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公开(公告)号：KR101254803B1
公开(公告)日：2013-04-15
申请号：KR1020060036485
申请日：2006-04-24
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
CPC分类号： H01L23/49582 , H01L21/4842 , H01L23/49551 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48639 , H01L2224/48664 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85439 , H01L2224/85464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2224/78 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 과제는 반도체 장치의 조립에 있어서의 칩 크랙이나 칩 이지러짐을 방지하는 것이다.
현수 리드(1e) 상에 형성된 와이어 접속용의 은 도금(8)의 탭측 단부의 두께가, 리드 상의 은 도금(8)보다 얇게 형성된 리드 프레임(1)을 준비하고, 그 후 탭(1b) 상에 반도체 칩(2)을 탑재함으로써, 현수 리드(1e) 상의 은 도금(8)은 전체면이 찌부러져 있기 때문에, 칩 탑재시에 반도체 칩(2)이 은 도금(8)과 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 다이 본딩시에 반도체 칩(2)이 은 도금(8)과 접촉하지 않고 탭(1b) 상에서 활주할 수 있어, 칩 탑재시의 반도체 칩(2)으로의 손상을 작게 하여 반도체 장치에 있어서의 칩 크랙이나 칩 이지러짐을 방지할 수 있다.
현수 리드, 은 도금, 리드 프레임, 반도체 칩, 탭-
公开(公告)号：KR1020090031279A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：KR1020080092006
申请日：2008-09-19
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
CPC分类号： H01L23/49503 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/49548 , H01L23/49568 , H01L23/49582 , H01L24/28 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/27013 , H01L2224/29007 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32014 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83051 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： A semiconductor device and manufacturing method thereof are provided to prevent the paste from being flowed out the rear side of sealer from the chip loading part by forming the step part lower than the chip mounting face in the peripheral part. The Ag paste(6) is arranged on the supporting surface of a chip(1c) of the tap(1b). The semiconductor chip is mounted on the tap through the Ag paste. The pad(2a) of the semiconductor chip and the lead(1a) of the tap are electrically connected with a plurality of wires(4). The semiconductor chip and the plurality of wires are sealed by the sealer(3). The step part(1e) is formed in the peripheral part of the supporting surface of a chip of the tap. The step part is lower than that of the supporting surface of a chip. Therefore, the Ag paste stays within the step part.
摘要翻译： 提供一种半导体器件及其制造方法，以通过在周边部分中形成低于芯片安装面的台阶部来防止糊料从密封装载部分流出密封件的后侧。 Ag糊料（6）布置在丝锥（1b）的芯片（1c）的支撑表面上。 半导体芯片通过Ag膏安装在龙头上。 半导体芯片的焊盘（2a）和分接头的引线（1a）与多根导线（4）电连接。 半导体芯片和多根金属丝被密封件（3）密封。 台阶部分（1e）形成在龙头的芯片的支撑表面的周边部分中。 台阶部分低于芯片的支撑面。 因此，Ag糊料保留在台阶部分内。
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公开(公告)号：KR1020060112611A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020060036485
申请日：2006-04-24
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
CPC分类号： H01L23/49582 , H01L21/4842 , H01L23/49551 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48639 , H01L2224/48664 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85439 , H01L2224/85464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2224/78 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： A method for fabricating a semiconductor device is provided to prevent a semiconductor chip from coming in contact with a metal plating part in a die bonding process by preparing a leadframe in which the thickness of an end part at a tab of a wire-connecting metal plating part formed on a suspended lead is smaller than that of the wire-connecting metal plating part on the lead and by mounting a semiconductor chip on the tab. A leadframe(1) has a tab(1b), a plurality of leads(1a) disposed in the periphery of the tab, and a plurality of suspended leads(1e) for supporting the tab. The thickness of a metal plating layer formed on the suspended lead is smaller than that of a metal plating layer formed on the lead. A semiconductor chip(2) is mounted on the tab. The metal plating layer formed on the suspended lead is flat. The metal plating layer is made of Ag.
摘要翻译： 提供了一种制造半导体器件的方法，以通过制备引线框来防止半导体芯片在芯片接合工艺中与金属电镀部分接触，其中引线框架中引线框架的厚度在引线连接金属电镀 形成在悬挂引线上的部分小于引线上的引线连接金属电镀部分的部分，并且将半导体芯片安装在突片上。 引线框架（1）具有突片（1b），设置在突片周边的多个引线（1a）和用于支撑突片的多个悬挂引线（1e）。 形成在悬浮铅上的金属镀层的厚度小于在铅上形成的金属镀层的厚度。 半导体芯片（2）安装在突片上。 形成在悬挂引线上的金属镀层是平坦的。 金属镀层由Ag制成。
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