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    반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기록 매체
    1.
    发明授权
    반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기록 매체 有权
    制造半导体器件的方法，衬底处理设备，衬底处理系统和记录介质

    公开(公告)号：KR101846850B1

    公开(公告)日：2018-04-09

    申请号：KR1020167005514

    申请日：2013-09-30

    申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

    发明人： 노다타카아키 ,  노하라싱고 ,  시마모토사토시 ,  아시하라히로시 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  카마쿠라츠카사

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324

    CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02318

    摘要： 기판에대하여실리콘과염소의화학결합과, 실리콘과탄소의화학결합을포함하는원료가스를공급하는공정과, 상기기판에대하여산화가스를공급하는공정과, 상기기판에대하여촉매가스를공급하는공정을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해, 상기기판상에상기실리콘, 산소및 탄소를포함하는박막을형성하는공정; 상기박막을형성하는공정에서의상기기판의온도보다높은제1 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기박막중으로부터수분및 염소를포함하는제1 불순물을제거하는공정; 및상기제1 온도이상의제2 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기제1 온도로열처리한후의상기박막중으로부터탄화수소화합물을포함하고상기제1 불순물과는다른제2 불순물을제거하는공정;을포함한다.

    摘要翻译： 相对于所述基板相对于所述衬底的步骤和供给原料气体的工序供给的催化剂气体的工序，将其提供给所述衬底，其包括化学键，硅和碳的硅和氯的化学键的氧化性气体 通过执行预定次数的循环在衬底上形成包含硅，氧和碳的薄膜; 在形成薄膜的步骤中，在高于衬底温度的第一温度下对薄膜进行热处理，从薄膜上除去包括水分和氯的第一杂质; 并包括由上述的薄膜在通过热处理所述薄膜至高于第一温度的第二温度，以及去除所述第一杂质的第一温度下的加热处理后的烃化合物的方法是从所述第二杂质不同;所述 它包括。

    실란-함유 조성물로부터 형성된 규소층의 개질
    2.
    发明授权
    실란-함유 조성물로부터 형성된 규소층의 개질 有权

    公开(公告)号：KR101846591B1

    公开(公告)日：2018-04-06

    申请号：KR1020127034209

    申请日：2011-06-20

    申请人： 에보니크 데구사 게엠베하

    发明人： 스튀첼,베른하르트 ,  파르너,볼프강

    IPC分类号： C23C18/12 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/1604 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

    摘要： 본발명은적어도하나의규소층이표면상에아산화물구조또는전체에대해아산화물구조를갖는, 기판상에배열된하나이상의규소층의제조방법에관한것이다. 그러한방법은 (a) 기판을제공하는단계, (b) 1종이상의규소화합물을함유하는조성물을제공하는단계, (c) 상기조성물을기판에도포하는단계, (d) 코팅된기판을조사(irradiating)하고/거나열처리하는단계, (e) 단계 (d)에따라얻어진층을순수한형태또는액체또는기체상혼합물형태의원소산소및/또는 O, 이산화탄소, 1종이상의산소화합물(들) 또는그들의혼합물형태의산소로처리하는단계, 및 (f) 단계 (e)에따라얻어진코팅된기판을조사하고/거나열처리하는단계를포함하여, 주로규소로이루어지며표면상에아산화물구조를갖는적어도부분적으로다형성인층을형성하거나, 또는 (a') 기판을제공하는단계, (b') 1종이상의규소화합물, 및순수한형태또는액체또는기체상혼합물형태의원소산소및/또는 O, 이산화탄소, 1종이상의산소화합물(들) 또는그들의혼합물형태의산소를함유하는조성물을제공하는단계, (c') 조성물을기판에도포하는단계, 및 (d') 단계 (c')에따라얻어진코팅된기판을조사하고/거나열처리하는단계를포함하여, 주로규소로이루어지며전체에대해아산화물구조를갖는적어도부분적으로다형성인층을형성하는것이다.

    열처리 장치, 기판 처리 장치, 열처리 방법 및 기판 처리 방법
    3.
    发明公开
    열처리 장치, 기판 처리 장치, 열처리 방법 및 기판 처리 방법 审中-公开
    热处理装置基板处理装置热处理方法和基板处理方法

    公开(公告)号：KR20180020907A

    公开(公告)日：2018-02-28

    申请号：KR20170104072

    申请日：2017-08-17

    申请人： SCREEN HOLDINGS CO LTD

    发明人： HARUMOTO MASAHIKO ,  ASAI MASAYA ,  TANAKA YUJI ,  KANEYAMA KOJI

    IPC分类号： H01L21/67 ,  G03F7/20

    CPC分类号： B05D1/60 ,  B05D3/007 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318

    摘要： 챔버내에가열플레이트가수용된다. 챔버내에용제함유기체가존재하는상태로, DSA막이형성된기판이가열플레이트의상방위치에서유지된다. 그로인해, 미크로상분리가발생하지않는온도로분위기의중성화가행해진다. 그후, 챔버내에용제함유기체가존재하는상태로, 기판이가열플레이트의상면상에서유지된다. 그로인해, 기판상의 DSA막에열처리가행해진다.

    摘要翻译： 加热板储存在室内。 利用存在于腔室中的含有溶剂的溶剂，其上形成有DSA膜的基板保持在比加热板更上方的位置处。 因此，在不发生微相分离的温度下进行气氛的中和。 之后，利用存在于腔室内的含有溶剂的气体，将基板保持在加热板的上表面。 因此，在衬底上的DSA膜上进行热处理。

    반도체 장치 및 그 제조방법
    4.
    发明公开
    반도체 장치 및 그 제조방법 审中-实审
    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020170125584A

    公开(公告)日：2017-11-15

    申请号：KR1020160055548

    申请日：2016-05-04

    申请人： 에스케이하이닉스 주식회사

    发明人： 박인수 ,  이기홍 ,  천혜정

    IPC分类号： H01L27/115

    CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11568

    摘要： 본발명의실시예에따른반도체장치는채널막; 상기채널막을감싸고, 상기채널막을따라연장된데이터저장막; 상기데이터저장막을감싸고, 상기채널막을따라도전영역을사이에두고이격되어적층된층간절연막들; 상기도전영역내부에배치되고, 상기데이터저장막을감싸는도전패턴; 상기층간절연막들과상기데이터저장막사이에배치되어상기데이터저장막을감싸고, 치밀화영역을포함하고, 상기도전영역에의해분리된버퍼패턴들; 및상기도전패턴과상기데이터저장막사이에배치되어상기데이터저장막을감싸는블로킹절연패턴을포함할수 있다.

    摘要翻译： 根据本发明实施例的半导体器件包括沟道膜; 数据存储层，围绕所述沟道层并沿着所述沟道层延伸; 层间绝缘层，围绕数据存储层并沿着沟道层隔开，其间具有导电区域; 设置在导电区域内并围绕数据存储膜的导电图案; 设置在层间绝缘层和数据存储层之间并且围绕数据存储层的缓冲层，缓冲层图案包括致密区域并且被导电区域分开; 并且阻挡绝缘图案设置在导电图案和数据存储膜之间并且围绕数据存储膜。

    반도체 소자의 제조 방법
    6.
    发明公开
    반도체 소자의 제조 방법 审中-实审
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020170024482A

    公开(公告)日：2017-03-07

    申请号：KR1020150119815

    申请日：2015-08-25

    申请人： 삼성전자주식회사

    发明人： 임하진 ,  박기관 ,  이상엽 ,  이종한 ,  임정혁 ,  홍혜리

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

    CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/67207 ,  H01L29/66795

    摘要： 반도체소자의특성제어및 신뢰성을향상시킬수 있는반도체소자의제조방법을제공한다. 본발명에따른반도체소자의제조방법은, 기판으로부터돌출된핀형활성영역을형성하는단계, 핀형활성영역의상면및 양측벽을덮으며고유전막을포함하는게이트절연막을형성하는단계, 게이트절연막상에금속함유층을형성하는단계, 금속함유층상에수소원자가함유된실리콘캡핑층을형성하는단계, 실리콘캡핑층에함유된수소원자를감소시키는단계, 실리콘캡핑층및 금속함유층의적어도일부를제거하는단계및 게이트절연막위에서핀형활성영역의상면및 양측벽을덮는게이트전극을형성하는단계를포함한다.

    摘要翻译： 提供制造半导体器件的方法。 所述方法可以包括形成从衬底突出的鳍状有源区，并形成覆盖鳍状有源区的顶表面和两个侧壁的栅极绝缘膜。 栅极绝缘膜可以包括高k电介质膜。 所述方法还可以包括在栅绝缘膜上形成含金属层，在含金属层上形成含有氢原子的硅封盖层，去除硅封盖层中所含的一部分氢原子，除去硅封盖 层和所述含金属层的至少一部分，并且在所述栅极绝缘膜上形成栅电极。 栅电极可以覆盖翅片型有源区的顶表面和两个侧壁。

    반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
    10.
    发明公开
    반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 审中-实审
    半导体器件的半导体器件和制造方法

    公开(公告)号：KR1020140102146A

    公开(公告)日：2014-08-21

    申请号：KR1020140015613

    申请日：2014-02-11

    申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

    发明人： 데즈카사치아키 ,  스자와히데오미 ,  시모무라아키히사 ,  다나카데츠히로

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02318 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

    摘要： The present invention provides a semiconductor device which restrains a change in electrical characteristics of the semiconductor device which employs an oxide semiconductor, thereby ensuring reliability. Loss of oxygen which may occur in a channel forming area is compensated for by supplying oxygen to the channel forming area from a lower insulation layer installed below an oxide semiconductor layer. Separation of oxygen from a gate insulation layer and/or an oxide layer is restrained such that loss of oxygen may be restrained in the channel forming area, by forming a protective insulation layer functioning as a barrier layer having a low content of hydrogen and a low transmission of oxygen on a gate electrode layer to cover side surfaces of an oxide layer and a gate insulation layer installed above the oxide semiconductor layer. Emission (separation) of oxygen from the lower insulation layer to parts except the oxide semiconductor layer can be restrained by bringing the lower insulation layer and the protective insulation layer into contact with each other in an outer periphery part of the oxide semiconductor layer having an island shape.

    摘要翻译： 本发明提供一种半导体器件，其抑制使用氧化物半导体的半导体器件的电特性的变化，从而确保可靠性。 可以通过从安装在氧化物半导体层下方的下绝缘层向沟道形成区域供给氧来补偿在沟道形成区域中可能发生的氧的损失。 抑制氧与栅极绝缘层和/或氧化物层的分离，从而通过形成用作具有低含量氢的低阻隔层的功能的保护绝缘层和低的含量，可以抑制在沟道形成区域中的氧损失 在栅极电极层上传输氧以覆盖安装在氧化物半导体层上方的氧化物层和栅极绝缘层的侧表面。 通过在具有岛的氧化物半导体层的外周部分中使下绝缘层和保护绝缘层彼此接触，可以抑制氧从下绝缘层到除了氧化物半导体层之外的部分的氧化（分离） 形状。