公开(公告)号：KR101901018B1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：KR1020160133507

申请日：2016-10-14

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 첸진다 ,  시에밍펭 ,  우한웨이 ,  린유시엔 ,  리우포천 ,  첸스탄

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 제1, 제2, 및제3 트렌치는기판위의층 내에형성된다. 제3 트렌치는제1 트렌치및 제2 트렌치보다실질적으로더 넓다. 제1, 제2 및제3 트렌치들은제1 도전성재료로부분적으로채워진다. 제1 반사방지재료는제1, 제2, 및제3 트렌치들위에코팅된다. 제1 반사방지재료는제1 표면토포그래피편차를갖는다. 제1 반사방지재료를부분적으로제거하기위하여제1 에치백 프로세스가수행된다. 그후, 제2 반사방지재료는제1 반사방지재료위에코팅된다. 제2 반사방지재료는제1 표면토포그래피편차보다더 작은제2 표면토포그래피편차를갖는다. 제1 및제2 트렌치들내에제2 반사방지재료를적어도부분적으로제거하기위하여제2 에치백 프로세스가수행된다. 그후, 제1 트렌치및 제2 트렌치내에제1 도전성재료가부분적으로제거된다.

公开(公告)号：KR1020160128891A

公开(公告)日：2016-11-08

申请号：KR1020150168017

申请日：2015-11-27

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 첸치밍 ,  유청이 ,  리우포천

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L21/02694 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 본발명은 Si 기판에서 GaN의인장응력을감소시키기위해도입된추가적인또는제2의고온(HT) AlN 시드층을비롯하여, Si 기판상에 GaN 막을형성하는구조및 방법에관한것이다. 제2의 HT AlN 시드층은제1의 HT AlN 시드층 위에배치되고, 상기제1의 HT AlN 시드층에비하여낮은 V/III 원자비를갖는다. 상기제2의 HT AlN 시드층은 Si와 GaN 간에보다양호한격자정합을갖고, 이것은 GaN에서인장응력을감소시킨다. 추가적인 HT AlN 시드층은캐핑층(capping layer)으로서또한작용하고, LT AlN 시드층으로부터유래하는관통전위(TD)를소멸시키거나종결시키는데 도움을준다. 제2의 HT AlN 시드층은또한기판으로부터 GaN 막으로의 Si 확산을방지하는데 도움을준다.

Abstract translation: 本公开内容涉及在Si衬底上形成GaN膜的结构和方法，该衬底包括用于降低Si衬底上GaN的拉伸应力的额外的或第二高温（HT）AlN晶种层。 第二HT AlN种子层设置在第一HT AlN籽晶层上，并且与第一HT AlN种子层相比具有低的V / III比。 第二个HT AlN种子层在Si和GaN之间具有更好的晶格匹配，并且这降低了GaN上的拉伸应力。 另外的HT AlN种子层还起到覆盖层的作用，并有助于消除或终止来自LT AlN种子层的穿透位错（TD）。 第二HT AlN种子层还有助于防止Si从衬底扩散到GaN膜。

公开(公告)号：KR101809329B1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：KR1020150168017

申请日：2015-11-27

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 첸치밍 ,  유청이 ,  리우포천

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L21/02694 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 본발명은 Si 기판에서 GaN의인장응력을감소시키기위해도입된추가적인또는제2의고온(HT) AlN 시드층을비롯하여, Si 기판상에 GaN 막을형성하는구조및 방법에관한것이다. 제2의 HT AlN 시드층은제1의 HT AlN 시드층 위에배치되고, 상기제1의 HT AlN 시드층에비하여낮은 V/III 원자비를갖는다. 상기제2의 HT AlN 시드층은 Si와 GaN 간에보다양호한격자정합을갖고, 이것은 GaN에서인장응력을감소시킨다. 추가적인 HT AlN 시드층은캐핑층(capping layer)으로서또한작용하고, LT AlN 시드층으로부터유래하는관통전위(TD)를소멸시키거나종결시키는데 도움을준다. 제2의 HT AlN 시드층은또한기판으로부터 GaN 막으로의 Si 확산을방지하는데 도움을준다.

Abstract translation: 本发明以及第二，以减少在GaN的拉伸应力的Si衬底上，以一种结构和方法，用于在Si基板上形成GaN膜引入的附加的或高温（HT）的AlN种子层。 第二HT AlN籽晶层设置在第一HT AlN籽晶层上并且具有比第一HT AlN籽晶层更低的V / III原子比。 第二HT AlN籽晶层具有更好的Si与GaN之间的晶格匹配，这降低了GaN中的拉伸应力。 另外的HT AlN籽晶层还充当覆盖层并有助于消除或终止来自LT AlN籽晶层的穿透位错TD。 第二HT AlN籽晶层还有助于防止Si从衬底扩散到GaN膜。

公开(公告)号：KR1020170080437A

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020160133507

申请日：2016-10-14

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 첸진다 ,  시에밍펭 ,  우한웨이 ,  린유시엔 ,  리우포천 ,  첸스탄

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 제1, 제2, 및제3 트렌치는기판위의층 내에형성된다. 제3 트렌치는제1 트렌치및 제2 트렌치보다실질적으로더 넓다. 제1, 제2 및제3 트렌치들은제1 도전성재료로부분적으로채워진다. 제1 반사방지재료는제1, 제2, 및제3 트렌치들위에코팅된다. 제1 반사방지재료는제1 표면토포그래피편차를갖는다. 제1 반사방지재료를부분적으로제거하기위하여제1 에치백 프로세스가수행된다. 그후, 제2 반사방지재료는제1 반사방지재료위에코팅된다. 제2 반사방지재료는제1 표면토포그래피편차보다더 작은제2 표면토포그래피편차를갖는다. 제1 및제2 트렌치들내에제2 반사방지재료를적어도부분적으로제거하기위하여제2 에치백 프로세스가수행된다. 그후, 제1 트렌치및 제2 트렌치내에제1 도전성재료가부분적으로제거된다.

Abstract translation: 第一，第二和第三沟槽形成在衬底上的层中。 第三沟槽比第一沟槽和第二沟槽宽得多。 第一，第二和第三沟槽部分地填充有第一导电材料。 第一防反射材料涂覆在第一，第二和第三沟槽上。 第一抗反射材料具有第一表面形貌偏差。 执行第一回蚀工艺以部分地移除第一抗反射材料。 之后，将第二抗反射材料涂覆在第一抗反射材料上。 第二抗反射材料具有小于第一表面形貌偏差的第二表面形貌偏差。 执行第二回蚀工艺以至少部分地移除第一和第二沟槽中的第二抗反射材料。 之后，在第一沟槽和第二沟槽中部分地去除第一导电材料。