

    申请号：KR1020140130245

    申请日：2014-09-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 데라시타유이치 ,  요시하라고우스케 ,  다카야나기고지 ,  후루쇼도시노부 ,  사사다카시

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302

    CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/0274

    Abstract: 처리액을쓸데없이소비하지않고서, 처리액중의파티클의증가를효율적으로억제하는것을목적으로한다. 피처리체를처리하기위한처리액을공급하는처리액공급원과, 상기처리액공급원에공급로를통해접속되며, 상기처리액을피처리체에토출하는토출부와, 상기공급로에설치되며, 처리액중의이물을제거하기위한필터장치와, 상기공급로에있어서의필터장치의일차측및 이차측에각각설치된공급펌프및 토출펌프와, 상기처리액공급원으로부터공급된처리액을, 상기공급펌프및 토출펌프중 적어도한쪽을이용해서감압하여탈기하고, 계속해서탈기된처리액을상기공급펌프및 토출펌프를이용하여상기필터장치의일차측으로부터이 필터장치를통해이차측으로통과시키도록제어신호를출력하는제어부를구비하도록장치를구성한다.

    Abstract translation: 本发明的目的是有效地防止工艺溶液中颗粒的增加，而不浪费工艺溶液。 本发明包括提供用于处理物体的处理液的处理液供给源，通过供给管线连接到处理液供给源的注入部，将该处理液注入到被检体内的过滤器装置， 安装在供给管路上，除去分别安装在供给管路中的过滤装置的主要部分和次要部分中的过程溶液中的异物，供给泵和注射泵，以及减压和 通过使用供给泵和注射泵中的一个来对从过程溶液供给源提供的过程溶液进行脱气，并且输出控制信号，以使脱模处理溶液从过滤装置的主要部分转移到次级部分，方法是使用 供应泵和注射泵。

    현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치
    2.
    发明授权
    현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치 有权
    开发处理方法，计算机可读存储介质和开发处理设备

    公开(公告)号：KR101487366B1

    公开(公告)日：2015-01-29

    申请号：KR1020090114604

    申请日：2009-11-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다케구치히로후미 ,  요시하라고우스케

    IPC: H01L21/027

    Abstract: (과제) 기판의 현상 처리를 기판면 내에서 균일하게 행하여, 레지스트 패턴 치수의 기판면 내에서의 균일성을 향상시킨다.
    (해결수단)
    현상액 노즐(33)과 순수 노즐(40)로부터 웨이퍼(W)의 중심부에 현상액(D)과 순수(P)를 각각 공급하여, 현상액(D)과 순수(P)의 혼합액(C)을 웨이퍼(W) 전체면에 확산시킨다(도 4(a)). 순수 노즐(40)로부터 웨이퍼(W)의 중심부에 순수(P)를 공급하여(도 4(b)), 순수(P)를 웨이퍼(W) 전체면에 확산시킨다(도 4(c)). 현상액 노즐(33)로부터 웨이퍼(W)의 외주부에 현상액(D)을 공급한 후(도 4(d)), 현상액 노즐(33)을 웨이퍼(W)의 중심부로 이동시키면서, 웨이퍼(W)에 현상액(D)을 공급한다. 그리고, 웨이퍼(W) 전체면에 현상액(D)을 확산시켜, 웨이퍼(W)의 현상 처리를 행한다(도 4(e)).

    현상 처리 방법 및 현상 처리 장치
    4.
    发明公开
    현상 처리 방법 및 현상 처리 장치 有权
    发展处理方法和开发处理装置

    公开(公告)号：KR1020100089754A

    公开(公告)日：2010-08-12

    申请号：KR1020100006488

    申请日：2010-01-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 야마모토타로 ,  요시하라고우스케 ,  요시다유이치

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/3071 ,  B05B1/30 ,  B05B1/3046 ,  G03F7/16 ,  G03F7/70425

    Abstract: PURPOSE: A development processing method and a development processing apparatus are provided to improve a development process by supplying gas having higher temperature than a substrate. CONSTITUTION: A substrate holding unit(40) keeps a substrate level(W). A rotation driving apparatus(42) rotates the substrate holding unit around a vertical axis. A developer supply nozzle(52) supplies developer on the surface of the substrate held by the substrate holding unit. A gas supply nozzle(53) supplies gas to the edge of a sediment area on which the developer is laminated. A temperature control unit(75) controls the temperature of gas supplied from a gas supply nozzle to be higher than the temperature of the substrate.

    Abstract translation: 目的：提供一种开发处理方法和显影处理装置，以通过提供比衬底温度高的气体来改进显影处理。 构成：衬底保持单元（40）保持衬底水平（W）。 旋转驱动装置（42）使基板保持单元绕垂直轴旋转。 显影剂供应喷嘴（52）在由基板保持单元保持的基板的表面上供应显影剂。 供气喷嘴（53）将气体供给到其上层叠有显影剂的沉积区域的边缘。 温度控制单元（75）控制从气体供给喷嘴供给的气体的温度高于基板的温度。

    액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체
    5.
    发明授权
    액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 有权
    液体处理装置，液体处理方法和存储介质

    公开(公告)号：KR101771276B1

    公开(公告)日：2017-08-24

    申请号：KR1020130019262

    申请日：2013-02-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 요시다유이치 ,  요시하라고우스케

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

    CPC classification number: G03F7/70975 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/325 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

    Abstract: 웨이퍼(W)에대하여유기용제를공급하여액 처리를행하는데 있어서, 작업처리량의저하를억제하면서, 액처리후의웨이퍼(W) 상의이물의잔존을억제할수 있는기술을제공하는것을과제로한다. 액처리모듈(2)에배치된웨이퍼(W)에대하여, 노즐부(1)로부터용제를공급하는데 있어서, 미정제의청정도가낮은제1 용제를웨이퍼(W)에공급한후, 정제된청정도가높은제2 용제를공급한다. 그때문에청정도가높은제2 용제의사용량을억제하면서, 웨이퍼(W)에남는이물의양을적게억제할수 있다. 그리고이 방법에따르면, 청정도가높은용제를다량으로정제하지않아도좋은데다가, 정제공정의시간간격이길어지기때문에, 액처리장치의작업처리량의저하가억제된다.

    Abstract translation: 根据液体处理线相对于所述晶片（W）供给有机溶剂，同时抑制了吞吐量的减少，和零，以提供液体的晶片（W）sanguiyi技术，可以在处理后抑制残留的水。 具有放置在液体处理模块（2）在相对于晶片（W），根据通过所述喷嘴单元（1）提供溶剂，将粗报价清洁度高egong迫切然后纯化清洁度晶片（W）的下第一溶剂 并供应第二种溶剂。 因此，能够抑制清洁性高的第二溶剂的量，同时抑制晶片W上残留的水量。 和根据该方法，无需纯化高纯度的溶剂中，在大量的，因为纯化过程增加的时间间隔joteundeda，在吞吐量液处理装置的降低被抑制。

    도포 처리 방법 및 도포 처리 장치
    6.
    发明授权
    도포 처리 방법 및 도포 처리 장치 有权
    应用处理方法和应用处理设备

    公开(公告)号：KR101447759B1

    公开(公告)日：2014-10-06

    申请号：KR1020090118477

    申请日：2009-12-02

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 이세키도모히로 ,  요시하라겐타로 ,  노다도모히로 ,  요시하라고우스케

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

    Abstract: 본 발명은 도포액의 도포 시에 발생하는 기포를 억제하여 도포액막의 균일화 및 수율의 향상을 도모할 수 있도록 한 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치를 제공한다. 또한, 도포액의 유효 이용 및 도포액막의 균일화를 도모할 수 있도록 한 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치를 제공한다.
    본 발명의 도포 처리 방법은, 반도체 웨이퍼(W)를 저속의 제1 회전수로 회전시키고, 웨이퍼의 중심부에 순수(DIW)를 공급하여 순수의 액저류부를 형성하며, 그 후에 웨이퍼를 상기 제1 회전수로 한 상태에서, 웨이퍼의 중심부에 수용성의 도포액(TARC)을 공급하고, 이 도포액과 상기 순수를 혼합한다. 그 후, 웨이퍼를 상기 제1 회전수보다 고속의 제2 회전수로 회전시켜 도포액막을 형성한다.
    또한, 본 발명의 다른 도포 처리 방법은, 반도체 웨이퍼(W)를 저속의 제1 회전수로 회전시키고, 웨이퍼의 중심부에 순수(DIW)를 공급하여 순수의 액저류부를 형성하며, 그 후에 웨이퍼를 상기 제1 회전수로 한 상태에서, 웨이퍼의 중심부에 수용성의 도포액(TARC)을 공급하고, 이 도포액과 상기 순수를 혼합한다. 그 후, 웨이퍼를 상기 제1 회전수보다 고속의 제2 회전수로 회전시켜 도포액막을 형성한다. 도포액과 순수를 혼합하는 공정과 도포액막을 형성하는 공정의 시간 비율을 1:3∼3:1의 범위 내로 제어하여 도포액(TARC)의 토출량을 설정한다.

    도포 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 도포 처리 장치
    8.
    发明公开
    도포 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 도포 처리 장치 有权
    涂层处理方法，计算机可读存储介质和涂层处理设备

    公开(公告)号：KR1020090121215A

    公开(公告)日：2009-11-25

    申请号：KR1020090042536

    申请日：2009-05-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 요시하라고우스케 ,  이치노가츠노리 ,  이세키도모히로

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  H01L21/67017

    Abstract: PURPOSE: A coating treatment method, a computer-readable storage medium, and a coating treatment apparatus are provided to reduce a supply volume of a coating agent while coating a coating agent on the substrate evenly. CONSTITUTION: A coating treatment method is comprised of the steps: supplying a processing liquid having a first surface tension to a central part of a substrate(S1); supplying a coating agent having a second surface tension lower than the first surface tension to the central part of the processing liquid provided from the first process(S2); turning a substrate and supplying the coating agent to the central part of the solvent supplied from the second process(S3); and diffusing processing liquid and solvent on the substrate and distributing them on the whole substrate(S4).

    Abstract translation: 目的：提供一种涂布处理方法，计算机可读存储介质和涂布处理装置，以在涂布剂均匀涂布涂布剂的同时减少涂布剂的供给量。 构成：涂布处理方法包括以下步骤：将具有第一表面张力的处理液体供应到基板的中心部分（S1）; 将从第一表面张力低的第二表面张力的涂布剂供给到从第一工序（S2）提供的处理液的中心部分; 转动衬底并将涂覆剂供应到从第二工序供应的溶剂的中心部分（S3）; 并在基板上扩散处理液体和溶剂并将其分布在整个基板上（S4）。

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