公开(公告)号：KR101921332B1

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：KR1020110026156

申请日：2011-03-24

申请人： 스태츠 칩팩 피티이. 엘티디.

发明人： 펜세,라젠드라디. ,  김영철 ,  이태근 ,  나귀채 ,  김광진

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H05K3/3452 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13553 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16165 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H05K3/0005 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2201/10734 ,  Y02P70/613 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/81805

摘要： 반도체소자는반도체다이의표면위에형성된복수의범프를갖는반도체다이를갖는다. 상기범프는가용성부및 비가용성부를갖는다. 전도성트레이스가노출된측벽을갖고 SRO + 2*SRR - 2X로정의되는(여기서, SRO는상호접속사이트위의개구, SRR은제조공정을위한레지스트레이션, 및 X는접촉패드의노출된측벽의두께함수) 디자인룰에따라서크기가결정되는상호접속사이트를구비한상태로기판위에형성된다. 이때, 범프는 5-20 마이크론범위인 X의최대거리만큼상호접속사이트와어긋나도록배열된다. 상기범프는범프가상호접속사이트의정상면및 측면을커버하도록상호접속사이트에본딩된다. 그리고, 봉지재가반도체다이및 기판사이의범프주변에증착된다.

公开(公告)号：KR101798657B1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：KR1020110024061

申请日：2011-03-17

申请人： 스태츠 칩팩 피티이. 엘티디.

发明人： 펜세,라젠드라디.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L23/528 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/09133 ,  H01L2224/09135 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/17133 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48158 ,  H01L2224/4816 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 반도체소자는다이패드레이아웃을구비한반도체다이를갖는다. 다이패드레이아웃의신호패드가반도체다이주변근처에주로위치되고, 동력및 접지패드가신호패드로부터내측에주로위치된다. 신호패드는반도체다이에지에일반적으로평행한주변의열 또는주변의어레이에배열된다. 범프가신호패드, 동력패드및 접지패드위에형성된다. 상기범프는가용성부및 비가용성부를가질수 있다. 상호접속사이트를구비한전도성트레이스가기판위에형성된다. 법프는상호접속사이트보다넓다. 범프는상호접속사이트의정상면및 측면을커버하도록상호접속사이트에본딩된다. 봉지재가반도체다이및 기판사이의범프주위에증착된다.

公开(公告)号：KR101785729B1

公开(公告)日：2017-11-06

申请号：KR1020110024060

申请日：2011-03-17

申请人： 스태츠 칩팩 피티이. 엘티디.

发明人： 펜세,라젠드라디.

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H05K3/325 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 반도체소자는다이활성표면위에형성된다수범프또는상호접속구조체를구비한반도체다이를갖는다. 상기범프는전도성필라및 그위에형성된범프와같은가용성부및 비-가용성부를가질수 있다. 상호접속사이트를구비한다수전도성트레이스가기판위에형성된다. 범프는상호접속사이트보다넓다. 마스킹층이상호접속사이트로부터떨어진기판영역위에형성된다. 범프는압력또는리플로우온도하에서상호접속사이트에본딩되어범프가상호접속사이트의정상면및 측면을커버한다. 봉지재가다이및 기판사이의범프주위에증착된다. 마스킹층이댐을형성하여봉지재가반도체다이를넘어연장되는것을차단한다. 돌기가상호접속사이트또는범프위에형성될수 있다.

公开(公告)号：KR101765473B1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：KR1020100058627

申请日：2010-06-21

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 조윤래 ,  이영민

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/296 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3641 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 신뢰성이개선된인쇄회로기판및 이를포함하는반도체패키지가제공된다. 이를위해본 발명은, 제 1 반도체칩 및제 1 반도체칩 상에적층된제 2 반도체칩을탑재하는베이스기판, 베이스기판과제 1 반도체칩 사이에형성된솔더레지스트층, 및솔더레지스트층 내에형성된제 1 리세스부를포함하고, 제 2 반도체칩은제 1 반도체칩으로부터돌출된적어도하나의단부를포함하며, 제 1 리세스부는적어도하나의단부와대응되는위치의솔더레지스트층 내에형성된것을특징으로하는인쇄회로기판및 이를포함하는반도체패키지를제공한다.

摘要翻译： 提供了具有改进的可靠性的印刷电路板以及包括该印刷电路板的半导体封装。 本发明实现这一点，形成在用于安装堆叠的第二半导体芯片，阻焊基底基板任务第一半导体芯片之间形成的层在基底基板上的第一半导体芯片mitje第一半导体芯片的第一，和阻焊层1栗 包括凹槽，并且所述第二半导体芯片具有第一和包括从所述半导体芯片伸出的至少一个端部，印刷第一凹部，其特征在于所述至少一个形成在所述焊料中的位置对应于所述端电路抗蚀剂层 提供衬底和包括该衬底的半导体封装。

公开(公告)号：KR1020170057229A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：KR1020177003375

申请日：2015-08-28

申请人： 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤

发明人： 이노우에스스무 ,  아키야마켄타로 ,  후지마가리준이치로 ,  이시카와케이타 ,  오기준 ,  타가와유키오 ,  나카무라타쿠야 ,  와키야마사토루

IPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H04N5/225

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L27/14 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H04N5/369 ,  H01L2924/00

摘要： 본기술은간이한수법에의해기판과플립칩을전기적으로접속하는부위에충전하는언더필수지가비어져나오는것을방지함과함께, 전기적인쇼트나가공설비에의접촉이라는 2차적인피해를방지할수 있도록하는고체촬상소자, 촬상장치, 전자기기및 반도체장치에관한것이다. 온칩 렌즈를형성할때의성형기술을이용하여, 고체촬상소자의기판의상층에마련된온 칩렌즈를형성하기위해마련된렌즈재질층중, 플립칩이솔더범프를통하여접속되는범위를링형상, 또는사각형상으로둘러싸는댐을형성시킨다. 이에의해기판과플립칩이전기적으로접속되는범위에충전되는언더필수지를둑으로막는다. 본기술은고체촬상소자에적용할수 있다.

摘要翻译： 所述技术是防止二次损害，电气短路或防止加工设备的简单接触的出来填充在区域用于通过电方法在基板和倒装芯片连接调节垃圾底部填充树脂的 一种图像拾取装置，电子装置和半导体装置。 使用模制技术用于形成片上透镜，设置在透镜材料层的范围内，以在所述固态成像元件的基片的上层设置片上透镜，倒装芯片经由焊料凸块连接的环状，或 坝体形成矩形形状。 其结果是所需的坝块如果待填充的下范围，其电连接到所述基板和所述倒装芯片。 该技术可以应用于固态图像拾取装置。

公开(公告)号：KR101677322B1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：KR1020140045168

申请日：2014-04-16

申请人： 주식회사 디비하이텍

发明人： 김준일 ,  김성진 ,  김학모

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/367 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/3737 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/5387 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 반도체패키지및 이의제조방법이개시된다. 상기반도체패키지는신호라인들이형성된플렉서블기판상에골드범프들또는솔더범프들을통해상기신호라인들과연결되도록본딩된반도체소자와, 상기반도체소자및 상기반도체소자와인접하는상기플렉서블기판의상부면일부상에형성된방열층을포함한다. 상기방열층은방열도료의도포및 경화를통해형성되며, 상기방열도료는에피클로로하이드린비스페놀 A 수지, 변성에폭시수지, 경화제, 경화촉진제및 방열충전제를포함한다.

公开(公告)号：KR1020150119613A

公开(公告)日：2015-10-26

申请号：KR1020140045168

申请日：2014-04-16

申请人： 주식회사 디비하이텍

发明人： 김준일 ,  김성진 ,  김학모

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/367 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/3737 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/5387 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/367 ,  H01L23/5386

摘要： 반도체패키지및 이의제조방법이개시된다. 상기반도체패키지는신호라인들이형성된플렉서블기판상에골드범프들또는솔더범프들을통해상기신호라인들과연결되도록본딩된반도체소자와, 상기반도체소자및 상기반도체소자와인접하는상기플렉서블기판의상부면일부상에형성된방열층을포함한다. 상기방열층은방열도료의도포및 경화를통해형성되며, 상기방열도료는에피클로로하이드린비스페놀 A 수지, 변성에폭시수지, 경화제, 경화촉진제및 방열충진제를포함한다.

摘要翻译： 公开了半导体封装及其制造方法。 半导体封装包括：通过在其上形成有信号线的柔性基板上的金凸块或焊料凸块连接到信号线的键合半导体器件; 以及形成在所述半导体器件上的散热层和与所述半导体器件相邻的所述柔性基板的上表面的一部分。 散热层通过涂敷和硬化散热涂料而形成。 散热涂料包括表氯醇visphenol A树脂，改性环氧树脂，硬化剂，硬化催化剂和散热填料。

公开(公告)号：KR1020150025831A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：KR1020130103897

申请日：2013-08-30

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 박옥경

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 이미지 센서 칩 패키지 및 이를 구비하는 이미지 센서 모듈에 있어서, 압착에 의한 액적 퍼짐(liquid drop diffusion)을 방지하는 형상 변형부를 구비하는 회로기판, 중앙부가 상기 형상 변형부 상에 위치하고 상기 형상 변형부를 덮도록 상기 회로기판 상에 배치되는 이미지 센서 칩, 및 상기 형상 변형부의 상면 및 주변부에서 상기 이미지 센서 칩과 상기 회로기판 사이에 배치되고 상기 이미지 센서 칩과의 접착 면적이 상기 이미지 센서 칩의 표면적보다 작도록 배치되는 접착부재를 포함한다. 접착부재와 이미지 센서 칩의 접착위치 및 접착면적을 일정하게 유지하여 이미지 센서 칩 패키지의 휨 특성을 개선할 수 있다.

摘要翻译： 提供了一种图像传感器芯片封装和具有该图像传感器芯片封装的图像传感器模块。 图像传感器芯片封装包括：电路基板，包括防止压力液滴扩散的形状变形部分;图像传感器芯片，其具有位于形状变形部分上的中心部分，并且布置在电路基板上以覆盖形状 变形部分 以及配置在图像传感器芯片和形状变形部的上侧和周边部分的电路基板之间的接合部件，并且允许与图像传感器芯片的接合面积小于图像的表面积 传感器芯片。 通过保持接合部件和图像传感器芯片的接合位置和接合面积，可以提高图像传感器芯片封装的翘曲性。

公开(公告)号：KR101481577B1

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：KR20080095519

申请日：2008-09-29

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049

摘要： 언더필 물질의 블리딩을 방지하는 댐을 잉크 젯방식을 형성한 반도체패키지 및 그 제조방법을 개시한다. 기판은 일면상에 칩 실장부 및 상기 칩 실장부의 외곽부에 배열되며 다수의 패드들이 배열되는 패드 형성부를 구비한다. 제1반도체 칩이 상기 칩 실장부에 대응하여 상기 기판상에 배열된다. 댐이 상기 제1반도체 칩과 상기 패드 형성부사이에 배열되어, 상기 다수의 패드들중 적어도 일부분들을 상기 제1반도체 칩으로부터 분리시켜 준다. 언더 필 물질이 상기 제1반도체 칩의 적어도 활성면을 덮어준다. 상기 댐의 상면은 표면장력에 의해 라운딩진다.

公开(公告)号：KR101450727B1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：KR1020110044011

申请日：2011-05-11

申请人： 주식회사 엘지화학

发明人： 최병주 ,  정우재 ,  최보윤 ,  이광주 ,  정민수

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/09909 ,  H05K2201/10977 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 본 발명은 검출력이 우수한 언더 필용 댐에 관한 것으로, 기판과 칩 소자 사이에 채워 넣는 언더 필의 누출을 방지하기 위해 칩 소자 주위에 울타리 형태로 형성되는 댐에 있어서, 댐이 드라이 필름 타입의 솔더 레지스트로 이루어진 것을 특징으로 하는 언더 필용 댐을 제공한다.