公开(公告)号：KR20180014081A

公开(公告)日：2018-02-07

申请号：KR20177037745

申请日：2016-05-23

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/492

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4922 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/75 ,  H01L24/77 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/24245 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37005 ,  H01L2224/37111 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/37166 ,  H01L2224/3719 ,  H01L2224/37211 ,  H01L2224/37224 ,  H01L2224/37239 ,  H01L2224/37244 ,  H01L2224/37247 ,  H01L2224/37255 ,  H01L2224/37266 ,  H01L2224/3729 ,  H01L2224/373 ,  H01L2224/37395 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/756 ,  H01L2224/75703 ,  H01L2224/776 ,  H01L2224/77703 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/834 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/8349 ,  H01L2224/83511 ,  H01L2224/83524 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/83544 ,  H01L2224/83547 ,  H01L2224/83555 ,  H01L2224/83566 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/836 ,  H01L2224/83695 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/84007 ,  H01L2224/841 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/8492 ,  H01L2224/84951 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H05K3/4661 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01014

摘要： 본발명은, 적어도하나의콘택(40, 50)을가지는컴포넌트(10)(예컨대, 적어도하나의트랜지스터, 바람직하게는 IGBT(절연-게이트양극성트랜지스터(insulated-gate bipolar transistor))를가지는 (반도체) 컴포넌트및/또는전력컴포넌트)를전기적으로콘택팅하기위한방법에관한것이며, 적어도하나의개방-세공콘택피스(60, 70)가적어도하나의콘택(40, 50)에갈바닉적으로(전기화학적으로, 또는외부전류없이) 연결된다. 이러한방식으로, 컴포넌트모듈이달성된다. 콘택(40, 50)은바람직하게는, 편평한부분이거나또는콘택표면을가지며, 이콘택표면의최대평면범위는상기콘택표면에수직적인콘택(40, 50)의확장부보다더 크다. 갈바닉연결의온도는최대 100 ℃, 바람직하게는최대 60 ℃, 유리하게는최대 20 ℃, 그리고이상적으로는최대 5 ℃이며, 그리고/또는컴포넌트의동작온도로부터최대 50 ℃만큼, 바람직하게는최대 20 ℃만큼, 특히최대 10 ℃만큼, 그리고이상적으로는최대 5 ℃만큼, 바람직하게는최대 2 ℃만큼벗어난다. 컴포넌트(10)는추가적인컴포넌트, 전류전도체, 및/또는기판(90)과콘택피스(60, 70)에의하여콘택팅될수 있다. 바람직하게는, 컴포넌트(10)의대향면들상에 2 개의콘택들(40, 50)을가지는컴포넌트(10)가사용되며, 적어도하나의개방-세공콘택피스(60, 70)는각각의콘택(40, 50)에갈바닉적으로연결된다.

摘要翻译： 本发明涉及具有至少一个触点（40,50）的部件（10）（例如半导体）的半导体器件， 至少一个开孔式接触件（60,70）通过电流（电化学）结合到至少一个接触件（40,50） 或者没有外部电流）。 这样就实现了一个组件模块。 触点40和50优选是平坦的或具有接触表面，并且图标表面的最大平面范围大于垂直于接触表面的触点40和50的范围。 电连接件的温度相对于部件的工作温度为至多100℃，优选至多60℃，有利地至多20℃，理想的是至多5℃和/或至多50℃， 特别是高达10℃，并且理想地高达5℃，优选高达2℃ 部件10可以通过附加部件，电流导体和/或基板90和接触件60和70接触。 优选地，使用在部件10的小平面上具有两个触头40,50的部件10，并且使用至少一个开孔式接触片60， 40和50。

公开(公告)号：KR101788412B1

公开(公告)日：2017-11-15

申请号：KR1020150166781

申请日：2015-11-26

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 차이이린 ,  창제프리 ,  린징쳉 ,  리우나이웨이 ,  푸채청

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/065 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L23/495 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 패키지가소자다이, 소자다이의적어도일부를내부에서몰딩하는몰딩재료, 및몰딩재료를실질적으로관통하는스루-비아를포함한다. 그러한패키지가스루-비아및 몰딩재료와접촉하는유전체층, 및소자다이의후면에부착되는다이부착필름을더 포함한다. 다이부착필름이유전체층 내에서연장하는부분을포함한다.

摘要翻译： 该封装包括元件管芯，用于模制元件管芯的至少一部分的模制材料以及基本穿过模制材料的通孔。 这样的封装还包括与通孔和模制材料接触的电介质层以及附接到器件管芯的后表面的管芯附连膜。 管芯附着膜包括在电介质层中延伸的部分。

公开(公告)号：KR101715988B1

公开(公告)日：2017-03-13

申请号：KR1020137001192

申请日：2011-06-17

申请人： 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤

发明人： 아라마키게이스케 ,  우스이히로유키

IPC分类号： C08J5/18 ,  C08K7/06 ,  C08L83/04 ,  H01L23/36

CPC分类号： B29D7/01 ,  B26D1/08 ,  B26D3/28 ,  B26D7/086 ,  B29C35/02 ,  B29C47/0004 ,  B29C47/0019 ,  B29C47/0021 ,  B29C47/0066 ,  B29C47/1027 ,  B29C47/8805 ,  B29C70/14 ,  B29C70/62 ,  B29K2509/00 ,  B29K2883/00 ,  B29K2995/0013 ,  B29K2995/0044 ,  B29K2995/0073 ,  B29L2007/00 ,  B29L2031/18 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08J5/18 ,  C08J2383/04 ,  C08J2383/05 ,  C08J2383/07 ,  C08K3/04 ,  C08K3/22 ,  C08K5/56 ,  C08K7/06 ,  C08K7/18 ,  C08K2003/2227 ,  C08K2201/001 ,  C08K2201/005 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C08L2205/025 ,  H01L23/3737 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/268 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00

摘要： 절단면의표면조도가작기때문에계면에서의열저항이낮아지고, 두께방향의열전도성이높기때문에, 각종열원과방열부재사이에협지시켜바람직하게사용되는열도전성시트및 열전도성시트의제조방법의제공. 폴리머, 이방성열전도성필러, 및충전제를함유하는열전도성조성물을압출기로압출함으로써, 상기이방성열전도성필러가압출방향을따라배향된압출성형물을성형하는압출성형공정과, 상기압출성형물을경화시켜경화물을얻는경화공정과, 상기경화물을, 초음파커터를사용하여상기압출방향에대하여수직방향으로소정의두께로슬라이스하는슬라이스공정을적어도포함하는열전도성시트의제조방법이다.

摘要翻译： 提供一种导热片与制造这种导热片的方法一起，其具有低表面粗糙度的切割表面，因此在界面处显示出降低的热阻，并且在厚度方向上具有高导热性; 因此，导热片适合用作插入在各种热源和辐射构件中的任何一个之间的构件。 制造导热片的方法至少包括：挤出成型步骤，其中将含有聚合物，各向异性导热填料和填料的导热组合物用挤出机挤出，从而模制挤出模制产品，其中 各向异性导热填料沿挤出方向取向; 固化步骤，其中挤出成型产品被固化以获得固化物体; 以及切割步骤，其中固化物体在与挤出方向垂直的方向上用超声波切割机切割成给定厚度。

公开(公告)号：KR101711294B1

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：KR1020150118898

申请日：2015-08-24

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 칼닛츠키알렉산더 ,  레이이양 ,  왕시칭 ,  쿠오청유 ,  후앙청룽 ,  시에칭후아 ,  리우청시 ,  유첸후아 ,  쿠친유 ,  리아오데두이 ,  리우쿠오치오 ,  우카이디 ,  창쿠오핀 ,  양셍핀 ,  후앙이삭

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/34 ,  H01L23/13 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L24/03 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/921 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 반도체구조물을제조하는방법은, 제1 표면, 제1 표면과대향하는제2 표면, 및제1 표면위에배치된복수의전도성범프를포함하는제1 기판을수용하는단계; 제2 기판을수용하는단계; 제1 기판또는제2 기판위에접착제를배치하는단계; 접착제를제1 분위기에서가열하는단계; 제1 기판또는제2 기판에약 10,000N보다적은힘을인가하고접착제를제2 분위기에서가열함으로써, 제1 기판을제2 기판과본딩하는단계; 및제2 표면으로부터제1 기판의두께를박형화하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020170012927A

公开(公告)日：2017-02-06

申请号：KR1020150105573

申请日：2015-07-27

申请人： 제엠제코(주)

发明人： 최윤화

IPC分类号： H01L23/40 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 클립과몰딩재간의박리(delamination)를감소시키고, 패키지의열적안정성을향상시킬수 있는반도체패키지용클립구조와, 이를포함하는반도체패키지를개시한다. 본발명의반도체패키지용클립은, 수평한제1 표면을갖는주 부분과, 주부분으로부터연장되며제1 표면으로부터일정각도구부러진다운셋부분을포함하며, 주부분및 다운셋부분중 적어도일부에형성된다수개의엠보싱을포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101693879B1

公开(公告)日：2017-01-06

申请号：KR1020110019790

申请日：2011-03-07

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 나까무라히로유끼 ,  후지끼아쯔시 ,  세끼다쯔히로 ,  고이께노부야 ,  사또유끼히로 ,  아시다기쇼

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L29/66 ,  H01L27/07

CPC分类号： H01L27/07 ,  H01L24/06 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L29/66 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 반도체장치의성능과신뢰성을향상시킨다. 반도체칩(CP1)에는, 스위치용의파워 MOSFET(Q1, Q2)와, 파워 MOSFET(Q1)의발열을검지하기위한다이오드(DD1)와, 파워 MOSFET(Q2)의발열을검지하기위한다이오드(DD2)와, 복수의패드전극(PD)이형성되어있다. 파워 MOSFET(Q1) 및다이오드(DD1)는, 변(SD1)측의제1 MOSFET 영역(RG1)에배치되고, 파워 MOSFET(Q2) 및다이오드(DD2)는, 변(SD2)측의제2 MOSFET 영역(RG2)에배치되어있다. 다이오드(DD1)는변(SD1)을따라서배치되고, 다이오드(DD2)는변(SD2)을따라서배치되고, 다이오드(DD1, DD2)간에소스용의패드전극(PDS1, PDS2) 이외의모든패드전극(PD)을변(SD3)을따라서배치하고있다.

摘要翻译： 提高半导体器件的性能和可靠性。 对于半导体芯片CP1，用于开关的功率MOSFET Q1和Q2，用于检测功率MOSFET Q1的发热的二极管DD1，用于检测功率MOSFET Q2的发热的二极管DD2和多个焊盘电极PD 。 功率MOSFET Q1和二极管DD1布置在侧面SD1侧的第一MOSFET区域RG1中，功率MOSFET Q2和二极管DD2布置在侧面SD2侧的第二MOSFET区RG2中。 二极管DD1沿着侧面SD1配置，二极管DD2沿着侧面SD2配置，除了用于源极的焊盘电极PDS1和PDS2以外的所有焊盘电极PD沿着二极管DD1和DD2之间的侧面SD3排列。

公开(公告)号：KR101657647B1

公开(公告)日：2016-09-19

申请号：KR1020150027721

申请日：2015-02-27

申请人： 피에스케이 주식회사 ,  세미기어, 인코포레이션

发明人： 장,지안 ,  피놀리스,조슈아 ,  루오,시지안

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/81 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/203 ,  H01L22/12 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

摘要： 본발명은프탈레이트를이용하여디바이스를패키징하는설비및 방법, 그리고디바이스처리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른디바이스패키징설비는, 제 1 디바이스와제 2 디바이스사이에프탈레이트(phthalate)를제공하여상기제 1 디바이스와상기제 2 디바이스를서로부착시키는탑재유닛; 서로부착된상기제 1 디바이스와상기제 2 디바이스를열처리하여상기프탈레이트를제거하고상기제 1 디바이스와상기제 2 디바이스를서로고정시키는처리유닛; 및서로부착된상기제 1 디바이스와상기제 2 디바이스를상기탑재유닛으로부터상기처리유닛으로이송하는이송유닛;을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160070179A

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：KR1020167012335

申请日：2014-10-14

申请人： 코닝 인코포레이티드

发明人： 에닉스다윈진 ,  키치존타일러 ,  쇼리아릭브루스 ,  토마스윈저파이프스3세

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/486 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/83052 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/00

摘要： 물품(2)을형성하도록표면개질층(30)을통해캐리어(10) 상에배치된얇은시트(20)이며, 여기서물품은 FEOL 반도체가공에서와같이고온가공에적용될수 있고, 기체방출하지않고, 가공동안캐리어로부터분리되지않으면서캐리어상에유지되나얇은시트및 캐리어중 더얇은것을온전하게남아있게하는실온박리력에의해서는캐리어로부터분리되는얇은시트를갖는다. 비아(60)의어레이(50)를갖는인터포저(56)는얇은시트상에형성될수 있고, 장치(66)는인터포저상에형성될수 있다. 대안적으로, 얇은시트는 FEOL 가공동안그 위에반도체회로가형성된기판일수 있다.

公开(公告)号：KR1020160012974A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020157019454

申请日：2014-11-18

申请人： 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤

发明人： 다니까와,미쯔루 ,  와따나베,다까시 ,  우에다,미찌히사 ,  나까무라,시게루 ,  마에나까,히로시 ,  다까하시,료스께 ,  이노우에,다까노리 ,  후지따,요시또

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L23/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C09J5/00 ,  C09J4/00

CPC分类号： H01L21/02288 ,  C08F220/10 ,  C09J4/00 ,  C09J5/00 ,  C09J2205/31 ,  H01L21/52 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 본발명은경화한접착제층을고정밀도로또한용이하게형성할수 있는전자부품의제조방법을제공한다. 본발명에따른경화성막전자부품(1)의제조방법은, 잉크젯장치(11)를사용하여, 제1 전자부품본체(2) 위에접착제를도포하여, 접착제층(12)을형성하는도포공정과, 제1 광조사부(13)로부터접착제층(12A)에광을조사하는제1 광조사공정과, 광이조사된접착제층(12B) 위에제2 전자부품본체(4)를배치하여접합하는접합공정과, 가열에의해접착제층(12B)을경화시켜서전자부품(1)을얻는공정을구비하며, 잉크젯장치(11)가, 상기접착제가저류되는잉크탱크와토출부와순환유로부를갖고, 상기도포공정에있어서, 잉크젯장치(11) 내에서, 상기접착제를순환시키면서도포한다.

公开(公告)号：KR101581699B1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：KR1020137016298

申请日：2011-11-21

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 곤잘레즈하비에르소토 ,  조마호우쌈

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/5384 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/06 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 내장된적층형관통실리콘비아다이를가진기판이개시된다. 예를들어, 장치는제 1 다이및 제 2 다이를포함한다. 제 2 다이는내부에배치된하나이상의관통실리콘비아를갖는다(이하, TSV 다이). 제 1 다이는하나이상의관통실리콘비아를통해 TSV 다이에전기적으로연결된다. 장치는또한코어리스기판을포함한다. 제 1 다이및 TSV 다이양자는코어리스기판내에내장된다.