公开(公告)号：KR1020170080437A

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020160133507

申请日：2016-10-14

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 첸진다 ,  시에밍펭 ,  우한웨이 ,  린유시엔 ,  리우포천 ,  첸스탄

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 제1, 제2, 및제3 트렌치는기판위의층 내에형성된다. 제3 트렌치는제1 트렌치및 제2 트렌치보다실질적으로더 넓다. 제1, 제2 및제3 트렌치들은제1 도전성재료로부분적으로채워진다. 제1 반사방지재료는제1, 제2, 및제3 트렌치들위에코팅된다. 제1 반사방지재료는제1 표면토포그래피편차를갖는다. 제1 반사방지재료를부분적으로제거하기위하여제1 에치백 프로세스가수행된다. 그후, 제2 반사방지재료는제1 반사방지재료위에코팅된다. 제2 반사방지재료는제1 표면토포그래피편차보다더 작은제2 표면토포그래피편차를갖는다. 제1 및제2 트렌치들내에제2 반사방지재료를적어도부분적으로제거하기위하여제2 에치백 프로세스가수행된다. 그후, 제1 트렌치및 제2 트렌치내에제1 도전성재료가부분적으로제거된다.

Abstract translation: 第一，第二和第三沟槽形成在衬底上的层中。 第三沟槽比第一沟槽和第二沟槽宽得多。 第一，第二和第三沟槽部分地填充有第一导电材料。 第一防反射材料涂覆在第一，第二和第三沟槽上。 第一抗反射材料具有第一表面形貌偏差。 执行第一回蚀工艺以部分地移除第一抗反射材料。 之后，将第二抗反射材料涂覆在第一抗反射材料上。 第二抗反射材料具有小于第一表面形貌偏差的第二表面形貌偏差。 执行第二回蚀工艺以至少部分地移除第一和第二沟槽中的第二抗反射材料。 之后，在第一沟槽和第二沟槽中部分地去除第一导电材料。

公开(公告)号：KR101901018B1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：KR1020160133507

申请日：2016-10-14

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 첸진다 ,  시에밍펭 ,  우한웨이 ,  린유시엔 ,  리우포천 ,  첸스탄

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 제1, 제2, 및제3 트렌치는기판위의층 내에형성된다. 제3 트렌치는제1 트렌치및 제2 트렌치보다실질적으로더 넓다. 제1, 제2 및제3 트렌치들은제1 도전성재료로부분적으로채워진다. 제1 반사방지재료는제1, 제2, 및제3 트렌치들위에코팅된다. 제1 반사방지재료는제1 표면토포그래피편차를갖는다. 제1 반사방지재료를부분적으로제거하기위하여제1 에치백 프로세스가수행된다. 그후, 제2 반사방지재료는제1 반사방지재료위에코팅된다. 제2 반사방지재료는제1 표면토포그래피편차보다더 작은제2 표면토포그래피편차를갖는다. 제1 및제2 트렌치들내에제2 반사방지재료를적어도부분적으로제거하기위하여제2 에치백 프로세스가수행된다. 그후, 제1 트렌치및 제2 트렌치내에제1 도전성재료가부분적으로제거된다.