公开(公告)号：KR102205849B1

公开(公告)日：2021-01-21

申请号：KR1020130149059

申请日：2013-12-03

申请人： 주식회사 동진쎄미켐

发明人： 장유진 ,  이상향 ,  이창수 ,  김재현

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/09 ,  C07C381/12 ,  C09D7/12 ,  C08F16/26

摘要： 개선된포토레지스트조성물을이용하여패턴형성을용이하게할 수있는포토레지스트조성물및 이를이용한미세패턴형성방법이개시된다. 상기포토레지스트조성물은, 하기화학식 1로표시되는단량체를포함하는감광성고분자화합물, 광산발생제, 산확산조절제및 유기용매를포함한다. [화학식 1] JPEG112013110539940-pat00300.jpg3523 상기화학식 1에서, R1은산소(O) 원자및/또는질소(N) 원자등을 1 내지 10개포함하거나포함하지않는탄소수 1 내지 45의선형, 가지형및/또는고리형탄화수소기이고, R2는불소(F) 원자및 산소원자 1 내지 20개를포함하거나포함하지않는탄소수 1 내지 20의선형, 가지형및/또는고리형탄화수소기이고, R7은수소(H) 원자이거나, 할로겐원자 1 내지 7개를포함하거나포함하지않는탄소수 1 내지 5의탄화수소기이며, a는설포닐기(-SO2-) 및 R2를포함하는반복단위의개수로서, 1 또는 2이다.

公开(公告)号：KR101832320B1

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：KR1020110029044

申请日：2011-03-30

申请人： 주식회사 동진쎄미켐

发明人： 이정열 ,  장유진 ,  이재우 ,  김재현

IPC分类号： G03F7/004 ,  H01L21/027

摘要： 본발명은미세패턴형성을위한코팅막(보호막)을포토레지스트패턴표면에형성시킬수 있는포토레지스트패턴코팅용조성물을개시한다. 상기포토레지스트패턴코팅용조성물은청구항 1의화학식 1로표시되는화합물, 청구항 1의화학식 2로표시되는화합물및 이들의혼합물로이루어진군으로부터선택되는질소기를포함하는단분자화합물; 및용매를포함한다. 화학식 1 및 2에서, R내지 R은수소원자또는탄소수 1 내지 3의알킬기이고, R은수소원자또는수산화기로치환또는비치환된탄소수 1 내지 5의알킬기이며, m은 1 내지 2의정수이고, n은 1 내지 3의정수이다. 여기서, m 및 n이 2 이상일경우, 각각의 m 반복단위및 n 반복단위에포함되는 R, R, R및 R은각각동일하거나독립적일수 있으며, R및 R은서로연결되어고리를형성할수 있다.

公开(公告)号：KR101685903B1

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：KR1020100052747

申请日：2010-06-04

申请人： 주식회사 동진쎄미켐

发明人： 이준경 ,  장유진 ,  한동우 ,  김정식 ,  이정열 ,  이재우 ,  김덕배 ,  김재현

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0271 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/2051 ,  G03F7/40

摘要： 노광마스크없이단순노광에의하여 2차포토레지스트패턴을형성할수 있는이중노광패터닝공정을이용한, 반도체소자의미세패턴형성방법이개시된다. 상기반도체소자의미세패턴형성방법은, 피식각층이형성된반도체기판상에제1 포토레지스트패턴을형성하는단계; 상기제1 포토레지스트패턴을 110 내지 220℃로가열(하드닝베이크)하여층간거울막을형성하는단계; 상기결과물상에제2 포토레지스트막을형성하는단계; 및상기제2 포토레지스트막에노광마스크없이제2 포토레지스트막의문턱에너지(Threshold Energy; E)보다낮은값의에너지를갖는광(저에너지광)으로노광및 현상공정을수행하여, 상기제1 포토레지스트패턴사이에층간거울막의난반사에의한제2 포토레지스트패턴을형성하는단계를포함한다.

摘要翻译： 本发明涉及一种在半导体器件中形成微细图案的方法，该方法使用能够通过简单曝光形成第二光致抗蚀剂图案的双曝光图案形成工艺，而不使用曝光掩模。 在半导体器件中形成精细图案的方法包括：在其上形成有待蚀刻层的半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂图案; 将第一光致抗蚀剂图案在110至220摄氏度下加热（烘烤硬化）以形成层间镜膜; 在所得物上形成第二光致抗蚀剂膜; 并且在不使用曝光掩模的情况下对第二光致抗蚀剂膜进行曝光和显影处理，但是使用具有低于第二光致抗蚀剂膜的阈值能量（Eth）的能量值的光（低能量光），从而在第二光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案 第一光致抗蚀剂图案通过层间反射膜的漫反射。

公开(公告)号：KR1020120110879A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：KR1020110029044

申请日：2011-03-30

申请人： 주식회사 동진쎄미켐

发明人： 이정열 ,  장유진 ,  이재우 ,  김재현

IPC分类号： G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0047 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0271

摘要： PURPOSE: A composition for coating photo-sensitive patterns is provided to prevent the generation of voids by effective coating in high aspect ratio pattern. CONSTITUTION: A composition for coating photo-sensitive patterns includes a solvent and a monomer containing a nitrogen group. The monomer containing a nitrogen group is selected from a group including a compound represented by chemical formula 1, a compound represented by chemical formula 2, and the mixture of the same. In chemical formulas 1 and 2, R1 to R6 are hydrogen atoms or C1-3 alkyl groups; R7 is a C1-6 alkyl group substituted or non-substituted with a hydrogen atom or a hydroxyl group; m is the integer of 1 to 2; n is the integer of 1 to 3; R1, R2, R6, and R7 in repeating units are identical or different if m and n are 2 or more; and R6 and R7 are connected to enable to form a ring.

摘要翻译： 目的：提供用于涂覆感光图案的组合物，以通过以高纵横比图案有效涂覆来防止空隙的产生。 构成：用于涂布光敏图案的组合物包括溶剂和含有氮基团的单体。 含氮基团的单体选自由化学式1表示的化合物，由化学式2表示的化合物及其混合物组成的组。 在化学式1和2中，R 1至R 6为氢原子或C 1-3烷基; R7是被氢原子或羟基取代或未取代的C1-6烷基; m为1〜2的整数; n为1〜3的整数; 如果m和n为2以上，则重复单元的R 1，R 2，R 6和R 7相同或不同; R6和R7连接成能形成环。

公开(公告)号：KR1020120110301A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：KR1020110028074

申请日：2011-03-29

申请人： 주식회사 동진쎄미켐

发明人： 장유진 ,  이정열 ,  이재우 ,  김재현

IPC分类号： G03F7/42 ,  C11D3/30 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/425 ,  C11D3/30 ,  G03F7/405 ,  G03F7/426 ,  G03F7/70916 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274

摘要： PURPOSE: A composition for washing photoresist patterns and forming a protective film is provided to improve line edge roughness and line width roughness of the patterns. CONSTITUTION: A composition for washing photoresist patterns and forming a protective film includes a cross-linking agent represented by chemical formula 1, an acid catalyst, a surfactant, and a solvent. In chemical formula 1, R1 is a C1-15 linear or cyclic aromatic or aliphatic hydrocarbon group with 0 to 5 hetero atoms; and n is an integer from 2 to 6. The content of the cross-linking agent is in a range between 0.1 and 10 weight%. The content of the acid catalyst is in a range between 0.01 and 10 weight%. The content of the surfactant is in a range between 0.01 and 5 weight%. The acid catalyst is selected from a group including acid catalysts represented by chemical formulas 2 to 7 and a mixture of the same.

摘要翻译： 目的：提供用于洗涤光致抗蚀剂图案和形成保护膜的组合物，以改善图案的线边缘粗糙度和线宽粗糙度。 构成：用于洗涤光致抗蚀剂图案和形成保护膜的组合物包括由化学式1表示的交联剂，酸催化剂，表面活性剂和溶剂。 在化学式1中，R1是具有0至5个杂原子的C1-15直链或环状芳族或脂族烃基; n为2〜6的整数。交联剂的含量为0.1〜10重量％。 酸催化剂的含量为0.01〜10重量％。 表面活性剂的含量为0.01〜5重量％。 酸催化剂选自由化学式2至7表示的酸催化剂及其混合物的组。

公开(公告)号：KR1020100131377A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：KR1020100052747

申请日：2010-06-04

申请人： 주식회사 동진쎄미켐

发明人： 이준경 ,  장유진 ,  한동우 ,  김정식 ,  이정열 ,  이재우 ,  김덕배 ,  김재현

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0271 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/2051 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2022

摘要： PURPOSE: A method for forming a fine pattern in a semiconductor device is provided to reduce manufacturing costs by forming a second photoresist pattern through a simple exposure without an exposure mask. CONSTITUTION: A first photoresist pattern(17) is formed on a semiconductor substrate(11). An inter-layer mirror film(21) is formed by heating a first photoresist pattern under 110-220°C. A second photoresist film(31) is formed on outcome. The exposure and development process are performed on the second photoresist film without an exposure mask. A second photoresist pattern(33) is formed between the first photoresist patterns.

摘要翻译： 目的：提供一种用于在半导体器件中形成精细图案的方法，以通过在没有曝光掩模的情况下通过简单的曝光形成第二光致抗蚀剂图案来降低制造成本。 构成：在半导体衬底（11）上形成第一光刻胶图案（17）。 通过在110-220℃下加热第一光致抗蚀剂图案来形成层间镜膜（21）。 在结果上形成第二光致抗蚀剂膜（31）。 曝光和显影处理在没有曝光掩模的第二光致抗蚀剂膜上进行。 在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案（33）。

公开(公告)号：KR1020100102451A

公开(公告)日：2010-09-24

申请号：KR1020090020837

申请日：2009-03-11

申请人： 주식회사 동진쎄미켐

发明人： 이준경 ,  이정열 ,  김정식 ,  장유진 ,  이재우 ,  김덕배 ,  김재현

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0273 ,  G03F7/2051 ,  G03F7/70375

摘要： PURPOSE: A method for forming the fine pattern of a semiconductor device is provided to reduce the number of processes by forming the pattern without an organic spacer or an inorganic spacer. CONSTITUTION: A layer to be etched is formed on a semiconductor substrate(11). A first photo-resist pattern(17) is formed on the semiconductor substrate. An interlayer mirror film(21) is formed on the first photo-resist pattern by coating an interlayer mirror film composition. A second photo-resist film is formed on the interlayer mirror film. A second photo-resist pattern is formed between spaces of the first photo-resist pattern by the diffused reflection of the interlayer mirror film.

摘要翻译： 目的：提供一种用于形成半导体器件的精细图案的方法，以通过形成图案而不使用有机间隔物或无机间隔物来减少处理次数。 构成：在半导体衬底（11）上形成待蚀刻的层。 第一光刻胶图案（17）形成在半导体衬底上。 通过涂覆层间镜膜组合物在第一光致抗蚀剂图案上形成层间镜膜（21）。 在层间镜膜上形成第二光致抗蚀剂膜。 通过层间反射膜的漫反射，在第一光致抗蚀剂图案的间隔之间形成第二光刻胶图案。

公开(公告)号：KR1020100062244A

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：KR1020080120734

申请日：2008-12-01

申请人： 주식회사 동진쎄미켐

发明人： 이재우 ,  이준경 ,  장유진 ,  유민자 ,  김정우 ,  김덕배 ,  김재현

IPC分类号： G03F7/027 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046

摘要： PURPOSE: A photosensitive polymer and a photoresist composition including the same are provided to have stability in an immersion lithography process by converting polarity of a photoresist sensitive film into non-polarity and to improve process efficiency by increasing an exposure rate of the immersion lithography process. CONSTITUTION: A photosensitive polymer includes a fluoro group which is marked as a chemical formula 1. In the chemical formula 1, R is hydrogen or methyl and R_1 is linear, branched, monocyclic, or polycyclic hydrocarbon of C1 ~ C30. In the chemical formula 1, n is an integer of 1 ~ 10. The photosensitive polymer includes a repeating unit which is marked as a chemical formula 2a and 2b. In the chemical formulas, R is hydrogen or methyl and * is a bonding site of each repeating unit.

摘要翻译： 目的：提供一种光敏聚合物和包含该光致抗蚀剂的光致抗蚀剂组合物，以通过将光致抗蚀剂敏感膜的极性转换为非极性并通过提高浸渍光刻工艺的曝光率来提高工艺效率来在浸没式光刻工艺中具有稳定性。 构成：光敏聚合物包括标记为化学式1的氟基。在化学式1中，R是氢或甲基，R_1是C1〜C30的直链，支链，单环或多环烃。 在化学式1中，n为1〜10的整数。感光性高分子包含标记为化学式2a，2b的重复单元。 在化学式中，R为氢或甲基，*为每个重复单元的键合位点。

公开(公告)号：KR101873017B1

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：KR1020110008441

申请日：2011-01-27

申请人： 주식회사 동진쎄미켐

发明人： 이재우 ,  김재현 ,  장유진

IPC分类号： G03F7/004 ,  H01L21/027

摘要： 네가티브톤 현상에의해형성된포토레지스트패턴의내에칭성을개선할수 있는네가티브톤 현상용포토레지스트조성물및 이를이용한패턴형성방법이개시된다. 상기네가티브톤 현상용포토레지스트조성물은감광성고분자; 가교경화제; 광산발생제; 염기성산확산조절제; 및용매를포함하고, 상기패턴형성방법은기판에상기네가티브톤 현상용포토레지스트조성물을도포및 가열(소프트베이크)하여포토레지스트막을형성하는단계; 소정의노광마스크및 노광기를사용하여, 상기포토레지스트막을노광후 가열(포스트베이크)하는단계; 네가티브톤 현상액을사용하여, 상기노광된포토레지스트막을현상함으로써포토레지스트패턴을형성하는단계; 및상기포토레지스트패턴을가열(하드닝베이크)하여패턴보호막을형성하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101429454B1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：KR1020080009597

申请日：2008-01-30

申请人： 주식회사 동진쎄미켐

发明人： 이정열 ,  김정식 ,  장유진 ,  이재우 ,  김재현

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： C07C251/68 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  C07C2603/92 ,  C07D209/48 ,  C07D209/86 ,  C07D221/14 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039

摘要： 통상의 포토레지스트용 고분자 보다 작은 크기의 분자 레지스트로서, 노광에 의하여 직접 분해되는 옥심기를 포함하는, 감광성 분자 화합물 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물이 개시된다. 상기 감광성 분자 화합물은 하기 화학식의 구조를 가진다.

상기 화학식 1에서, R
1 은 수소 원자 또는 메틸기(CH
3 )이고; R
a 및 R
b 는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 2 내지 7의 알킬카보닐기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 11의 아릴카보닐기이거나, R
a 및 R
b 는 일체로서 하나의 기(group)를 형성하며, 질소(N)와 이중 결합으로 연결되는 탄소수 1 내지 20의 알킬 또는 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 또는 탄소수 7 내지 20의 아릴알킬기이다.
포토레지스트, 감광성 분자 화합물