公开(公告)号：KR101909522B1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：KR1020177006440

申请日：2015-06-01

申请人： 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.

发明人： 박,지,훈 ,  알샤리프,후삼,엔. ,  오데,이햅,엔.

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159 ,  H01L49/02 ,  H01L29/51 ,  C09D127/16 ,  H01L21/324 ,  C08L33/12 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L27/11507 ,  C09D127/16 ,  C23C16/00 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02282 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L29/516 ,  H01L51/052 ,  C08L33/12 ,  C08L25/06 ,  C08L71/12

摘要： 본발명의강유전체히스테리시스특성을갖는강유전체막을제조하는방법은, (a) 용매및 상기용매에용해된유기적강유전체폴리머를포함하는조성물을수득하는단계; (b) 상기조성물을 75 ℃초과내지상기용매의끓는점이하의온도로가열하는단계; (c) 상기가열한조성물을기판상에증착하는단계; (d) 상기가열한조성물을어닐링하여강유전체히스테리시스특성을가지며, 두께가 400nm 이하인강유전체막을제조하는단계;를포함한다.

公开(公告)号：KR101810545B1

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：KR1020177009065

申请日：2015-06-04

申请人： 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.

发明人： 박,지훈 ,  알샤리프,후삼,엔. ,  오데,이햅,엔. ,  칸,모드,에이.

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L27/1159 ,  C09D127/16 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/321 ,  H01L21/324 ,  H01L27/11507 ,  H01L29/516 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L37/02 ,  H01L37/025 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/193 ,  H01L41/317 ,  H01L41/45

摘要： [0099] 본발명은강유전체장치의제조방법을기재한다. 방법은적층물을형성하기위해 2개의전도성물질사이에유기중합체강유전체층을위치시키는단계를포함한다. 상기적층물은 2-단계열처리공정을거칠수 있다. 제 1 열처리단계는유기중합체강유전성전구체를강유전성히스테리시스특성을갖는강유전성물질로변환시키고, 제 2 열처리단계는상기강유전성물질을치밀화하여강유전체장치를제조한다. 박막강유전체장치는박막강유전체커패시터, 박막강유전체트랜지스터, 또는박막강유전체다이오드를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170034435A

公开(公告)日：2017-03-28

申请号：KR1020177006440

申请日：2015-06-01

申请人： 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.

发明人： 박,지,훈 ,  알샤리프,후삼,엔. ,  오데,이햅,엔.

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159 ,  H01L49/02 ,  H01L29/51 ,  C09D127/16 ,  H01L21/324 ,  C08L33/12 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L27/11507 ,  C09D127/16 ,  C23C16/00 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02282 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L29/516 ,  H01L51/052 ,  C08L33/12 ,  C08L25/06 ,  C08L71/12

摘要： 본발명의강유전체히스테리시스특성을갖는강유전체막을제조하는방법은, (a) 용매및 상기용매에용해된유기적강유전체폴리머를포함하는조성물을수득하는단계; (b) 상기조성물을 75 ℃초과내지상기용매의끓는점이하의온도로가열하는단계; (c) 상기가열한조성물을기판상에증착하는단계; (d) 상기가열한조성물을어닐링하여강유전체히스테리시스특성을가지며, 두께가 400nm 이하인강유전체막을제조하는단계;를포함한다.

摘要翻译： 制造本发明的具有铁电滞后特性的铁电薄膜的方法包括以下步骤：（a）获得包含溶剂和溶解在溶剂中的有机铁电聚合物的组合物; （b）将组合物加热至高于约75℃的温度至低于溶剂沸点的温度; （c）将加热的组合物沉积在基底上; （d）将加热后的组合物退火，以产生具有铁电滞后特性和400nm或更小的厚度的铁电薄膜。

公开(公告)号：KR1020170041919A

公开(公告)日：2017-04-17

申请号：KR1020177009065

申请日：2015-06-04

申请人： 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.

发明人： 박,지훈 ,  알샤리프,후삼,엔. ,  오데,이햅,엔. ,  칸,모드,에이.

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L27/1159 ,  C09D127/16 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/321 ,  H01L21/324 ,  H01L27/11507 ,  H01L29/516 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L37/02 ,  H01L37/025 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/193 ,  H01L41/317 ,  H01L41/45 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/32056

摘要： [0099] 본발명은강유전체장치의제조방법을기재한다. 방법은적층물을형성하기위해 2개의전도성물질사이에유기중합체강유전체층을위치시키는단계를포함한다. 상기적층물은 2-단계열처리공정을거칠수 있다. 제 1 열처리단계는유기중합체강유전성전구체를강유전성히스테리시스특성을갖는강유전성물질로변환시키고, 제 2 열처리단계는상기강유전성물질을치밀화하여강유전체장치를제조한다. 박막강유전체장치는박막강유전체커패시터, 박막강유전체트랜지스터, 또는박막강유전체다이오드를포함할수 있다.

摘要翻译： 本发明描述了一种制造铁电器件的方法。 该方法包括在两种导电材料之间放置有机聚合物铁电层以形成层压体。 层压板可以经历两步热处理工艺。 第一热处理工序中的有机聚合物铁电前体转换成具有强电介质迟滞特性的铁电体材料，第二热处理步骤是制备铁电体器件致密化的铁电材料。 薄膜铁电体器件可以包括薄膜铁电体电容器，薄膜铁电体晶体管或薄膜铁电体二极管。

公开(公告)号：KR1020160148719A

公开(公告)日：2016-12-26

申请号：KR1020167034979

申请日：2015-06-03

申请人： 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.

发明人： 박,지,훈 ,  알샤리프,후삼,엔. ,  칸,모드.에이 ,  오데,이햅,엔.

IPC分类号： G11C11/22 ,  G11C11/56 ,  H01L43/08

CPC分类号： G11C11/2275 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2277 ,  G11C11/5657 ,  H01L27/11509 ,  H01L27/20 ,  H01L43/08

摘要： 상술한강유전체전계효과트랜지스터 (ferroelectric field effect transistor, FeFET), 강유전체컨덴서및 강유전체다이오드와같은강유전체성분은본 발명에에서설명한바와같이멀티-레벨메모리셀로서작동될수있다. 각각의멀티-레벨메모리셀에다중비트의정보를저장하는것은강유전체메모리셀들로구성된강유전체성분들의어레이에결합된컨트롤러에의해수행될수 있다. 컨트롤러는강유전체층을포함하는멀티-레벨메모리셀에기록하기위한비트패턴을수신하는단계; 상기수신된비트패턴의적어도일부분에기초하여상기메모리셀에기록펄스를인가하기위한펄스지속시간을선택하는단계;및상기선택된펄스시간을갖는메모리셀에적어도하나의기록펄스를인가하는단계, 이때 상기적어도하나의기록펄스는상기수신된비트패턴을나타내는상기강유전체층 내에잔류분극을생성하는, 단계를포함하여실행한다.

摘要翻译： 诸如铁电场效应晶体管（FeFET），铁电电容器和铁电二极管的铁电元件可以作为如本发明所述的多电平存储器单元来操作。 在每个多级存储器单元中存储多个位的信息可以由耦合到被配置为铁电存储单元的铁电元件阵列的控制器来执行。 控制器可以执行以下步骤：接收用于写入到包括铁电层的多层存储单元的位模式; 至少部分地基于所接收的位模式，选择用于将写入脉冲施加到存储器单元的脉冲持续时间; 以及向具有所选择的脉冲持续时间的存储单元施加至少一个写入脉冲，其中所述至少一个写入脉冲在所述铁电层内产生代表所接收的位模式的剩余极化。