公开(公告)号：KR101546553B1

公开(公告)日：2015-08-21

申请号：KR1020107013879

申请日：2008-11-07

Applicant: 혼슈우 카가쿠고교 가부시키가이샤

Inventor： 요시토모아키라 ,  이와이다츠야

IPC: C07C69/736 ,  C07C69/712 ,  C07C59/70 ,  C07C47/56

CPC classification number: C07C69/712 ,  C07C51/29 ,  C07C59/68 ,  C07C69/738 ,  C07C2601/14

Abstract: 화학식 1로표시되는비스(포르밀페닐) 화합물은, 예를들면, 상당하는비스(히드록시-포르밀페닐) 화합물을직접원료로하고, 이것에할로겐화알콕시카르보닐탄화수소를공지의페닐에테르제조법에따라염기의존재하에서반응시킴으로써제조한다.

公开(公告)号：KR101510646B1

公开(公告)日：2015-04-10

申请号：KR1020097018000

申请日：2008-02-13

Applicant: 호르모스 메디칼 리미티드

Inventor： 쇠더발마리야 ,  엘로란타마이레 ,  칼라푸다스아리야

IPC: C07C41/01 ,  C07C43/23

CPC classification number: C07C41/30 ,  C07C41/26 ,  C07C67/31 ,  Y02P20/55 ,  C07C69/712 ,  C07C43/23

Abstract: 본발명은치료적으로유용한트리페닐부텐유도체, 특히, 오스페미펜또는피스페미펜의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020120120222A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020127018114

申请日：2011-01-13

Applicant: 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드

Inventor： 에치고,마사토시 ,  오구로,다이

IPC: C07C43/192 ,  C07C43/18 ,  C07C59/72 ,  G03F7/004

CPC classification number: C07C69/54 ,  C07C43/12 ,  C07C43/23 ,  C07C59/72 ,  C07C69/712 ,  C07C2601/14 ,  C08F20/28 ,  C08F220/28 ,  C08K5/04 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  C07C43/192 ,  C08F220/20 ,  G03F7/0045 ,  C08F2220/282 ,  C08F2220/283

Abstract: 포토 레지스트 분야, 의약?농약 중간체 분야 등에 유용한 비시클로헥산 유도체 화합물 및 그 제조 방법을 제공한다. 하기 일반식(II)으로 표시되는 비시클로헥산 유도체 화합물을 제공한다.

(식(II) 중, Y는 독립적으로, 탄소수 1~10의 알킬기, 할로겐원자, 아실옥시기, 알콕시카르보닐기 또는 수산기를 나타내고, X
1 은 할로겐원자를 나타내고, m은 0~11, m'는 0~10의 정수를 나타낸다.)

公开(公告)号：KR100947907B1

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：KR1020047021625

申请日：2003-07-08

Applicant: 장피트

Inventor： 나지브,쟈밀라 ,  꼬몽-베르트랑,꺄린느

IPC: A61K31/216 ,  A61K31/192 ,  A61K31/05

CPC classification number: A61K31/05 ,  A61K31/055 ,  A61K31/192 ,  A61K31/216 ,  C07C59/90 ,  C07C69/712 ,  C07C69/738 ,  C07C323/22 ,  C07C323/52

Abstract: 본 발명은 치료 용도로 고안된 치환된 1,3-디페닐프로프-2-엔-1-온 유도체에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 특히 심혈관 질환, X 증후군, Ia 재협착, 당뇨, 비만, 고혈압, 염증 질환, 암 또는 종양(양성 또는 악성 종양), 신경변성, 피부 질환 및 산화적 스트레스를 치료 또는 예방 및 일반적인 노화 및 예컨대 피부 노화, 특히 화장품 분야에서(주름 등의 발생)의 노화 효과를 예방 및 치료하는데 유용하다.
1,3-디페닐프로프-2-엔-1-온, 염증, 노화, 지질, 글루코스, 신경변성, 산화 스트레스, 약제학적 조성물, 피부

公开(公告)号：KR1020090097905A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：KR1020097014039

申请日：2008-01-08

Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤

Inventor： 시미즈,다이스께 ,  마루야마,겐 ,  가이,도시유끼 ,  시모까와,즈또무

IPC: C07C39/17 ,  C07C43/23 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: C07C39/17 ,  C07C43/23 ,  C07C69/712 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  G03F7/0045 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0271

Abstract: Disclosed is a compound represented by the general formula (1) below, which is a raw material for a radiation-sensitive composition capable of forming a resist film which is effectively sensitive to an electron beam and the like and excellent in low roughness and the like, while being capable of stably forming a fine pattern with high precision.

Abstract translation: 公开了以下通式（1）表示的化合物，其为能够形成对电子束等有效敏感的抗蚀剂膜的放射线敏感性组合物的原料，并且具有优异的低粗糙度等 同时能够以高精度稳定地形成精细图案。

公开(公告)号：KR100843028B1

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：KR1020077002273

申请日：2005-06-21

Applicant: 에프. 호프만-라 로슈 아게

Inventor： 악케르만장 ,  애비요한네스 ,  빙겔리알프레드 ,  그레터우웨 ,  쿤번드 ,  마에르키한스-페터 ,  메이어마르쿠스

IPC: C07C59/70 ,  C07C69/712 ,  C07C235/34 ,  A61K31/192

CPC classification number: C07D213/30 ,  C07C69/712 ,  C07D239/26

Abstract: 본 발명은 화학식 I의 화합물, 및 이것의 약학적으로 허용되는 염 및/또는 에스터에 관한 것이다.
화학식 I

[상기 식에서,
R
5 , R
6 및 R
7' 중 하나는 _이며, X
1 , X
2 , R
1 내지 R
12 , m, n, 및 o는 본원에서 기술된 바와 같다]
본 발명은 또한 이러한 화합물을 함유한 약학 조성물, 이것의 제조 방법 및 PPARδ 및/또는 PPARα 작용제에 의해 조절되는 질병의 치료 및/또는 예방을 위한 상기 화합물의 용도에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100810948B1

公开(公告)日：2008-03-10

申请号：KR1020037005038

申请日：2001-11-22

Applicant: 노파르티스 아게

Inventor： 브레인크리스토퍼토마스 ,  컬쇼우앤드류제임스 ,  드지아둘레위츠에드워드카롤 ,  쇼프페르울리크

IPC: C07C49/84

CPC classification number: C07D285/14 ,  C07C49/84 ,  C07C69/017 ,  C07C69/712 ,  C07C69/76 ,  C07C69/94 ,  C07C205/45 ,  C07C217/76 ,  C07C217/94 ,  C07C225/22 ,  C07C235/84 ,  C07C243/28 ,  C07C251/24 ,  C07C255/56 ,  C07C259/18 ,  C07C275/32 ,  C07C311/08 ,  C07C311/29 ,  C07C317/22 ,  C07C323/21 ,  C07C323/42 ,  C07C2602/08 ,  C07C2602/10 ,  C07D215/08 ,  C07D215/20 ,  C07D215/32 ,  C07D215/58 ,  C07D217/02 ,  C07D231/12 ,  C07D233/56 ,  C07D249/08 ,  C07D271/12 ,  C07D295/088 ,  C07D295/096 ,  C07F9/304 ,  C07F9/3229 ,  C07F9/5728 ,  C07F9/60

Abstract: The invention relates to novel naphthalene derivatives of formula (I) and their use as cannabinoid receptor agonists wherein X, R 1 , R 2 and R 3 are as defined in the description, processes for their production, their use as pharmaceutical and pharmaceutical compositions comprising them.

公开(公告)号：KR1020080018944A

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：KR1020087000494

申请日：2006-06-30

Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

Inventor： 히로사키다카코 ,  시오노다이주 ,  히라야마다쿠 ,  하다히데오

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0397 ,  C07C67/343 ,  C07C69/712 ,  C07C2603/74 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/0392

Abstract: Disclosed is a positive resist composition which enables to form a resist pattern which is reduced in roughness. Also disclosed is a method for forming a resist pattern. Specifically disclosed is a positive resist composition containing a compound represented by the following general formula (I). (I) (In the formula (I), R11 and R12 independently represent an alkyl group having 1-10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group, and they may contain a heteroatom in their structures; R21-R24 independently represent a hydrogen atom or an acid-cleavable dissolution inhibiting group, and two of R21-R24 are hydrogen atoms and the other two are acid-cleavable dissolution inhibiting groups; j and k independently represent 0 or an integer of not less than 1 while j + k is not more than 4; and X represents a group represented by the general formula (Ia) or (Ib) below.) (Ia) (Ib) Also specifically disclosed is a method for forming a resist pattern by using such a positive resist composition.

Abstract translation: 公开了能够形成粗糙度降低的抗蚀剂图案的正型抗蚀剂组合物。 还公开了形成抗蚀剂图案的方法。 具体公开的是含有由以下通式（I）表示的化合物的正型抗蚀剂组合物。 （I）（式（I）中，R 11和R 12分别独立地表示碳原子数1〜10的烷基或芳香族烃基，它们的结构可以含有杂原子; R 21〜R 24独立地表示氢原子或 可酸裂解溶解抑制基团，R21-R24中的两个为氢原子，另两个为酸可裂解溶解抑制基团; j和k独立地表示0或不小于1的整数，而j + k不大于 （Ia）（Ib）还具体公开了通过使用这种正性抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，其中X表示通式（Ia）或（Ib）表示的基团。

公开(公告)号：KR1020050122087A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：KR1020040047240

申请日：2004-06-23

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김대황 ,  정근회 ,  장해성 ,  고영관 ,  류재욱 ,  우재춘 ,  구동완

IPC: C07C67/40 ,  C07C69/736

CPC classification number: C07C309/73 ,  C07B2200/07 ,  C07C67/11 ,  C07C69/712 ,  C07C69/78

Abstract: 본 발명은 광학활성 (
R )-2-페녹시프로피온산 유도체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는
p- 치환된 페놀 유도체와 알킬 (
S )-2-아릴술포닐옥시프로피오네이트를 반응 원료물질로 사용하고, 이를 알칼리금속염 염기와 탄화수소 용매 존재 하에서 60 ∼ 100 ℃ 온도로 반응시켜 다음 화학식 1로 표시되는 광학활성 (
R )-2-페녹시프로피온산 유도체를 고순도로 제조하는 방법에 관한 것이다.

상기 화학식 1에서, A는 벤조일옥시(BzO)기, 아세톡시(AcO)기,
p- 톨루엔술포닐옥시(
p- TsO)기, 또는 C
1 -C
6 의 지방족 아실기를 나타내고; R은 수소원자 또는 C
1 -C
6 의 알킬기를 나타낸다.

公开(公告)号：KR100532102B1

公开(公告)日：2005-11-29

申请号：KR1020030033837

申请日：2003-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경훈 ,  유승민 ,  정연경

IPC: C07C69/94 ,  C07C69/732 ,  C09D11/38 ,  B41J2/01

CPC classification number: C09D11/38 ,  C07C49/84 ,  C07C69/50 ,  C07C69/712 ,  C07C69/76 ,  C07C69/92 ,  C07C229/08 ,  C07C229/60 ,  C09D11/03

Abstract: 하기 화학식 1로 표시되는 벤조페논계 화합물 및 이를 포함하는 잉크 조성물을 제공한다. 하기 화학식 1로 표시되는 본 발명의 벤조페논계 화합물은 자외선 흡수 특성을 갖고 있어서 인쇄, 복사, 출력 및/또는 도포된 화상의 내광성을 개선할 수 있을 뿐만 아니라 잉크조성물중의 착색제의 분산성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 벤조페논계 화합물은 내광성 분산제로서 역할을 수행하므로 이를 잉크 조성물에 첨가하면 별도의 내광성 물질을 첨가하지 않더라도 잉크 조성물의 분산성과 내광성을 동시에 개선시킬 수 있다.
[화학식 1]