公开(公告)号：KR101912573B1

公开(公告)日：2018-10-29

申请号：KR1020137031019

申请日：2012-05-29

申请人： 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

发明人： 가나모리나오야 ,  하라다다카히로 ,  아오키지아키 ,  무라야마류이치

IPC分类号： H01L21/52 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  H01B1/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49513 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 본발명에의해, 도전성이양호한반도체장치가제공된다. 본발명의반도체장치 (10) 는, 기재 (2) 와반도체소자 (3) 와기재 (2) 및반도체소자 (3) 사이에개재하여양자를접착하는접착층 (1) 을구비하고있다. 이반도체장치 (10) 는, 접착층 (1) 중에금속입자및 절연입자가분산되어있고, 금속입자는인편형상또는타원구형상을가지고있다. 그리고, 접착층 (1) 중의금속입자의체적함유율을 a 로하고, 접착층 (1) 중의절연입자의체적함유율을 b 로했을때, 접착층 (1) 중의필러의체적함유율 (a+b) 이 0.20 이상 0.50 이하이며, 필러중의금속입자의체적함유율 a/(a+b) 이 0.03 이상 0.70 이하이도록특정되어있다.

公开(公告)号：KR101911710B1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：KR1020177001914

申请日：2015-06-30

申请人： 차이나 와퍼 레벨 씨에스피 씨오., 엘티디.

发明人： 왕지치 ,  위치옹 ,  왕웨이

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/60 ,  G06K9/00 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L27/14678 ,  G06K9/0002 ,  G06K9/00053 ,  G06K9/0008 ,  G06K9/00087 ,  G06K9/001 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/60 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45184 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

摘要： 지문인식칩 패키징구조및 패키징방법패키징구조는, 기판표면을갖는기판― 기판표면에는제 1 솔더패드층이제공됨―; 기판표면상에배열되는센서칩 ―센서칩에는제 1 표면및 제 2 표면이제공되고, 센서칩의제 2 표면은기판표면상에배열되고, 센서칩의제 1 표면에는센싱영역및 둘레영역이제공되고, 둘레영역의센서칩의표면에는제 2 솔더패드층이제공됨―; 어느하나의단부에서제 1 솔더패드층 및제 2 솔더패드층에각각전기접속되는몇몇리드(lead)들― 리드들에는기판표면으로부터가장멀리떨어진정점이제공되고, 정점과센서칩의제 1 표면사이의거리는제 1 거리임― ; 및기판표면및 센서칩의제 1 표면상에배열되는라미네이션층을포함하고, 라미네이션층은리드들및 센서칩을둘러싸고, 라미네이션층의표면으로부터센서칩의제 1 표면까지이르는거리는제 2 거리이고, 제 2 거리는제 1 거리보다크다. 패키징구조는센서칩의감도에대한감소된요건들을허용하고, 따라서적용범위를확대시킨다.

公开(公告)号：KR101901217B1

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：KR1020137021496

申请日：2012-01-18

申请人： 무사시 엔지니어링 가부시키가이샤

发明人： 이쿠시마가즈마사

IPC分类号： B05D1/26 ,  B05C11/10 ,  B05C5/00

CPC分类号： B29C70/68 ,  B05C5/0212 ,  B05C11/1034 ,  B05D1/00 ,  B05D1/26 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6715 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75611 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은, 토출량의변화를양호한정밀도로보정하고, 도포형상내지필릿(fillet) 형상을안정시킬수 있는도포방법, 도포장치및 프로그램을제공한다. 모세관현상을이용하여토출장치로부터토출한액체재료를충전하는액체재료의도포방법으로서, 연속된복수의도포영역으로이루어지는도포패턴작성단계; 하나의토출펄스에복수의휴지(休止) 펄스를소정비율로조합한사이클을복수작성하고, 각각의도포영역에할당하는단계; 각각의도포영역에대하여할당된사이클로도포를실시하는단계; 미리설정한보정주기로, 보정주기의시점에서의토출량을계측하고, 토출량의보정량을산출하는보정량산출단계; 보정량산출단계에서산출한보정량에기초하여, 1 이상의사이클에대하여, 하나의토출펄스에대한휴지펄스의비율을조정하는단계;를포함하고, 휴지펄스의길이를토출펄스의길이와비교하여충분히짧게설정한액체재료의도포방법및 장치및 프로그램에대한것이다 .

公开(公告)号：KR101874057B1

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：KR1020110024522

申请日：2011-03-18

申请人： 스태츠 칩팩 피티이. 엘티디.

发明人： 윤인상 ,  이성민 ,  이상진

IPC分类号： H01L25/10 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L23/552 ,  H01L21/56 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/732 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/167 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 집적회로패키지시스템의제조방법은컴포넌트측부와시스템측부를구비한베이스패키지기판을제작하는단계, 제1 집적회로다이를컴포넌트측부에결합시키는단계및 적층상호접속부들을컴포넌트측부에결합하여제1 집적회로다이를둘러싸는단계를포함하는베이스패키지를형성하는단계; 칩측부를구비한적층패키지기판을제작하는단계, 하부적층집적회로다이를칩 측부에결합시키는단계및 결합측부에적층패키지기판을부착하는단계를포함하는적층집적회로패키지를형성하는단계; 베이스패키지의적층상호접속부들상의적층집적회로패키지의적층상호접속부들을포함하는적층집적회로패키지를베이스패키지상에적층하는단계; 및적층상호접속부들을리플로우시키는것에의해적층솔더칼럼을형성하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR20180054463A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：KR20170148813

申请日：2017-11-09

申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG

发明人： GRASSMANN ANDREAS ,  HOEGERL JUERGEN ,  KESSLER ANGELA ,  NIKITIN IVAN

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2924/014

摘要： 상이한용융온도를가진인터커넥션들을갖는패키지적어도하나의전자칩(102), 적어도하나의전자칩(102)이제1 인터커넥션(170)에의해그 상에장착되는제1 열제거보디(104), 제2 인터커넥션(172)에의해적어도하나의전자칩(102) 상에또는그 위에장착되는제2 열제거보디(106), 및적어도하나의전자칩(102)의적어도일부, 제1 열제거보디(104)의일부및 제2 열제거보디(106)의일부를캡슐화하는캡슐화제(108)를포함하는패키지(100)인데, 여기서제1 인터커넥션(170)은제2 인터커넥션(172)과다른용융온도를갖도록구성된다.

公开(公告)号：KR101860378B1

公开(公告)日：2018-05-23

申请号：KR1020167026505

申请日：2014-04-04

申请人： 쿄세라 코포레이션

发明人： 후지와라마사카주 ,  사타케유 ,  니타나이유야

IPC分类号： C08K3/08 ,  C08L33/10 ,  C08F20/18 ,  H01L33/00 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L21/52 ,  H01L24/26 ,  H01L24/83 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29391 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12041

摘要： 고열전도성, 열방산성이우수하고, 반도체소자및 발광소자를기판에무가압으로양호하게접합할수 있는반도체장치용열경화성수지조성물및 발광장치용열경화성수지조성물을제공한다. (A) 두께또는단경이 1∼200nm인은 미립자와, (B) 상기 (A) 성분이외의평균입자지름이 0.2㎛초과 30㎛이하인은 분말과, (C) 수지입자와, (D) 열경화성수지를포함하고, (A) 성분의은 미립자와 (B) 성분의은 분말의합계량을 100질량부로했을때, (C) 성분이 0.01∼1질량부, (D) 성분이 1∼20질량부배합되어있는열경화성수지조성물, 상기수지조성물을다이어태치페이스트로서사용한반도체장치및 방열부재접착용재료로서사용한전기·전자부품.

公开(公告)号：KR101854948B1

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：KR1020137024003

申请日：2012-03-28

申请人： 히타치가세이가부시끼가이샤

发明人： 니시야마도모오 ,  구와노아츠시 ,  시라사카도시아키 ,  하라나오키 ,  요시하라겐스케 ,  가타기히데유키

IPC分类号： C08L63/00 ,  C08K3/38 ,  C08G59/62 ,  C08J5/18 ,  B32B15/092 ,  B32B27/38 ,  H01L23/373 ,  H05K1/03 ,  H05K7/20

CPC分类号： H01L33/641 ,  B32B15/092 ,  B32B27/20 ,  B32B27/38 ,  B32B27/42 ,  B32B2457/14 ,  B32B2457/20 ,  C08J5/18 ,  C08J2363/00 ,  C08K3/38 ,  C08K2003/385 ,  C08L61/06 ,  C08L63/00 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85639 ,  H01L2224/85644 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 본발명은에폭시수지모노머와, 하기일반식 (I) 로나타내는구조단위를갖는화합물을함유하는노볼락수지와, 필러를함유하고, 상기필러가레이저회절법을이용하여측정되는입자직경분포에있어서, 0.01 ㎛이상 1 ㎛미만, 1 ㎛이상 10 ㎛미만, 및 10 ㎛이상 100 ㎛이하의각각의범위에피크를가지며, 10 ㎛이상 100 ㎛이하의입자직경을갖는필러가질화붕소입자를함유하는수지조성물을제공한다. 하기일반식 (I) 중, R은알킬기, 아릴기, 또는아르알킬기를나타내고, R및 R은각각독립적으로수소원자, 알킬기, 아릴기, 또는아르알킬기를나타내고, m 은 0 ∼ 2 의수를, n 은 1 ∼ 7 의수를나타낸다.

公开(公告)号：KR101849117B1

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：KR1020110107109

申请日：2011-10-19

申请人： 에스케이하이닉스 주식회사

发明人： 한권환

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07802 ,  H05K1/02 ,  H05K3/4007 ,  Y10T29/49 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 제1연결콘택(contact)부가표면에노출된제1기판, 제1연결콘택부에연결된제1연결범프, 제1연결콘택부에대향되게제2연결콘택부가표면에노출된제2기판, 제2연결콘택부를노출하게제2기판을덮는단차유도층, 단차유도층상으로일단부가연장되게제2연결콘택부에연결되고단차유도층에의해유도된단차에의해경사면을상측표면에가지는제2연결범프, 제1연결범프의상측표면과제2연결범프의경사면에접촉하여접착시키는도전접착층, 및제1 및제2연결범프들, 도전접착층들을에워싸고제1 및제2기판을접착시키는비전도접착층을포함하는전자소자의패키지들, 이들을포함하는전자시스템및 그제조방법들을제시한다.

公开(公告)号：KR101848114B1

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：KR1020137018507

申请日：2011-12-14

申请人： 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤

发明人： 하야시사토시

IPC分类号： C08G73/10 ,  C08G69/26 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： C09J179/08 ,  C08G73/1025 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1067 ,  C08G73/1071 ,  C08G73/1085 ,  C08G73/22 ,  C08J3/14 ,  C08J2379/08 ,  C08L63/00 ,  C09J177/06 ,  H01L23/293 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 본발명은평균입경이작고내열성이높은폴리이미드입자의원료로서사용되는폴리아미드산입자의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 또, 본발명은, 그폴리아미드산입자의제조방법을사용한폴리이미드입자의제조방법, 및, 그폴리이미드입자의제조방법에의해얻어지는폴리이미드입자를제공하는것을목적으로한다. 또, 본발명은, 경화후에는유리전이온도이하의온도영역에있어서의선팽창률및 탄성률이낮아져, 신뢰성이높은접합체를얻을수 있는전자부품용접합재를제공하는것을목적으로한다. 본발명은, 디아민화합물이용해된용액을조제하는공정과, 물리적충격을가하면서, 비용액상태의무수테트라카르복실산을상기디아민화합물이용해된용액에첨가하고, 폴리아미드산입자를석출시키는공정을갖는폴리아미드산입자의제조방법이다.

公开(公告)号：KR20180025984A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：KR20187005274

申请日：2011-06-10

申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

发明人： RAMCHEN JOHANN ,  RACZ DAVID ,  GALLMEIER HANS CHRISTOPH ,  GROETSCH STEFAN ,  JEREBIC SIMON

IPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/60 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

摘要： 광전반도체소자(1)의적어도하나의실시형태에서, 광전반도체소자(1)는캐리어(2) 및캐리어상면(20)에부착되는적어도하나의광전반도체칩(3)을포함한다. 또한, 반도체소자(1)는반도체칩(3)을전기적으로접촉시키는적어도하나의본딩와이어(4) 및주 방사측면(30) 상에부착되고본딩와이어(4)를넘어돌출하는적어도하나의커버체(5)를포함한다. 적어도하나의반사글롭톱(6)이측방방향으로반도체칩(3)을에워싸고, 적어도반도체칩(3)의주 방사측면(30)까지이른다. 본딩와이어(4)는반사글롭톱(6)에의해완전히또는커버체(5)와함께반사글롭톱(6)에의해완전히덮인다.

摘要翻译： 一种光电子半导体器件，包括具有载体顶侧的载体，布置在载体顶侧并具有远离载体顶侧的辐射主侧的至少一个光电子半导体芯片，至少一个接合线，至少一个覆盖主体 所述辐射主侧以及至少一个反射封装化合物，所述至少一个反射封装化合物在横向方向上围绕所述半导体芯片并且从所述载体顶侧至少延伸至所述辐射主侧，其中所述接合线完全被所述反射封装化合物覆盖或者 完全被反射灌封胶和覆盖体覆盖，键合引线在辐射主侧上的电连接区域固定到半导体芯片上，并且电连接区域没有覆盖体并且部分或完全被覆盖体覆盖 反光灌封胶。