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公开(公告)号:KR1020170120017A
公开(公告)日:2017-10-30
申请号:KR1020160143130
申请日:2016-10-31
申请人: 앰코 테크놀로지 인코포레이티드
IPC分类号: H01L23/482 , H01L23/49 , H01L23/00 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC分类号: H01L23/49562 , H01L21/4825 , H01L21/4828 , H01L23/4952 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L24/73 , H01L27/0922 , H01L2224/05553 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要: 패키지된반도체장치를형성하는방법은도전성프레임구조물을제공하는단계를포함한다. 도전성프레임구조물은, 전력장치와로직타입장치모두를포함하는집적전력반도체장치와같은, 반도체장치에직접부착되도록구성된리드핑거를구비한제1 프레임을포함한다. 리드핑거는반도체장치의전력장치영역으로높 전류용량및 높은열 방산능력을제공하도록구성된다. 일실시예에서전도성프레임구조물은제1 프레임에결합되는제2 프레임을포함한다. 제2 프레임은반도체장치의저 전력영역과전기적으로연결하도록구성되는다수개의리드들을포함한다. 패키지몸체는반도체장치와리드핑거와리드의적어도일부를밀봉하도록형성된다.
摘要翻译: 形成封装半导体器件的方法包括提供导电框架结构。 导电框架结构,并且包括具有引线指的第一帧,适于诸如集成功率半导体装置,包括功率器件和逻辑类型的装置被直接连接到一个半导体器件。 引线指配置为向半导体器件的功率器件区域提供高电流能力和高散热能力。 在一个实施例中,导电框架结构包括耦合到第一框架的第二框架。 第二框架包括被配置为电连接到半导体器件的低功率区域的多个引线。 封装体形成为密封半导体器件的至少一部分,引线和引线。
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公开(公告)号:KR1020170115481A
公开(公告)日:2017-10-17
申请号:KR1020177015822
申请日:2016-02-02
申请人: 아사히 가라스 가부시키가이샤
IPC分类号: C09J7/02 , H01L21/56 , C09J133/00 , B29C33/68 , C09J175/04
CPC分类号: H01L21/565 , B29C33/68 , B32B27/00 , B32B27/30 , C08F290/067 , C08G18/4854 , C08G18/6229 , C08G18/6262 , C08G18/757 , C08G18/792 , C08G18/8029 , C08G2170/40 , C08K5/0075 , C08K9/10 , C08K2201/017 , C08L65/00 , C09J7/22 , C09J7/24 , C09J7/38 , C09J133/00 , C09J133/066 , C09J175/04 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/11 , C09J2427/006 , C09J2433/00 , C09J2475/00 , H01L21/566 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L27/14 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29499 , H01L2224/40247 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/83139 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , C08K5/43 , C09J7/20 , C09J7/243
摘要: 수지봉지부에대한이형성, 반도체칩, 소스전극또는실링유리에대한저이행성및 재박리성이우수하고, 반도체칩, 소스전극또는시일유리의표면의일부가노출된반도체소자를제조하기위한이형필름으로서적합한필름의제공. 기재 (3) 와점착층 (5) 을구비하고, 기재 (3) 의 180 ℃에 있어서의저장탄성률이 10 ∼ 100 MPa 이고, 점착층 (5) 이, 특정의아크릴계중합체와다관능이소시아네이트화합물을포함하고, 상기아크릴계중합체에서유래하는하이드록시기의몰수 M, 카르복시기의몰수 M, 상기다관능이소시아네이트화합물에서유래하는이소시아네이트기의몰수 M가특정관계를만족시키는점착층용조성물의반응경화물인, 반도체소자를제조하기위한이형필름으로서적합한필름 (1).
摘要翻译: 号作为被形成,该半导体芯片,源电极或用于jeoyi行星并且可释放yiwoosu密封玻璃,和用于生产半导体元件部的离型膜被暴露的半导体芯片,一个源电极或用于jibong部的密封玻璃的表面上 提供合适的胶片。 包括基片3和粘接剂层5和基板3,并在180℃10〜100 MPa时,粘接剂层5,一个特定的丙烯酸类聚合物和的多官能异氰酸酯化合物的储存弹性模量 包括,从丙烯酸类聚合物中号衍生的羟基基团的摩尔数,羧基M的摩尔数,多为水的粘合剂层组合物的反应固化,满足由多官能异氰酸酯化合物衍生的异氰酸酯组特定关系的摩尔数M的半导体器件 (1)。
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公开(公告)号:KR1020170034337A
公开(公告)日:2017-03-28
申请号:KR1020160117310
申请日:2016-09-12
申请人: 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人: 이토마미
IPC分类号: H01L23/495 , H01L21/48 , H01L23/00 , H01L23/28
CPC分类号: H01L23/562 , H01L21/4842 , H01L23/3107 , H01L23/49551 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: (과제) 반도체장치의수지크랙을방지할수 있는리드프레임을제공한다. (해결수단) 프레스가공에의해리드프레임 (3) 을형성할때, 이너리드 (3b) 의선단에타발버 (3d) 를형성하고, 이것을수지 (5) 에대한앵커로서기능시킨다. 타발버 (3d) 는반도체장치의바닥면방향을향해형성된예각의돌기부로한다.
摘要翻译: (要解决的问题)提供一种能够防止半导体器件的树脂破裂的引线框。 (解决方案)当通过冲压加工形成引线框架3时,在内引线3b的端部形成目标物3d,并且用作树脂5的锚固件。 标签条3d是朝向半导体器件的底表面形成的锐角突起。
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公开(公告)号:KR101706825B1
公开(公告)日:2017-02-27
申请号:KR1020140158009
申请日:2014-11-13
申请人: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
IPC分类号: H01L23/495 , H01L23/498
CPC分类号: H01L24/83 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L23/49582 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L2224/0401 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05568 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/13082 , H01L2224/1329 , H01L2224/13293 , H01L2224/133 , H01L2224/1354 , H01L2224/16245 , H01L2224/241 , H01L2224/24246 , H01L2224/244 , H01L2224/24997 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/8184 , H01L2224/81855 , H01L2224/819 , H01L2224/8192 , H01L2224/821 , H01L2224/82355 , H01L2924/00014 , H05K3/4661 , H01L2924/00012 , H01L2224/291 , H01L2924/014
摘要: 본발명은반도체패키지에관한것으로, 해결하고자하는기술적과제는고비용이요구되는와이어본딩또는도전성범프를구비하지않고, 반도체다이의도전성패드와리드프레임사이를도전성패드및 리드프레임과동일한금속인전해도금층또는도전성접착층을통해직접접속시킴으로써, 상호접속이용이하고비용절감할수 있으며, 고전류에의한손상을방지하는데있다. 이를위해본 발명은다수의도전성패드가구비된반도체다이및, 다수의도전성패드와각각전기적으로접속된다수의리드를갖는리드프레임을포함하고, 리드프레임은리드에형성된전해도금층을더 포함하며리드는전해도금층을통해도전성패드와전기적으로접속을개시한다.
摘要翻译: 在一个实施例中,半导体封装包括具有导电焊盘的半导体管芯。 引线框架使用电化学形成的层或导电粘合剂层直接连接到导电焊盘,从而有助于半导体管芯和引线框架的导电焊盘之间的电连接,而不使用单独的引线接合或导电凸块。
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5.각각 반도체 소자에 접속되기 위한 소결가능한 응고된 페이스트를 가진 캐리어 및 클립, 대응하는 소결용 페이스트, 및 대응하는 제조 방법 및 용도 审中-实审
标题翻译: 具有可连接固化的粘合剂的载体和夹具,用于连接到相关的烧结材料和相应的生产方法和使用的半导体元件公开(公告)号:KR1020160139006A
公开(公告)日:2016-12-06
申请号:KR1020167029739
申请日:2015-03-26
IPC分类号: H01L23/495 , H01L23/00
CPC分类号: H01L23/49513 , H01L21/4821 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27418 , H01L2224/27505 , H01L2224/27848 , H01L2224/29294 , H01L2224/29295 , H01L2224/29339 , H01L2224/2939 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/352 , H01L2224/371 , H01L2224/37639 , H01L2224/4005 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40499 , H01L2224/73263 , H01L2224/83192 , H01L2224/83439 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2224/9221 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2924/00012
摘要: 본발명은하나이상의반도체 (리드프레임과같은) 소자용캐리어및 클립에관한것으로서, 이캐리어및 클립은반도체소자및 복수의접속부(11)에접속되기위한하나이상의기능면을가진다. 본발명은캐리어의재료또는클립의재료가금속을포함하고, 응고된(건조된) 소결용페이스트, 특히은 및/또는은 화합물을포함하는소결용페이스트로제조된층(12)이기능면(10) 상에배치되고, 여기서이 캐리어또는클립및 소결용페이스트로제조된층(12)은반도체소자에접속될수 있는중간생성물을형성한다. 이캐리어및 클립은하나의공정단계로응고된소결가능한페이스트의소결에의해칩에접속됨으로써리드프레임(리드프레임패키지)을가진패키징을제조하기위해사용된다.
摘要翻译: 本发明涉及一种载体(例如引线框架)和用于至少一个半导体元件的夹子,该半导体元件具有用于连接到半导体元件的至少一个功能表面(10)和多个连接件(11)。 本发明的特征在于,载体或夹子的材料包括由固化(干燥)烧结膏,特别是含有银和/或银化合物的烧结膏制成的金属和层(12),并且是 布置在功能表面(10)上,其中载体或夹子和由烧结膏形成的层(12)形成可连接到半导体元件的中间产品。 载体和夹子用于通过在一个工作步骤中通过烧结固化的烧结浆料来连接到芯片来制造具有引线框架(引线框架封装)的封装。
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公开(公告)号:KR101625422B1
公开(公告)日:2016-05-30
申请号:KR1020147020330
申请日:2013-02-21
申请人: 쇼와 덴코 가부시키가이샤
IPC分类号: C08K3/28 , C08K3/38 , C08K3/22 , C08L101/00 , C08L63/00 , C08L33/04 , H01L23/373 , H05K7/20
CPC分类号: C09D163/00 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/38 , C08K3/40 , C08K2003/2227 , C08K2003/2241 , C08K2003/282 , C08K2003/385 , C09D133/00 , C09D133/14 , C09J5/06 , H01L23/24 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/3737 , H01L23/4334 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48096 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H05K7/20481 , Y10T156/10 , Y10T428/2848 , Y10T428/31511 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 본발명은상이한압축파괴강도를갖는 2종의필러(단, 상기 2종의필러가동일물질일경우에는제외한다)와열경화성수지를포함하고, 상기 2종의필러의압축파괴강도비[압축파괴강도가큰 필러(A)의압축파괴강도/압축파괴강도가작은필러(B)의압축파괴강도]가 5~1500이며, 필러(A)의압축파괴강도가 100~1500㎫이며, 필러(B)의압축파괴강도가 1.0~20㎫인경화성방열조성물, 그조성물을사용한접착시트와그 제조방법, 및상기조성물을경화해서얻어지는방열경화물에관한것이다. 본발명의경화성방열조성물은두께방향으로의방열성이우수하고, 가압성형조건의허용폭(마진)이크고, 전자부품이나전기부품용의접착제로서바람직하게사용할수 있다. 필러(A)로서는질화알루미늄이바람직하고, 필러(B)로서는육방정질화붕소응집입자가바람직하다.
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公开(公告)号:KR101532443B1
公开(公告)日:2015-06-29
申请号:KR1020097008904
申请日:2007-09-14
申请人: 엔엑스피 유에스에이, 인코포레이티드
发明人: 왕,제임스,제이. , 맥도날드,윌리암,지.
IPC分类号: H01L23/02
CPC分类号: H01L23/4951 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48465 , H01L2224/73215 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
摘要: QFN(Quad Flat No-Lead) 패키지(300, 400)의사이즈를칩 스케일패키지로줄이는방법및 장치가제공된다. 그러한 QFN 패키지는제1 반도체칩(310, 410), 몰드락 특징을갖는복수의오목한리드(306, 406, 408, 411), 및실질적으로본도체칩의모든사이드를싸는몰드재(340, 440)를포함한다. 반도체칩의활성면(314, 414)은 QFN 패키지의장착사이드(307, 407)를향해서배향되고, 활성면과장착사이드사이에배치된복수의와이어본드(330, 430)는활성사이드를리드에겨랗ㅂ한다. QFN 패키지는또한복수의리드(408) 및제1 반도체칩과유사한방식으로와이어본드(431, 432)를통해서제1 반도체칩에결합된제2 반도체칩(452)을포함할수 있다.
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公开(公告)号:KR1020150004282A
公开(公告)日:2015-01-12
申请号:KR1020140081668
申请日:2014-07-01
申请人: 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤
IPC分类号: H01L23/495 , H01L23/498 , H01L23/28
CPC分类号: H01L23/3114 , H01L23/24 , H01L23/49551 , H01L23/49861 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012
摘要: 소형화·박형화에 대응할 수 있는, 중공부를 갖는 패키지로 이루어지는 반도체 장치를 제공하는 것으로서, 반도체 칩(6)을 장착하는 내측 저면을 갖는 중공부(10)와, 중공부(10)를 둘러싸는 위요부(1b)와 저면부(1a)로 이루어지는 수지 성형체(1)와, 인너 리드(2e, 2f)와, 수지 성형체(1)로부터 노출되는 아우터 리드(2a, 2b)로 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 수지 성형체(1)에 매설된 인너 리드에는 관통 구멍을 형성한 L자형의 리드 연장부가 설치되어 있다.
摘要翻译: 提供一种包括具有中空部分的封装的半导体器件,其可以满足尺寸和厚度的减小的需要。 半导体装置包括:具有中空部(10)的树脂成型体(1),具有安装有半导体芯片(6)的内底面,围绕中空部(10)的周围部(1b) 和底面部分(1a); 内引线(2e,2f); 和从树脂成形体(1)露出的外引线(2a,2b)。 埋在模制构件(1)中的内部引线包括具有穿过其形成的通孔的L形引线延伸部分。
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公开(公告)号:KR1020140111302A
公开(公告)日:2014-09-18
申请号:KR1020147020330
申请日:2013-02-21
申请人: 쇼와 덴코 가부시키가이샤
IPC分类号: C08K3/28 , C08K3/38 , C08K3/22 , C08L101/00 , C08L63/00 , C08L33/04 , H01L23/373 , H05K7/20
CPC分类号: C09D163/00 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/38 , C08K3/40 , C08K2003/2227 , C08K2003/2241 , C08K2003/282 , C08K2003/385 , C09D133/00 , C09D133/14 , C09J5/06 , H01L23/24 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/3737 , H01L23/4334 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48096 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H05K7/20481 , Y10T156/10 , Y10T428/2848 , Y10T428/31511 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 본 발명은 상이한 압축 파괴 강도를 갖는 2종의 필러(단, 상기 2종의 필러가 동일 물질일 경우에는 제외한다)와 열경화성 수지를 포함하고, 상기 2종의 필러의 압축 파괴 강도비[압축 파괴 강도가 큰 필러(A)의 압축 파괴 강도/압축 파괴 강도가 작은 필러(B)의 압축 파괴 강도]가 5~1500이며, 필러(A)의 압축 파괴 강도가 100~1500㎫이며, 필러(B)의 압축 파괴 강도가 1.0~20㎫인 경화성 방열 조성물, 그 조성물을 사용한 접착 시트와 그 제조 방법, 및 상기 조성물을 경화해서 얻어지는 방열 경화물에 관한 것이다. 본 발명의 경화성 방열 조성물은 두께 방향으로의 방열성이 우수하고, 가압 성형 조건의 허용 폭(마진)이 크고, 전자 부품이나 전기 부품용의 접착제로서 바람직하게 사용할 수 있다. 필러(A)로서는 질화 알루미늄이 바람직하고, 필러(B)로서는 육방정 질화 붕소 응집 입자가 바람직하다.
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公开(公告)号:KR101366394B1
公开(公告)日:2014-02-25
申请号:KR1020120036963
申请日:2012-04-09
申请人: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
IPC分类号: H01L23/495 , H01L23/28
CPC分类号: H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49558 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要: 본 발명은 반도체 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 리드프레임을 패턴화 하기 이전에 접착된 절연 부재를 통해 전기적으로 분리된 다수의 랜드와 랜드 커넥트바 사이를 고정할 수 있으므로, 인캡슐레이션 이후에 다수의 랜드와 랜드 커넥트바 사이를 전기적으로 분리하기 위한 별도의 소잉공정을 제거할 수 있으므로, 공정을 간소화할 수 있으며 공정비용 및 시간을 절감하는데 있다.
摘要翻译: 本发明可通过本发明被固定涉及制造半导体器件和它的技术分配的方法是多个电通过向图案化所述引线框架的土地和先前结合的绝缘构件分离焊盘连接要解决巴 ,封装可被移除以一个单独的切割工艺用于与所述多个焊盘之间的电分离一焊盘连接杆后,为了简化工艺,并且是减少处理成本和时间。
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