公开(公告)号：KR101711294B1

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：KR1020150118898

申请日：2015-08-24

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 칼닛츠키알렉산더 ,  레이이양 ,  왕시칭 ,  쿠오청유 ,  후앙청룽 ,  시에칭후아 ,  리우청시 ,  유첸후아 ,  쿠친유 ,  리아오데두이 ,  리우쿠오치오 ,  우카이디 ,  창쿠오핀 ,  양셍핀 ,  후앙이삭

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/34 ,  H01L23/13 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L24/03 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/921 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 반도체구조물을제조하는방법은, 제1 표면, 제1 표면과대향하는제2 표면, 및제1 표면위에배치된복수의전도성범프를포함하는제1 기판을수용하는단계; 제2 기판을수용하는단계; 제1 기판또는제2 기판위에접착제를배치하는단계; 접착제를제1 분위기에서가열하는단계; 제1 기판또는제2 기판에약 10,000N보다적은힘을인가하고접착제를제2 분위기에서가열함으로써, 제1 기판을제2 기판과본딩하는단계; 및제2 표면으로부터제1 기판의두께를박형화하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020160146461A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：KR1020150118898

申请日：2015-08-24

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 칼닛츠키알렉산더 ,  레이이양 ,  왕시칭 ,  쿠오청유 ,  후앙청룽 ,  시에칭후아 ,  리우청시 ,  유첸후아 ,  쿠친유 ,  리아오데두이 ,  리우쿠오치오 ,  우카이디 ,  창쿠오핀 ,  양셍핀 ,  후앙이삭

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/34 ,  H01L23/13 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L24/03 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/921 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 반도체구조물을제조하는방법은, 제1 표면, 제1 표면과대향하는제2 표면, 및제1 표면위에배치된복수의전도성범프를포함하는제1 기판을수용하는단계; 제2 기판을수용하는단계; 제1 기판또는제2 기판위에접착제를배치하는단계; 접착제를제1 분위기에서가열하는단계; 제1 기판또는제2 기판에약 10,000N보다적은힘을인가하고접착제를제2 분위기에서가열함으로써, 제1 기판을제2 기판과본딩하는단계; 및제2 표면으로부터제1 기판의두께를박형화하는단계를포함한다.

摘要翻译： 一种制造半导体结构的方法，包括：接收包括第一表面，与第一表面相对的第二表面的第一基板和设置在第一表面上的多个导电凸块; 接收第二基板; 在所述第一基板或所述第二基板上设置粘合剂; 以第一种氛围加热粘合剂; 通过在第一基板或第二基板上施加小于约10,000N的力将第一基板与第二基板接合并以第二氛围加热粘合剂; 以及从所述第二表面减薄所述第一基板的厚度。