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    전기전도성 실리콘옥시카바이드 세라믹스 및 이의 제조방법
    6.
    发明授权
    전기전도성 실리콘옥시카바이드 세라믹스 및 이의 제조방법 有权
    导电碳氧化硅陶瓷及其制造方法

    公开(公告)号：KR101735456B1

    公开(公告)日：2017-05-15

    申请号：KR1020160007970

    申请日：2016-01-22

    Applicant: 서울시립대학교 산학협력단

    Inventor： 엄정혜 ,  김영욱

    IPC: C01B33/025 ,  C01B31/36 ,  C04B35/56

    CPC classification number: C01B33/025 ,  C01B32/956 ,  C04B35/5603

    Abstract: 폴리실록산과카본계원료를이용한실리콘옥시카바이드세라믹스, 및폴리실록산과카본계원료를혼합및 건조시키는단계,상기건조된혼합물을경화시키는단계, 상기경화된결과물을열분해시키는단계, 상기열분해된결과물을 1 ㎛미만의입자크기를가지도록분쇄(grinding)시키는단계, 및상기분쇄된결과물을가압소결시키는단계를포함하는실리콘옥시카바이드세라믹스의제조방법에관한것이다. 본발명에서는폴리실록산에탄소계원료를사용하여, 그첨가량을최적화시킴에따라균열이없고, 치밀한구조를가지는전기전도성실리콘옥시카바이드세라믹스를제조하였다. 또한, 본발명에서는종래박막크기로밖에제조할수 없었던실리콘옥시카바이드세라믹스를벌크상태로제조할수 있는방법을제공함으로써, 상기실리콘옥시카바이드세라믹스를다양한용도에적용할수 있는효과를가진다.

    Abstract translation: 硅使用聚硅氧烷和碳基质原料的碳氧化物陶瓷，和一步，步骤，其中用于固化所得的热分解的热分解的结果固化步骤中，将干混的混合物和干燥该聚硅氧烷和碳基原料㎛ 以及压制并烧结粉碎产物。本发明还涉及制造碳氧化硅陶瓷的方法。 在本发明中，通过使用聚硅氧烷乙烷类原料并使其添加量最佳化，制作了无裂纹且具有致密结构的导电性碳氧化硅陶瓷。 此外，在本发明中它通过提供可以产生碳氧化硅陶瓷不能只产生作为传统的薄膜尺寸到体，其可以适用于多种用途的碳氧化硅陶瓷的效果的方法具有。

    유전체층 및 금속층이 결합된 반도체 소자, 이의 제조방법, 및 반도체 소자에서 유전체층 및 금속층을결합시키기 위한 물질
    7.
    发明公开
    유전체층 및 금속층이 결합된 반도체 소자, 이의 제조방법, 및 반도체 소자에서 유전체층 및 금속층을결합시키기 위한 물질 无效
    包括耦合电介质层和金属层的半导体器件，其制造方法以及用于耦合电介质层和金属层在半导体器件中的材料

    公开(公告)号：KR1020080112186A

    公开(公告)日：2008-12-24

    申请号：KR1020087007776

    申请日：2006-09-01

    Applicant: 코닌클리케 필립스 엔.브이.

    Inventor： 파카스제노스 ,  코르딕스르디안 ,  골드버그신디

    IPC: C07F7/08 ,  C07F7/12 ,  C07F7/18 ,  C23C18/18

    CPC classification number: H01L21/3105 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/565 ,  C04B2235/483 ,  C08G77/60 ,  C08L83/16 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76838

    Abstract: A passivating coupling material for, on the one hand, passivating a dielectric layer in a semiconductor device, and on the other hand, for permitting or at least promoting liquid phase metal deposition thereon in a subsequent process step. In a particular example, the dielectric layer may be a porous material having a desirably decreased dielectric constant k, and the passivating coupling material provides steric shielding groups that substantially block the adsorption and uptake of ambient moisture into the porous dielectric layer. The passivating coupling materials also provides metal nucleation sides for promoting the deposition of a metal thereon in liquid phase, in comparison with metal deposition without the presence of the passivating coupling material. The use of a liquid phase metal deposition process facilitates the subsequent manufacture of the semiconductor device. In one example, the passivating coupling material has multiple Si atoms in its chemical composition, which desirably increases the thermal stability of the material. ® KIPO & WIPO 2009

    Abstract translation: 一种钝化耦合材料，一方面使半导体器件中的电介质层钝化，另一方面，用于在随后的工艺步骤中允许或至少促进液相金属沉积。 在具体实例中，电介质层可以是具有理想的降低介电常数k的多孔材料，并且钝化耦合材料提供空间屏蔽基团，其基本上阻止环境水分吸附和吸收到多孔介电层中。 与金属沉积相比，钝化耦合材料还提供金属成核侧，用于促进金属沉积在液相中，而不存在钝化偶联材料。 使用液相金属沉积工艺有助于随后的半导体器件的制造。 在一个实例中，钝化偶联材料在其化学组成中具有多个Si原子，这有利地增加了材料的热稳定性。 ®KIPO＆WIPO 2009

    실리콘-메틸 결합을 함유하는 절연층을 포함하는 다층 구조의 절연막 및 그 형성방법
    10.
    发明公开
    실리콘-메틸 결합을 함유하는 절연층을 포함하는 다층 구조의 절연막 및 그 형성방법 有权
    多层绝缘层，包括含有硅 - 甲基组合的绝缘膜及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020000074613A

    公开(公告)日：2000-12-15

    申请号：KR1019990018663

    申请日：1999-05-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정현담 ,  박희숙 ,  신홍재 ,  김병준

    IPC: H01L21/31

    CPC classification number: H01L23/53295 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/565 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24843 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/263 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

    Abstract: PURPOSE: A multi-layered insulating layer including an insulating film containing a silicon-methyl combination is provided to reduce a resistor-capacitor(RC) delay occurring in a metal interconnection system, by using a low dielectric material such as methyl silesquioxane to form a multi-layered structure. CONSTITUTION: A multi-layered insulating layer including an insulating film containing a silicon-methyl combination comprises the first insulating layer(130), an adhesive surface(130a) and the second insulating layer. The first insulating layer contains a Si-CH3 combination inside, formed over a conductive pattern on a semiconductor substrate. The adhesive surface that is a part of the first insulating layer is exposed to the surface of the first insulating layer, having a carbon composition less than that of other portions of the first insulating layer. The second insulating layer is formed on the adhesive surface of the first insulating layer so that a dipole-dipole interaction can occur between the adhesive surface and the second insulating layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种包含含硅 - 甲基组合物的绝缘膜的多层绝缘层，以通过使用低介电性材料如甲基倍半硅氧烷来减少在金属互连系统中发生的电阻 - 电容（RC）延迟，以形成 多层结构。 构成：包含含硅甲基组合物的绝缘膜的多层绝缘层包括第一绝缘层（130），粘合表面（130a）和第二绝缘层。 第一绝缘层在内部包含Si-CH3组合，形成在半导体衬底上的导电图案上。 作为第一绝缘层的一部分的粘合剂表面暴露于第一绝缘层的表面，其碳组成小于第一绝缘层的其它部分的碳组成。 第二绝缘层形成在第一绝缘层的粘合剂表面上，使得在粘合剂表面和第二绝缘层之间可能发生偶极 - 偶极相互作用。

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