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公开(公告)号：KR101730727B1
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：KR1020150136807
申请日：2015-09-25
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/28568 , H01L21/28088 , H01L21/76843 , H01L21/76879 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545
摘要： 반도체소자는기판, 적어도하나의층, 금속접착제및 금속구조체를포함한다. 상기층은기판상에배치된다. 상기층은개구를가지며, 개구는바닥면과적어도하나의측벽을가진다. 금속접착제는개구의측벽의적어도일부를노출되게하면서개구의바닥면상에배치된다. 금속구조체는개구내에그리고금속접착제상에배치된다.
摘要翻译： 该半导体器件包括衬底，至少一个层，金属粘合剂和金属结构。 该层设置在基底上。 该层具有开口，该开口具有底面和至少一个侧壁。 金属粘合剂布置在开口的底表面上，同时暴露开口的侧壁的至少一部分。 金属结构设置在开口中和金属粘合剂上。
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公开(公告)号：KR1020170002261A
公开(公告)日：2017-01-06
申请号：KR1020150136807
申请日：2015-09-25
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/28568 , H01L21/28088 , H01L21/76843 , H01L21/76879 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545
摘要： 반도체소자는기판, 적어도하나의층, 금속접착제및 금속구조체를포함한다. 상기층은기판상에배치된다. 상기층은개구를가지며, 개구는바닥면과적어도하나의측벽을가진다. 금속접착제는개구의측벽의적어도일부를노출되게하면서개구의바닥면상에배치된다. 금속구조체는개구내에그리고금속접착제상에배치된다.
摘要翻译： 半导体器件包括衬底，至少一层，金属粘合剂和金属结构。 该层设置在基板上。 该层具有开口，并且该开口具有底表面和至少一个侧壁。 金属粘合剂设置在开口的底表面上，同时留下露出的开口的侧壁的至少一部分。 金属结构设置在开口和金属粘合剂上。
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公开(公告)号：KR1020170046078A
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：KR1020160131934
申请日：2016-10-12
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/324
CPC分类号： H01L22/26 , H01L21/31105 , H01L21/31155 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L22/12 , H01L29/7846 , H01L29/785 , H01L29/7847 , H01L21/324 , H01L29/0642 , H01L29/4236 , H01L29/7843
摘要： 내부에서의평탄화프로세스를위한정지층을지닌반도체구조체와이 반도체구조체의형성방법이개시된다. 상기반도체구조체형성방법은기판에서활성영역들사이에트렌치를형성하는단계; 트렌치를격리층으로충전하는단계; 격리층을원소로도핑하여도핑된격리구역을형성하는단계; 도핑된격리구역을어닐링하는단계; 및어닐링되고도핑된격리구역을평탄화하고, 격리구역의평탄화깊이를측정하는단계를포함한다. 정지층, 유전층및 활성영역의열팽창계수(Cefficients of Thermal Expansion; CTE)는상이하다.
摘要翻译： 公开了一种具有用于其中的平坦化工艺的停止层的半导体结构以及用于形成该半导体结构的方法。 形成半导体结构的方法包括在衬底中的有源区之间形成沟槽; 用隔离层填充沟槽; 用元件掺杂隔离层以形成掺杂隔离区; 退火掺杂隔离区; 并平坦化退火和掺杂的隔离区域并测量隔离区域的平面化深度。 停止层，介质层和有源区的热膨胀摄氏温度（CTE）是不同的。
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公开(公告)号：KR101860219B1
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：KR1020160131934
申请日：2016-10-12
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/324
CPC分类号： H01L22/26 , H01L21/31105 , H01L21/31155 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L22/12 , H01L29/7846 , H01L29/785
摘要： 내부에서의평탄화프로세스를위한정지층을지닌반도체구조체와이 반도체구조체의형성방법이개시된다. 상기반도체구조체형성방법은기판에서활성영역들사이에트렌치를형성하는단계; 트렌치를격리층으로충전하는단계; 격리층을원소로도핑하여도핑된격리구역을형성하는단계; 도핑된격리구역을어닐링하는단계; 및어닐링되고도핑된격리구역을평탄화하고, 격리구역의평탄화깊이를측정하는단계를포함한다. 정지층, 유전층및 활성영역의열팽창계수(Cefficients of Thermal Expansion; CTE)는상이하다.
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公开(公告)号：KR101727398B1
公开(公告)日：2017-04-14
申请号：KR1020150130907
申请日：2015-09-16
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/762 , H01L21/768
CPC分类号： H01L29/0653 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/3065 , H01L21/31051 , H01L21/324 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/785
摘要： 반도체디바이스의트렌치구조물은기판, 격리구조물, 및라이너층을포함한다. 기판은트렌치를내부에갖는다. 격리구조물은트렌치내에배치된다. 라이너층은기판과격리구조물사이에배치된다. 라이너층은질소를포함하며, 라이너층은공간적으로다양한질소농도를갖는다.
摘要翻译： 半导体器件的沟槽结构包括衬底，隔离结构和衬垫层。 衬底中具有沟槽。 隔离结构设置在沟槽内。 衬层设置在衬底和隔离结构之间。 衬层包含氮并且衬层具有空间上不同的氮浓度。
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公开(公告)号：KR1020170015044A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150130907
申请日：2015-09-16
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/762 , H01L21/768
CPC分类号： H01L29/0653 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/3065 , H01L21/31051 , H01L21/324 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/785
摘要： 반도체디바이스의트렌치구조물은기판, 격리구조물, 및라이너층을포함한다. 기판은트렌치를내부에갖는다. 격리구조물은트렌치내에배치된다. 라이너층은기판과격리구조물사이에배치된다. 라이너층은질소를포함하며, 라이너층은공간적으로다양한질소농도를갖는다.
摘要翻译： 半导体器件的沟槽结构包括衬底，隔离结构和衬里层。 衬底在其中具有沟槽。 隔离结构设置在沟槽中。 衬垫层设置在衬底和隔离结构之间。 衬里层包括氮气，衬层具有空间上各种氮浓度。
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