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    고분자 필름의 금속 이온 투과도 측정 방법 및 고분자 필름의 금속 이온 투과도 측정 장치
    6.
    发明公开
    고분자 필름의 금속 이온 투과도 측정 방법 및 고분자 필름의 금속 이온 투과도 측정 장치 有权
    用于测量聚合物膜的金属离子渗透性的方法和用于测量聚合物膜的金属离子渗透性的装置

    公开(公告)号：KR1020160093567A

    公开(公告)日：2016-08-08

    申请号：KR1020160011284

    申请日：2016-01-29

    申请人： 주식회사 엘지화학

    发明人： 김정학 ,  김영국 ,  이광주 ,  김희정 ,  김세라 ,  조정호 ,  남승희 ,  한지호

    IPC分类号： G01N27/02 ,  G01N27/04 ,  G01N27/404

    CPC分类号： G01N27/125 ,  G01N27/041 ,  G01N27/14 ,  G01N27/404 ,  G01N27/447

    摘要： 본발명은, 고분자필름의일면을금속이온, 유기용매및 수계용매를포함한전해액과접촉한상태에서 5 내지 250의온도에서상기고분자필름으로전압을가해주는단계; 및상기전압이가해진이후상기고분자필름의시간에따른저항의변화율또는전류의변화율을측정하는단계;를포함하는, 고분자필름의금속이온투과도측정방법및 이의측정에이용되는고분자필름의금속이온투과도측정장치에관한것이다.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于测量聚合物膜的金属离子渗透性的方法和装置。 用于测量聚合物膜的金属离子渗透性的方法包括：使聚合物膜的一个表面与含有金属离子的电解质，有机溶剂和水基溶剂接触的步骤，然后将电压施加到 聚合物膜在5至250度的温度下; 以及在施加电压之后测量聚合物膜随时间的电阻或电流的变化率的步骤。

    반도체 웨이퍼 다이싱 필름, 및 다이싱 다이본딩 필름
    8.
    发明授权
    반도체 웨이퍼 다이싱 필름, 및 다이싱 다이본딩 필름 有权
    半导体晶片切割膜和切割芯片接合膜

    公开(公告)号：KR101604822B1

    公开(公告)日：2016-03-18

    申请号：KR1020130087415

    申请日：2013-07-24

    申请人： 주식회사 엘지화학

    发明人： 조정호 ,  김세라 ,  이광주 ,  김정학 ,  김영국

    IPC分类号： H01L21/301

    摘要： 본발명은필름의개편화및 수축이쉬워원활한픽업공정을가능하게할 수있는반도체웨이퍼다이싱필름, 및다이싱다이본딩필름에관한것으로, 본발명의일 측면에따른다이싱필름은, 기저필름및 점착층을포함하고, 상기기저필름의길이방향및 수직방향의 15% 인장모듈러스값이상온에서 40MPa 이상이며,상기기저필름은하기일반식 1로계산되는복원율이 90% 이상일수 있다. [일반식 1] 복원율(%) = 100-(L-50)/50 x 100 상기일반식 1에서 L은길이 50mm, 폭 10mm의기저필름을길이방향으로 20mm/s 속도로 75mm 인장시킨후, 5초동안유지하고, 60℃에서 30초동안방치한후 측정한길이이다.

    摘要翻译： 本发明涉及一种单一化和半导体晶片切割膜，mitda支撑芯片接合薄膜，其收缩率可使得膜更容易平滑拾取过程中，根据本发明的一个方面，外壳膜，所述基膜和压敏粘合剂 的层，并且长度方向和由15％的拉伸弹性模量的值大于或在室温下等于40MPa的在所述基膜的一个垂直方向上，bokwonyul基膜是由下式1计算出的下面可以为至少90％。 [公式1] bokwonyul（％）= 100-（L-50）/ 50×100在式1中，L是50毫米，长度为10mm的宽度为75毫米张力至20mm / s的速度，在纵向方向上的凹陷膜 这是在保持5秒并在60℃保持30秒后测量的长度。

    반도체 다이싱 다이본딩 필름
    10.
    发明公开
    반도체 다이싱 다이본딩 필름 有权
    半导体切割芯片接合膜

    公开(公告)号：KR1020150015967A

    公开(公告)日：2015-02-11

    申请号：KR1020130092077

    申请日：2013-08-02

    申请人： 주식회사 엘지화학

    发明人： 조정호 ,  김세라 ,  이광주 ,  김정학 ,  김영국

    IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/02

    摘要： 본 발명은 다이싱 공정에서 인장에 의해 필름의 개편화가 쉽게 일어나게 할 수 있는 반도체 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에 따른 다이싱 다이 본딩 필름은, 기저필름, 점착층, 및 접착층을 포함하고, 상기 점착층의 Tg는 -50℃ 내지 -35℃ 이며, 상기 기저필름의 Tg는 -5℃ 이하이고, 상기 기저필름은 하기 일반식 1로 계산되는 복원율이 길이방향 및 수직방향에서 각각 90% 이상이다.
    [일반식 1]
    복원율(%) = 100-(L-50)/50 x 100
    상기 일반식 1에서 L은 길이 50mm, 폭 10mm의 기저필름을 길이방향 또는 수직방향으로 20mm/s 속도로 75mm 인장시킨 후, 5초 동안 유지하고, 60℃에서 30초 동안 방치한 후 측정한 길이이다.

    摘要翻译： 本发明涉及一种能够在切割工艺中由于延伸而容易地重塑膜的半导体切割芯片接合膜。 根据本发明的一个方面的切割芯片接合膜包括基膜，粘合膜和接合膜。 粘合膜的Tg为-50℃〜-35℃。 基膜的Tg为-5℃以下。 通过以下一般方程1计算的基底膜的恢复率在长度方向和垂直方向上分别为90％以上。 [一般方程式1]恢复率（％）= 100-（L-50）/ 50×100。在通式1中，L是在长度为50mm，宽度为10mm的基膜延伸之后测量的长度 至75mm，速度为20mm / s，长度方向或垂直方向5秒，然后在60℃下保持30秒。