公开(公告)号：KR20180059538A

公开(公告)日：2018-06-04

申请号：KR20187012304

申请日：2016-09-29

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00476 ,  B81B2201/033 ,  B81C1/00619 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/056

摘要： 간소화된멤스소자의제조공정및 멤스소자가저렴하고경량의멤스소자의제조를가능하게하도록제공된다. 상기공정은상기멤스소자내에복수의홀이나다른형상패턴을식각하고난 후, 기저웨이퍼를식각제거하는것을포함함으로써, 식각공정후에추가의웨이퍼박화공정이나다이의다이싱공정을하지않고도, 상기멤스소자는요구되는두께가되고, 개별다이는분리된다. 상기기판웨이퍼내로트렌치를식각하고멤스기초재료로트렌치를채움으로써, 더큰 힘을갖고정교하며더 높은멤스소자가제조될수 있다.

公开(公告)号：KR101609229B1

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：KR1020137021344

申请日：2012-01-13

申请人： 카벤디시 키네틱스, 인크.

发明人： 르노,미카엘 ,  레이시,조셉대미언고든 ,  조쉬,비크람 ,  맥과이어,토머스엘.

IPC分类号： B81C1/00 ,  H01L29/84 ,  H01L21/00

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00039 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714

摘要： 본발명은일반적으로 MEMS 또는 NEMS 디바이스를제조하는방법및 이디바이스에관한것이다. 캔틸레버구조체에비해더 낮은재결합계수를가지는물질의박막층은캔틸레버구조체, RF 전극및 풀오프전극위에증착될수 있다. 박막층은공동으로도입되는에칭가스로하여금공동내에전체에칭제재결합속도를감소시켜공동내에희생물질의에칭속도를증가시킬수 있게한다. 에칭제그 자체는희생물질의최상부층이제일먼저에칭되도록캔틸레버구조체의앵커부분과선형으로정렬된캡슐층 내개구를통해도입될수 있다. 이후밀봉물질이공동을밀봉할수 있고이 밀봉물질은공동을통해앵커부분으로연장하여앵커부분에추가적인강도를제공한다.

摘要翻译： 技术领域本发明总体上涉及用于制造MEMS或NEMS器件的方法和设备。 具有比悬臂结构上的下部重组系数的材料制成的薄膜层可以在悬臂结构，RF电极和池电极断开来沉积。 薄膜层使引入到空腔中，以降低整体蚀刻速率组合材料在空腔中使得它可以增加腔内的牺牲材料的蚀刻速率的蚀刻气体。 蚀刻AIGUES本身可以通过与悬臂结构的锚定部分线性对齐的开口内的胶囊型层被引入，使得首先蚀刻该牺牲材料的顶层。 然后密封材料可以密封空腔并且密封材料穿过空腔延伸到锚固部分以向锚固部分提供额外的强度。

公开(公告)号：KR1020160037961A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：KR1020167004660

申请日：2014-07-23

申请人： 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니

发明人： 데이비드모세스엠 ,  유타-화 ,  베이츠다니엘에스 ,  세쓰제이쉬리 ,  버거마이클에스 ,  프랑케카르스텐 ,  제헨트마이어세바스챤에프

IPC分类号： B81C1/00 ,  C09J7/02

CPC分类号： C23C16/0245 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0132 ,  C09J7/22 ,  C09J2201/606 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3341

摘要： 반응종으로기재의주 표면을에칭하면서사실상동시에가스상혼합물로부터플라즈마화학증착에의해표면에층을침착시킴으로써나노구조체를제조하는방법및 나노구조화물품. 본방법은기재를제공하는단계, 플라즈마로형성될때 기재상에층을침착시킬수 있는제1 가스종을, 플라즈마로형성될때 기재를에칭할수 있는제2 가스종과혼합하여, 가스상혼합물을형성하는단계, 가스상혼합물을플라즈마로형성하는단계, 및기재의표면을플라즈마에노출시켜 - 표면이에칭되고, 사실상동시에, 에칭된표면의적어도일부분상에층이침착되며 -, 그럼으로써나노구조체를형성하는단계를포함한다. 기재는 (공)중합체성재료, 무기재료, 합금, 고용체, 또는이들의조합일수 있다. 침착된층은유기규소화합물, 금속알킬화합물, 금속아이소프로폭사이드화합물, 금속아세틸아세토네이트화합물, 금속할로겐화물화합물, 및이들의조합으로이루어진군으로부터선택되는화합물을포함하는반응물가스를사용하는플라즈마화학증착의반응생성물을포함할수 있다. 고종횡비를갖고선택적으로적어도하나의치수에서, 그리고바람직하게는 3개의직교하는치수들에서랜덤한치수를갖는나노구조체가제조될수 있다.

摘要翻译： 一种通过从气体混合物的等离子体化学气相沉积而将基底沉积到基底的主表面上而形成纳米结构和纳米结构化制品的方法，同时基本上同时用反应性物质蚀刻该表面。 该方法包括提供基板; 当形成等离子体时，能够将能够沉积到衬底上的第一气态物质混合，当形成等离子体时，能够蚀刻衬底的第二气态物质，从而形成气态混合物; 将气态混合物形成等离子体; 以及将所述衬底的表面暴露于所述等离子体，其中所述表面被蚀刻并且基本上同时地在所述蚀刻表面的至少一部分上沉积层，从而形成所述纳米结构。 基底可以是（共）聚合物材料，无机材料，合金，固溶体或其组合。 沉积层可以包括使用包含选自有机硅化合物，金属烷基化合物，金属异丙醇化合物，金属乙酰丙酮化合物，金属卤化物化合物及其组合的化合物的反应气体的等离子体化学气相沉积的反应产物。 可以制备高纵横比的纳米结构，并且任选地在至少一个维度，优选三个正交尺寸的随机尺寸。

公开(公告)号：KR1020150135287A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：KR1020157026106

申请日：2014-03-17

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 스기타,깃페이 ,  하시모토,히로유키

IPC分类号： B81C1/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： B81C1/00047 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0132 ,  B82Y40/00

摘要： 오목형상을포함하는하부구조체(30)가준비되고, 증착중합법에의해, 상기하부구조체위에유기막으로이루어지는희생막(40)을퇴적시켜, 상기오목형상이상기희생막으로매립되고, 상기희생막의불필요부분이제거되고, 불필요부분이제거된상기희생막위에상부구조체(50)가형성되고, 상기희생막을제거하여, 상기하부구조체와상기상부구조체의사이에공극을형성함으로써, 중공구조체가제조된다.

公开(公告)号：KR1020140002731A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：KR1020137021344

申请日：2012-01-13

申请人： 카벤디시 키네틱스, 인크.

发明人： 르노,미카엘 ,  레이시,조셉대미언고든 ,  조쉬,비크람 ,  맥과이어,토머스엘.

IPC分类号： B81C1/00 ,  H01L29/84 ,  H01L21/00

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00039 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714

摘要： 본 발명은 일반적으로 MEMS 또는 NEMS 디바이스를 제조하는 방법 및 이 디바이스에 관한 것이다. 캔틸레버 구조체에 비해 더 낮은 재결합 계수를 가지는 물질의 박막 층은 캔틸레버 구조체, RF 전극 및 풀오프 전극 위에 증착될 수 있다. 박막층은 공동으로 도입되는 에칭 가스로 하여금 공동 내에 전체 에칭제 재결합 속도를 감소시켜 공동 내에 희생 물질의 에칭 속도를 증가시킬 수 있게 한다. 에칭제 그 자체는 희생 물질의 최상부 층이 제일 먼저 에칭되도록 캔틸레버 구조체의 앵커 부분과 선형으로 정렬된 캡슐 층 내 개구를 통해 도입될 수 있다. 이후 밀봉 물질이 공동을 밀봉할 수 있고 이 밀봉 물질은 공동을 통해 앵커 부분으로 연장하여 앵커 부분에 추가적인 강도를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020130103149A

公开(公告)日：2013-09-23

申请号：KR1020120024551

申请日：2012-03-09

申请人： 주식회사 윈텔

发明人： 정성현 ,  이향주

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： B81C1/00531 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0132 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76898

摘要： PURPOSE: A plasma processing method and a substrate processing apparatus are provided to form a through silicon via hole with the uniformity of a large area and a fast processing speed. CONSTITUTION: A first plasma source (110a) and a second plasma source (210b) are mounted in a chamber (152). A first gas is provided to the first plasma source. A second gas is different from the first gas and is provided to the second plasma source. First plasma is formed by applying power to the first plasma source. Second plasma is formed by applying the power to the second plasma source. A substrate (156) is processed in the chamber by using the first plasma and the second plasma.

摘要翻译： 目的：提供等离子体处理方法和基板处理装置，以形成具有大面积均匀性和快速处理速度的贯穿硅通孔。 构成：将第一等离子体源（110a）和第二等离子体源（210b）安装在腔室（152）中。 第一气体被提供给第一等离子体源。 第二气体与第一气体不同，并且被提供给第二等离子体源。 通过对第一等离子体源施加电力来形成第一等离子体。 通过将电力施加到第二等离子体源来形成第二等离子体。 通过使用第一等离子体和第二等离子体在腔室中处理衬底（156）。

公开(公告)号：KR100593915B1

公开(公告)日：2006-06-30

申请号：KR1020040046014

申请日：2004-06-21

申请人： 삼성전기주식회사

发明人： 김종삼 ,  이성준 ,  이로운

IPC分类号： B81B7/02

CPC分类号： B81C1/00936 ,  B81C2201/0132

摘要： 본 발명은 멤스구조체및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 상,하부실리콘층사이에 산화막이 개재된 웨이퍼기판과, 상기 웨이퍼기판에 일체로 연결되는 고정부및 상기 고정부에 대하여 유동가능하게 부유되는 가동부로 이루어지는 멤스구조체에 있어서, 상기 상부실리콘층에 1차 건식식각으로 형성되고, 2차 건식식각시 바닥면의 산화막이 제거된 에칭홀을 통해 통해 공급되는 식각용 가스에 의해 상기 가동부를 부유시키도록 일정깊이로 상기 하부실리콘층에 건식식각되는 부유공간과, 상기 부유공간을 사이에 두고 상기 하부실리콘층과 대응하도록 상기 가동부의 하부면에 잔류하는 쇼트방지용 산화막을 포함하여 구성된다.
본 발명에 의하면, 가동부의 움직임이 가능하도록 부유시키는 공간을 건식식각으로 형성하여 습식식각시 에칭액 건조과정에서 발생되던 점착현상을 근본적으로 방지하고, 전기적 특성및 안정성을 보장하며, 접착에 의한 쇼트사고를 미연에 방지할 수 있다.
멤스, 점착, 산화막, 웨이퍼기판, 에칭홀, 부유공간, 건식식각, 이온충격

公开(公告)号：KR1020060034849A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：KR1020040083855

申请日：2004-10-20

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 정석환 ,  최형

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC分类号： B81C1/00579 ,  B81C2201/0132

摘要： 개시된 SOI(Silicon on Insulator)기판은 기판, 산화막층, 실리콘층이 차례로 적층되어 구성되며, 산화막층에는 통전홀이 형성되어 실리콘층의 일부가 통전홀을 통해 매립되어 기판과 연통된다. 따라서, 실리콘층 딥 에칭시 노치가 발생되는 것을 해소시킨다. 이러한 SOI기판 구조를 응용하여 부유 구조체를 제조함에 따라 부유 구조체의 식각성을 향상시킨다. 그 부유 구조체 제조 방법은 기판에 소정 두께로 산화막층을 형성하는 단계와, 산화막층에 형성하되 부유물 내부에 해당하는 영역 내에 복수개의 통전홀을 형성하는 단계와, 산화막층에 형성시키되 통전홀을 통하여 기판과 연통되는 실리콘층을 형성하는 단계와, 실리콘층에 부유물의 형상을 패터닝하는 단계와, 패터닝 된 부유물의 영역 내의 산화막층을 제거하는 단계와, 실리콘층 표면에 열산화막을 형성하는 단계, 및 열산화막을 제거하여 부유물을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020050033071A

公开(公告)日：2005-04-08

申请号：KR1020057002124

申请日：2003-08-14

申请人： 페르킨엘머 테크놀로지스 게엠베하 운트 코. 가게

发明人： 하우스너,마르틴

IPC分类号： H01L21/32

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0142 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3081

摘要： The invention relates to a method for selectively removing material from the surface of a substrate in order to form a recess, comprising the following steps: applying a mask to the surface of the substrate in accordance with the desired selective removal, and; dry etching the substrate, whereby metal, preferably aluminum, is used as a masking material. Energy can be inductively injected into a plasma.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于选择性地从衬底的表面除去材料以形成凹陷的方法，包括以下步骤：根据所需的选择性去除将掩模施加到衬底的表面;以及 干蚀刻基板，由此使用金属，优选铝作为掩模材料。 能量可以感应注入等离子体。

公开(公告)号：KR1020000050852A

公开(公告)日：2000-08-05

申请号：KR1019990000980

申请日：1999-01-15

申请人： 삼성전기주식회사

发明人： 백석순 ,  하병주 ,  오용수

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： B81B3/0086 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0132

摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a micro inertial sensor is provided to improve reliability and capability by processing a thick silicon joined to a glass in a high section ratio so that a measured surface and thickness becomes large, to eliminate parasitic capacitance generally caused by a silicon substrate by using glass as a substrate instead of silicon, and to reduce a manufacturing cost by a simple process using a mask. CONSTITUTION: A method for manufacturing a micro inertial sensor comprises the steps of: bonding a bulk silicon on a glass substrate; polishing the bonded bulk silicon to a desired thickness; forming an inertial sensor structure by etching the polished bulk silicon by an anisotropic etching method; forming a vacuum space by etching glass of a bottom portion of the silicon inertial sensor structure; and evaporating metal for an electrode on the entire surface of the etched chips.

摘要翻译： 目的：提供一种制造微惯性传感器的方法，以通过以高截面比加工连接到玻璃的厚硅，以便测量的表面和厚度变大，从而提高可靠性和能力，以消除通常由硅引起的寄生电容 通过使用玻璃作为基板代替硅，并且通过使用掩模的简单工艺来降低制造成本。 构成：微惯性传感器的制造方法包括以下步骤：将体硅结合在玻璃基板上; 将粘结体硅抛光至所需厚度; 通过各向异性蚀刻方法蚀刻抛光的体硅来形成惯性传感器结构; 通过蚀刻硅惯性传感器结构的底部的玻璃来形成真空空间; 并在蚀刻芯片的整个表面上蒸发用于电极的金属。