公开(公告)号：KR101860219B1

公开(公告)日：2018-05-21

申请号：KR1020160131934

申请日：2016-10-12

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 린지아밍 ,  린웨이켄 ,  장지안시우코 ,  린춘체

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L22/12 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/785

Abstract: 내부에서의평탄화프로세스를위한정지층을지닌반도체구조체와이 반도체구조체의형성방법이개시된다. 상기반도체구조체형성방법은기판에서활성영역들사이에트렌치를형성하는단계; 트렌치를격리층으로충전하는단계; 격리층을원소로도핑하여도핑된격리구역을형성하는단계; 도핑된격리구역을어닐링하는단계; 및어닐링되고도핑된격리구역을평탄화하고, 격리구역의평탄화깊이를측정하는단계를포함한다. 정지층, 유전층및 활성영역의열팽창계수(Cefficients of Thermal Expansion; CTE)는상이하다.

公开(公告)号：KR1020170046078A

公开(公告)日：2017-04-28

申请号：KR1020160131934

申请日：2016-10-12

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 린지아밍 ,  린웨이켄 ,  장지안시우코 ,  린춘체

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L22/12 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7847 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7843

Abstract: 내부에서의평탄화프로세스를위한정지층을지닌반도체구조체와이 반도체구조체의형성방법이개시된다. 상기반도체구조체형성방법은기판에서활성영역들사이에트렌치를형성하는단계; 트렌치를격리층으로충전하는단계; 격리층을원소로도핑하여도핑된격리구역을형성하는단계; 도핑된격리구역을어닐링하는단계; 및어닐링되고도핑된격리구역을평탄화하고, 격리구역의평탄화깊이를측정하는단계를포함한다. 정지층, 유전층및 활성영역의열팽창계수(Cefficients of Thermal Expansion; CTE)는상이하다.

Abstract translation: 公开了一种具有用于其中的平坦化工艺的停止层的半导体结构以及用于形成该半导体结构的方法。 形成半导体结构的方法包括在衬底中的有源区之间形成沟槽; 用隔离层填充沟槽; 用元件掺杂隔离层以形成掺杂隔离区; 退火掺杂隔离区; 并平坦化退火和掺杂的隔离区域并测量隔离区域的平面化深度。 停止层，介质层和有源区的热膨胀摄氏温度（CTE）是不同的。