利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

117 条记录 (耗时 0.064 秒)

    포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법
    2.
    发明授权
    포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 有权
    正型抗蚀剂组合物，形成抗蚀剂图案的方法

    公开(公告)号：KR101780156B1

    公开(公告)日：2017-09-19

    申请号：KR1020160118409

    申请日：2016-09-13

    申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

    发明人： 마츠미야다스쿠 ,  시오노다이주 ,  히라노도모유키 ,  다자이다카히로 ,  엔도고타로

    IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/42 ,  G03F7/32 ,  G03F7/11

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  Y10S430/111

    摘要： 산의작용에의해알칼리현상액에대한용해성이증대되는기재성분 (A), 및노광에의해산을발생하는산발생제성분 (B) 를함유하는포지티브형레지스트조성물로서, 상기기재성분 (A) 가, 일반식 (a0-1) 로나타내는구성단위 (a0) 과, 산해리성용해억제기를함유하는아크릴산에스테르로부터유도되는구성단위 (a1) 과, 일반식 (a3-1) 로나타내는, 수산기함유지방족탄화수소기를함유하는아크릴산에스테르로부터유도되는구성단위 (a3) 을갖는고분자화합물 (A1) 을함유하고, 그고분자화합물 (A1) 을구성하는전체구성단위의합계에대한상기구성단위 (a3) 의비율이 1 ∼ 30 몰% 의범위내인것을특징으로하는포지티브형레지스트조성물. [화학식 1]

    摘要翻译： 由酸成分（A），和用于产生在暴露的第一组分（B）的溶解的酸产生剂的作用描述了溶解度在碱性显影剂的增加，碱成分作为正型抗蚀剂含有组合物（A）一 通式（A0-1）由和表示的结构单元（a0），由含有酸解离性的丙烯酸酯衍生的结构单元（a1）抑制到音频，由式（A3-1）中，含羟基的脂族烃为代表 基于总的含有由丙烯酸酯衍生而来的结构单元（a3），和构成该高分子化合物的高分子化合物（A1）（A1）的全部结构单元的组成单元（a3）的含有1内容 摩尔至30摩尔％。 [式1]

    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물 및 고분자 화합물
    6.
    发明公开
    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물 및 고분자 화합물 审中-实审
    耐蚀组合物，形成耐火图案，化合物和聚合物的方法

    公开(公告)号：KR1020130051887A

    公开(公告)日：2013-05-21

    申请号：KR1020120125235

    申请日：2012-11-07

    申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

    发明人： 다카키다이치 ,  시오노다이주 ,  우츠미요시유키 ,  가이호다카아키

    IPC分类号： G03F7/028 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26

    CPC分类号： C07C233/92 ,  C07C233/90 ,  C07C233/91 ,  C07C235/88 ,  C07D493/08 ,  C08F220/18 ,  C08F220/30 ,  C08F220/40 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/30 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/028

    摘要： PURPOSE: A resist composition, a compound for the resist composition, and a structure unit derived from the compound is provided to have excellent sensitivity, resolution, lithography performance, and etching resistance. CONSTITUTION: A resist composition contains a substrate component of which solubility to developer is changed by acid function; and an acid generator component generating acid by exposure;. The substrate component contains a polymer compound which has a structure unit represented by chemical formula 1. A resist patterning method comprises a process forming a resist film by using the resist composition, on a support; a step of exposing the resist film; and a step of forming a resist pattern by developing the resist film. The polymer compound has a structure unit represented by chemical formula 1.

    摘要翻译： 目的：提供抗蚀剂组合物，抗蚀剂组合物的化合物和由化合物衍生的结构单元，以具有优异的灵敏度，分辨率，光刻性能和耐蚀刻性。 构成：抗蚀剂组合物含有其对显影剂的溶解度由酸功能改变的底物组分; 和通过暴露产生酸的酸发生剂组分。 基板部件含有具有由化学式1表示的结构单元的高分子化合物。抗蚀剂图案形成方法包括在载体上使用抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜的工艺; 暴露抗蚀剂膜的步骤; 以及通过显影抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案的步骤。 高分子化合物具有由化学式1表示的结构单元。

    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 및 고분자 화합물
    8.
    发明公开
    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 및 고분자 화합물 审中-实审
    耐蚀组合物，形成耐蚀图案和聚合物的方法

    公开(公告)号：KR1020120100728A

    公开(公告)日：2012-09-12

    申请号：KR1020120013900

    申请日：2012-02-10

    申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

    发明人： 다카키다이치 ,  시오노다이주 ,  아라이마사토시 ,  이와시타준 ,  곤노겐리

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00

    CPC分类号： C08F228/06 ,  C08F220/22 ,  C08F220/38 ,  C08F228/02 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/0392

    摘要： PURPOSE: A resist composition, a resist pattern forming method using the same, and a polymer compound are provided to improve the sensitivity of the resist patterns. CONSTITUTION: A resist composition includes a base component. The base component generates acid by exposure. The dissolution of the base component to a developer is changed by the action of the acid. The base component includes a resin component containing a first structural unit with a group represented by chemical formula 1 and a second structural unit. The second structural unit is derived from acrylic acid ester, and a hydrogen atom bonded to the carbon atom of the acrylic acid ester at an A position is substitutable with a substituent. The second structural unit contains an acid labile group, and the polarity of the second structural unit is increased by the action of the acid. In chemical formula 1, Q1 is a group containing -O-, -CH_2-O-, or -C(=O)-O-; Rq1 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group; Y3 is C1-4 linear or branched alkylene group; m3 is the integer of 1 to 4; and X^+ is organic cation.

    摘要翻译： 目的：提供抗蚀剂组合物，使用其的抗蚀剂图案形成方法和高分子化合物以提高抗蚀剂图案的灵敏度。 构成：抗蚀剂组合物包括基础组分。 基础组分通过暴露产生酸。 通过酸的作用改变了基础组分对显影剂的溶解。 基础组分包括含有由化学式1表示的基团的第一结构单元和第二结构单元的树脂组分。 第二结构单元来自丙烯酸酯，在A位上与丙烯酸酯的碳原子键合的氢原子可以被取代基取代。 第二结构单元含有酸不稳定基团，第二结构单元的极性通过酸的作用而增加。 在化学式1中，Q1是含有-O - ， - CH 2 -O-或-C（= O）-O-的基团。 Rq1是氟原子或氟代烷基; Y 3是C 1-4直链或支链亚烷基; m3为1〜4的整数; 而X ^ +是有机阳离子。

    포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
    9.
    发明公开
    포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 有权
    正电阻组合物和形成电阻图案的方法

    公开(公告)号：KR1020110052474A

    公开(公告)日：2011-05-18

    申请号：KR1020100109553

    申请日：2010-11-05

    申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

    发明人： 히라노도모유키 ,  시오노다이주 ,  다카키다이치

    IPC分类号： G03F7/039 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/0274

    摘要： PURPOSE: A positive type resist composition and a method for forming a resist pattern are provided to accurately form a micro resist pattern and obtain the superior sensitivity, the resolution, and the etching resistance. CONSTITUTION: A positive type resist composition includes a resin component and an acid generating component. The solubility of the resin component with respect to an alkaline developing solution is increased by the action of acid. The acid generator component generates acid by an exposing operation. The resin component includes a polymer compound. The polymer compound includes a structure unit with an acid-dissociable dissolution inhibiting group, a structure unit with a base dissociating group, and a structure unit represented by chemical formula 1.

    摘要翻译： 目的：提供正型抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法以精确地形成微抗蚀剂图案，并获得优异的灵敏度，分辨率和耐蚀刻性。 构成：正型抗蚀剂组合物包括树脂组分和产酸组分。 通过酸的作用，树脂组分相对于碱性显影液的溶解度增加。 酸发生剂组分通过曝光操作产生酸。 树脂组分包括高分子化合物。 高分子化合物包括具有酸解离溶解抑制基团的结构单元，具有碱解离基团的结构单元和由化学式1表示的结构单元。

    포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 고분자 화합물
    10.
    发明公开
    포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 고분자 화합물 有权
    空值

    公开(公告)号：KR1020110046326A

    公开(公告)日：2011-05-04

    申请号：KR1020100104514

    申请日：2010-10-26

    申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

    发明人： 히라노도모유키 ,  시오노다이주 ,  다카키다이치

    IPC分类号： G03F7/039 ,  H01L21/027

    CPC分类号： C08F20/18 ,  C08F128/02 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274

    摘要： PURPOSE: A positive type resist composition, a method for forming a resist pattern, and a polymer compound are provided to suppress the generation of defects and improve the critical dimension uniformity of the resist pattern. CONSTITUTION: A positive type resist composition includes a base component and an acid generating component. The solubility of the base component is increased with respect to alkaline developing liquid by the action of acid. The acid generating component generates acid by an exposing operation. The base component includes a polymer in which a0 unit of a chemical formula a0-1 and a1 unit derived from acrylic acidester.

    摘要翻译： 目的：提供正型抗蚀剂组合物，形成抗蚀剂图案的方法和高分子化合物以抑制缺陷的产生并提高抗蚀剂图案的临界尺寸均匀性。 构成：正型抗蚀剂组合物包括基础组分和产酸组分。 通过酸的作用，碱性成分的溶解度相对于碱性显影液增加。 产酸组分通过曝光操作产生酸。 基础组分包括其中化学式a0-1的0单元和来自丙烯酸酯的a1单元的聚合物。