에칭 장치, 기판 처리 장치, 에칭 방법 및 기판 처리 방법
    1.
    发明公开
    에칭 장치, 기판 처리 장치, 에칭 방법 및 기판 처리 방법 审中-公开
    蚀刻装置衬底处理装置蚀刻方法和衬底处理方法

    公开(公告)号:KR20180030445A

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:KR20170117110

    申请日:2017-09-13

    摘要: 제1 기간에, 기판이회전되면서저휘발액으로서의순수가기판상에공급된다. 저휘발액의토출이정지된후에는, DSA막상의광범위한영역에저휘발액이잔류한다. 저휘발액은 DSA막과반응하지않고 DSA막상에유지된다. 이어지는제2 기간에, 기판이회전되면서기판에유기용제가공급된다. 기판에공급되는유기용제는 DSA막상에잔류하는저휘발액과혼합된다. 이경우, DSA막상에서유기용제의휘발이억제된다.

    摘要翻译: 在第一阶段期间,当基板旋转时,将用作低挥发性液体的纯水供应到基板上。 在低挥发性液体的排放停止后,低挥发性液体保留在DSA膜上的大区域中。 低挥发性液体保持在DSA膜上而不与DSA膜反应。 在接下来的第二阶段期间,当衬底旋转时向衬底供应有机溶剂。 提供给基材的有机溶剂与残留在DSA膜上的低挥发性液体混合。 在这种情况下,DSA膜上的有机溶剂的挥发被抑制。

    현상 방법 및 현상 장치
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:KR20200131757A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:KR20200056496

    申请日:2020-05-12

    IPC分类号: G03F7/30 G03F7/20 H01L21/67

    摘要: 현상처리부의현상유닛에있어서는, 스핀척에의해기판이수평자세로유지된다. 그기판의상면에는, 레지스트막이형성되어있다. 레지스트막은노광되어있다. 그기판에상온보다낮은온도까지냉각된린스액이공급되어, 기판의온도가상온보다낮은온도로조정된다. 다음으로, 린스액의공급이정지된다. 또한, 기판의상면에상온보다낮은온도까지냉각된현상액이공급되어, 레지스트막과현상액이반응한다. 그후, 냉각된현상액이기판의상면으로부터제거되어, 레지스트막과현상액의반응이정지한다.

    열처리 장치, 기판 처리 장치, 열처리 방법 및 기판 처리 방법
    3.
    发明公开
    열처리 장치, 기판 처리 장치, 열처리 방법 및 기판 처리 방법 审中-公开
    热处理装置基板处理装置热处理方法和基板处理方法

    公开(公告)号:KR20180020907A

    公开(公告)日:2018-02-28

    申请号:KR20170104072

    申请日:2017-08-17

    IPC分类号: H01L21/67 G03F7/20

    摘要: 챔버내에가열플레이트가수용된다. 챔버내에용제함유기체가존재하는상태로, DSA막이형성된기판이가열플레이트의상방위치에서유지된다. 그로인해, 미크로상분리가발생하지않는온도로분위기의중성화가행해진다. 그후, 챔버내에용제함유기체가존재하는상태로, 기판이가열플레이트의상면상에서유지된다. 그로인해, 기판상의 DSA막에열처리가행해진다.

    摘要翻译: 加热板储存在室内。 利用存在于腔室中的含有溶剂的溶剂,其上形成有DSA膜的基板保持在比加热板更上方的位置处。 因此,在不发生微相分离的温度下进行气氛的中和。 之后,利用存在于腔室内的含有溶剂的气体,将基板保持在加热板的上表面。 因此,在衬底上的DSA膜上进行热处理。