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公开(公告)号：KR1020170137952A
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020177034770
申请日：2012-12-13
CPC分类号： C23C14/34 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01J37/3435 , H01J37/3441
摘要： 일부실시예들에서, 기판프로세싱장치는, 챔버본체; 챔버본체정상부에배치된덮개; 덮개에커플링되고, 기판상에증착될물질로구성된타겟을포함하는타겟조립체; 타겟의외측에지주변에배치된내측벽을갖는환형암공간쉴드; 암공간쉴드의외측에지에인접하여배치된밀봉링; 및지지부재를포함할수 있고, 지지부재는지지부재의외측단부부근에서덮개에커플링되고, 밀봉링과환형암공간쉴드를지지하도록방사상내측으로연장되며, 지지부재와밀봉링 그리고밀봉링과타겟조립체사이에시일이형성되도록, 덮개에커플링될때 충분한압축을제공한다.
摘要翻译： 在一些实施例中，衬底处理设备包括腔室主体; 设置在腔体顶部的盖子; 靶组件，所述靶组件联接到所述盖并且包括被配置为沉积在基底上的靶; 环形臂空间防护罩，其具有围绕靶的外边缘设置的内壁; 密封环，其设置在臂空间防护罩的外边缘附近; 并且它可以是一个支撑构件，所述支撑构件被联接到所述盖中bujaeui外端支撑件的附近，并沿径向向内延伸，以支持与所述环形臂空间屏蔽，所述支撑构件和所述密封环和密封环与所述靶组件的密封环 当连接到盖子时提供足够的压缩，从而在它们之间形成密封。
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公开(公告)号：KR1020140001203A
公开(公告)日：2014-01-06
申请号：KR1020137009682
申请日：2011-09-06
发明人： 브라운,칼 , 리치,앨런 , 피피톤,존 , 루이,잉 , 호프만,다니엘제이.
CPC分类号： C23C14/046 , C23C14/185 , C23C14/3492
摘要： 고 종횡비 피쳐들로 금속을 증착하는 방법이 본 명세서에 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판을 처리하는 방법은 플라즈마-형성 가스로부터 플라즈마를 형성하기 위해 PVD 챔버에서 기판 위에 배치되는 금속을 포함하는 타겟에 VHF 주파수로 RF 전력을 인가하는 단계, 스퍼터링된 금속 원자들의 주된(predominant) 부분을 이온화하기에 충분한 PVD 챔버에서의 제 1 압력을 유지하면서 플라즈마를 이용하여 타겟으로부터 금속 원자들을 스퍼터링하는 단계, 이온화된 금속 원자들을 개구의 하면 및 기판의 제 1 면 상에 증착하는 단계, 증착된 금속 원자들의 적어도 일부를 하면 및 상면으로부터 개구의 측벽들로 재분배하기 위해 제 1 RF 전력을 인가하는 단계, 및 금속의 제 1 층이 개구의 실질적으로 모든 면들 상에 증착될 때까지, 증착 및 재분배 공정들을 반복하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170137227A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：KR1020177035019
申请日：2011-03-31
CPC分类号： H01J37/3405 , H01J37/3455
摘要： 본발명의실시예들은기판들의물리적기상증착(PVD) 프로세싱을위한개선된방법들과장치를제공한다. 몇몇실시예들에서, 물리적기상증착(PVD)을위한장치는, 기판상에증착될소스물질을포함하고있는타겟, 상기타겟의배면에대향하여배치되고상기타겟의주연에지를따라상기타겟에전기적으로커플링된대향소스분배판, 및상기타겟의배면과상기소스분배판사이에배치된공동을가진타겟조립체; 상기타겟의중심축과일치하는지점에서상기소스분배판에커플링되는전극; 및상기타겟조립체의중심축과정렬된회전축을갖고상기공동내부에배치된회전가능한마그넷을포함하며상기전극을통해구동되지않는마그네트론조립체를포함할수 있다.
摘要翻译： 本发明的实施例提供用于衬底的物理气相沉积（PVD）处理的改进的方法和装置。 在一些实施例中，用于物理气相沉积（PVD）的设备包括包含待沉积在衬底上的源材料的靶，靶与靶的背面相对设置并且沿着靶的外围边缘电耦合到靶。 目标组件，其具有耦合到所述源分配板的相对源分配板和布置在所述目标的背侧和所述源分配板之间的空腔; 在与目标的中心轴重合的位置处耦合到源分配板的电极; 并且磁控管组件包括设置在腔内并具有与靶组件的中心轴线对齐的旋转轴线的可旋转磁体，其中磁控管组件不被驱动穿过电极。
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公开(公告)号：KR101760846B1
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020157035454
申请日：2011-07-21
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , C23C14/04 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C16/503 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/76898 , C23C14/046 , C23C14/34 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/354 , C23C16/503 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/3408 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873
摘要： 기판상에형성된고 종횡비피처들에서금속을증착하는방법들이본 명세서에제공된다. 일부실시형태들에있어서, 방법은 VHF 주파수에서의제 1 RF 전력을, 기판상부에배치된금속을포함하는타깃에인가하여플라즈마를형성하는단계; DC 전력을타깃에인가하여플라즈마를타깃을향해지향시키는단계; 플라즈마를이용하여타깃으로부터금속원자들을스퍼터링하면서금속원자들의지배적인부분을이온화하기에충분한압력을 PVD 챔버에서유지하는단계; 개구의바닥표면상에및 기판의제 1 면상에제 1 복수의금속원자들을증착하는단계; 제 2 RF 전력을인가하여, 제 1 복수의금속원자들중 적어도일부를바닥표면으로부터개구의측벽들의하위부로재분배하는단계; 및 PVD 챔버에서의이온화된금속원자들의양을감소시킴으로써측벽들의상위부상에제 2 복수의금속원자들을증착하는단계를포함하고, 여기서, 제 1 및제 2 복수의금속원자들은개구의실질적으로모든면들상에증착된제 1 층을형성한다.
摘要翻译： 本文提供了在衬底上形成的高纵横比特征上沉积金属的方法。 在一些实施方案中，该方法包括：形成通过施加包括被布置为如权利要求1点的RF功率eseoui VHF频率，在所述衬底上的金属的靶的等离子体的工序; 向目标提供直流电以将等离子引向目标; 保持PVD室中的压力足以使金属原子的主要部分电离，同时使用等离子体溅射来自靶的金属原子; 在开口的底表面上和衬底的第一侧上沉积第一多个金属原子; 该方法包括：施加第二RF功率和重新分配所述第一多个金属原子如从底表面的开口的下侧壁的一部分的至少一个; 并通过减少eseoui PVD腔室，离子化金属原子的量沉积第二多个在侧壁的上部的金属原子，其中，所有表面1和mitje第二多个金属原子基本上不含孔的 L 1，...，L 1，...，L 1。
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公开(公告)号：KR1020160003299A
公开(公告)日：2016-01-08
申请号：KR1020157035454
申请日：2011-07-21
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , C23C14/04 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C16/503 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/76898 , C23C14/046 , C23C14/34 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/354 , C23C16/503 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/3408 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873
摘要： 기판상에형성된고 종횡비피처들에서금속을증착하는방법들이본 명세서에제공된다. 일부실시형태들에있어서, 방법은 VHF 주파수에서의제 1 RF 전력을, 기판상부에배치된금속을포함하는타깃에인가하여플라즈마를형성하는단계; DC 전력을타깃에인가하여플라즈마를타깃을향해지향시키는단계; 플라즈마를이용하여타깃으로부터금속원자들을스퍼터링하면서금속원자들의지배적인부분을이온화하기에충분한압력을 PVD 챔버에서유지하는단계; 개구의바닥표면상에및 기판의제 1 면상에제 1 복수의금속원자들을증착하는단계; 제 2 RF 전력을인가하여, 제 1 복수의금속원자들중 적어도일부를바닥표면으로부터개구의측벽들의하위부로재분배하는단계; 및 PVD 챔버에서의이온화된금속원자들의양을감소시킴으로써측벽들의상위부상에제 2 복수의금속원자들을증착하는단계를포함하고, 여기서, 제 1 및제 2 복수의금속원자들은개구의실질적으로모든면들상에증착된제 1 층을형성한다.
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公开(公告)号：KR1020140108277A
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020147019512
申请日：2012-12-13
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/34 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01J37/3435 , H01J37/3441
摘要： 일부 실시예들에서, 기판 프로세싱 장치는, 챔버 본체; 상기 챔버 본체 상단에 배치된 덮개; 상기 덮개에 커플링되고, 기판 상에 증착될 물질로 구성된 타겟을 포함하는 타겟 조립체; 상기 타겟의 외측 에지 주변에 배치된 내벽을 가진 환형 암공간 쉴드; 상기 암공간 쉴드의 외측 에지에 인접하여 배치된 밀봉 링; 및 상기 덮개에 외측 단부 부근에서 커플링되는 지지 부재로서, 상기 밀봉 링과 상기 환형 암공간 쉴드를 지지하도록 방사상 내측으로 연장하며, 상기 지지 부재와 상기 밀봉 링 그리고 상기 밀봉 링과 상기 타겟 조립체 사이에 시일이 형성되도록, 상기 덮개에 커플링될 때 충분한 압축을 제공하는 상기 지지 부재를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130100061A
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：KR1020127031075
申请日：2011-03-31
CPC分类号： H01J37/3405 , H01J37/3455
摘要： 본 발명의 실시예들은 기판들을 물리기상증착(PVD) 프로세싱하기 위한 개선된 방법들과 장치를 제공한다. 몇몇 실시예들에서, 물리기상증착(PVD) 장치는, 기판 상에 증착될 소스 물질을 포함하고 있는 타겟, 상기 타겟의 배면에 대향하여 배치되고 상기 타겟의 주연 에지를 따라 상기 타겟에 전기적으로 커플링된 대향 소스 분배판 및 상기 타겟의 배면과 상기 소스 분배판 사이에 배치된 공동을 가진 타겟 조립체; 상기 타겟의 중심축선과 일치하는 지점에서 상기 소스 분배판에 커플링되는 전극; 및 상기 타겟 조립체의 중심축선과 정렬된 회전축선을 갖고 상기 공동 내부에 배치된 회전가능한 마그넷을 포함하고 상기 전극을 통해 구동되지 않는 마그네트론 조립체를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130093612A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020137005016
申请日：2011-07-21
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76898 , C23C14/046 , C23C14/34 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/354 , C23C16/503 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/3408 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/203 , H01L21/02266 , H01L21/28
摘要： 기판 상에 형성된 고 애스팩트비 피처들에서 금속을 증착하는 방법들이 본 명세서에 제공된다. 일부 실시형태들에 있어서, 방법은 VHF 주파수에서의 제 1 RF 전력을, 기판 상부에 배치된 금속을 포함하는 타깃에 인가하여 플라즈마를 형성하는 단계; DC 전력을 타깃에 인가하여 플라즈마를 타깃을 향해 지향시키는 단계; 플라즈마를 이용하여 타깃으로부터 금속 원자들을 스퍼터링하면서 금속 원자들의 주요부를 이온화하기에 충분한 압력을 PVD 챔버에서 유지하는 단계; 개구의 저부면 상에 및 기판의 제 1 면 상에 제 1 복수의 금속 원자들을 증착하는 단계; 제 2 RF 전력을 인가하여, 제 1 복수의 금속 원자들 중 적어도 일부를 저부면으로부터 개구의 측벽들의 하위부로 재분배하는 단계; 및 PVD 챔버에서의 이온화된 금속 원자들의 양을 감소시킴으로써 측벽들의 상위부 상에 제 2 복수의 금속 원자들을 증착하는 단계를 포함하고, 여기서, 제 1 및 제 2 복수의 금속 원자들은 개구의 실질적으로 모든 면들 상에 증착된 제 1 층을 형성한다.
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