公开(公告)号：KR101911455B1

公开(公告)日：2018-10-24

申请号：KR1020177009689

申请日：2015-09-10

申请人： 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

发明人： 우지하라도루 ,  하라다슌타 ,  고이케다이키 ,  우메자키도모노리

IPC分类号： C30B19/10 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36

CPC分类号： C30B19/10 ,  C23C14/0635 ,  C30B9/06 ,  C30B15/30 ,  C30B19/062 ,  C30B19/068 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433

摘要： 탄화규소의오프기판상에표면거칠기를억제하면서탄화규소의단결정을성장시키는것이가능한방법을얻는다. 탄화규소의종결정을, 규소및 탄소를포함하는원료용액에접촉시키면서회전시키는탄화규소의결정의제조방법에있어서, 상기종결정의결정성장면은오프각을갖고, 상기종결정의회전중심의위치가, 상기종결정의중심위치에대하여, 상기오프각의형성방향인스텝플로우방향의하류측에있는것을특징으로하는탄화규소의결정의제조방법을이용한다.

公开(公告)号：KR1020170140148A

公开(公告)日：2017-12-20

申请号：KR1020170171497

申请日：2017-12-13

申请人： 한국화학연구원

发明人： 이상진 ,  이재흥 ,  최우진 ,  김철환 ,  김성현 ,  조성근 ,  함동석 ,  김광제 ,  박동순 ,  박재성

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/12 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  H01B1/04 ,  H01B1/12

CPC分类号： C23C14/3407 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/08 ,  C23C14/12 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3471 ,  H01B1/04 ,  H01B1/124

摘要： 본발명에따른 RF 스퍼터링용불소계고분자복합타겟은전압을인가하는금속전극과의접합력이우수하고, 휨발생을억제할수 있으며, 전도성을부여함으로써향상된플라즈마형성이가능하여불소계고분자의절연파괴를방지및 우수한증착율을나타낼수 있다.

摘要翻译： 用于RF氟化聚合物复合物靶溅射按照金属电极之间的本发明yiwoosu结合力用于施加电压，能够抑制翘曲，能够提高通过施加导电防止和含氟聚合物的优异的介电击穿形成的等离子体 可以指示沉积速率。

公开(公告)号：KR1020170029596A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：KR1020177003862

申请日：2015-07-03

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 호프만,랄프 ,  하산,비나야크비쉬와나쓰 ,  비즐리,카라 ,  포아드,마지드에이.

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/24 ,  H01J37/34 ,  H01J37/32 ,  G21K1/06 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C16/44

CPC分类号： G03F7/702 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/14 ,  C23C16/44 ,  G02B1/14 ,  G02B5/085 ,  G02B5/0891 ,  G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  G03F1/52 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  H01J37/32798 ,  H01J37/3429

摘要： 극자외선반사엘리먼트의제조의장치및 방법은, 기판; 기판상의다층스택― 다층스택은, 브랙반사기를형성하기위해, 실리콘으로형성된제 1 반사층, 및니오븀또는니오븀탄화물로형성된제 2 반사층을갖는복수의반사층 쌍들을포함함―; 및산화및 기계적인부식을감소시킴으로써다층스택을보호하기위한, 다층스택상의그리고위의캐핑층을포함한다.

摘要翻译： 一种制造极紫外反射元件的设备和方法包括：基片; 所述多层叠层包括多个反射层对，所述多个反射层对具有由硅形成的第一反射层和由用于形成布拉格反射器的铌或碳化铌形成的第二反射层; 以及在多层堆叠上和上方的覆盖层，用于通过减少氧化和机械侵蚀来保护多层堆叠。

公开(公告)号：KR1020160106737A

公开(公告)日：2016-09-12

申请号：KR1020167021940

申请日：2014-12-08

申请人： 페데랄-모굴 부르샤이트 게엠베하

发明人： 케네디,마르쿠스 ,  진나볼드,미하엘 ,  에서,페터

IPC分类号： C23C30/00 ,  C23C14/06 ,  C23C16/26 ,  F16J9/26

CPC分类号： F16J9/26 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0635 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/32 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/341 ,  C23C28/343 ,  C23C28/347 ,  C23C30/00 ,  C23C14/0605 ,  C23C16/26

摘要： 본발명은탄소기반코팅(carbon-based coating) 및적어도섹션들에서 0.05, 바람직하게는 0.08 내지 0.11, 바람직하게는 0.1 μm까지의 DIN EN ISO 4287에따르는표면조도(RΔ를가지는슬라이딩요소, 특히피스톤링에관한것이다.

摘要翻译： 本发明涉及一种滑动元件，特别是活塞环，其具有碳基涂层，并且至少部分地根据DIN EN ISO 4287的表面粗糙度（RΔq）为0.05，优选为0.08至0.11，优选为0.1 微米。

公开(公告)号：KR1020160084434A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：KR1020167015205

申请日：2015-03-13

申请人： 제이엑스금속주식회사

发明人： 오하시가즈마사 ,  오다구니히로

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/56 ,  C04B35/645 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5626 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3491

摘要： 본발명은, 순도가 4N 이상이고, 밀도가 98 % 이상인것을특징으로하는탄화텅스텐또는탄화티탄으로이루어지는스퍼터링타깃. 순도를고순도로유지함과함께밀도가높고, 균일하고또한고경도이며, 안정적인고속성막이가능하고파티클의발생이적은, 탄화텅스텐스퍼터링또는탄화티탄으로이루어지는타깃을제공하는것을과제로한다.

公开(公告)号：KR1020150115818A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：KR1020157022800

申请日：2014-02-07

申请人： 뷰, 인크.

发明人： 카일라삼,스리드하케이. ,  프리드만,로빈 ,  길라스피,데인 ,  프라단,앤슈에이. ,  로즈비키,로버트티. ,  메타니,디샤

IPC分类号： G02F1/15 ,  G02F1/155 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC分类号： G02F1/1533 ,  C23C14/028 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1309 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/15 ,  G02F1/1523 ,  G02F1/155 ,  G02F2001/1536 ,  G02F2001/1555 ,  G02F2201/508 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3476

摘要： 감전발색디바이스및 방법은전자전도층및/또는감전발색활성층이반대극성의층과접촉하는것 및결함이형성되는영역에서단락회로를생성하는것을방지하는결함-경감절연층의부가를채용할수 있다. 일부실시예에있어서, 캡슐화층은입자를캡슐화하고그것들이디바이스스택으로부터탈출되어후속층이퇴적될때 단락회로의위험이생기게하는것을방지하도록제공된다. 절연층은약 1 내지 108 옴-㎝의전자저항률을가질수 있다. 일부실시예에있어서, 상기절연층은이하의금속산화물중 하나이상을포함하고있다: 알루미늄산화물, 아연산화물, 주석산화물, 실리콘알루미늄산화물, 세륨산화물, 텅스텐산화물, 니켈텅스텐산화물및 산화된인듐주석산화물. 탄화물, 질화물, 산화질화물및 산화탄화물이또한사용될수 있다.

公开(公告)号：KR1020140081886A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020147013623

申请日：2012-10-18

申请人： 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 페피콘

发明人： 크라스니트저,시그프리드

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52 ,  C23C14/35 ,  C23C16/44 ,  B23G5/00

CPC分类号： C23C14/35 ,  B23B2228/105 ,  B23G5/06 ,  B23G2200/26 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/352 ,  C23C14/355 ,  C23C14/54 ,  C23C14/548 ,  C23C16/276 ,  C23C16/277 ,  C23C16/278 ,  C23C16/50 ,  C23C28/044 ,  C23C28/046 ,  C23C28/048 ,  C23C30/005 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3467 ,  Y10T408/78 ,  Y10T408/89

摘要： 본 발명은 서브스트레이트(substrate), 바람직하게는 드릴을 코팅하는 방법에 관한 것으로서, HiPIMS 프로세스에 의해 적어도 하나의 제1 HiPIMS 레이어가 적용된다. 바람직하게 제1 HiPIMS 레이어에 적어도 하나의 제2레이어가, HiPIMS 프로세스를 포함하지 않는 코팅 프로세스에 의해 적용된다.

摘要翻译： 本发明涉及用于涂覆基材，优选钻头的方法，其中通过HiPIMS方法施加至少一个第一HiPIMS层。 优选地，通过不包含HiPIMS工艺的涂覆工艺，将至少一个第二层施加到第一HiPIMS层。

公开(公告)号：KR101247829B1

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：KR1020050128029

申请日：2005-12-22

申请人： 산드빅 인터렉츄얼 프로퍼티 에이비

发明人： 마츠알그렌

IPC分类号： C23C30/00 ,  B23B27/14

CPC分类号： B23B27/14 ,  B23B2270/36 ,  C23C14/0015 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/0664 ,  C23C30/005 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31678

摘要： 본 발명은 절삭 인서트에 관한 것으로, 이 절삭 인서트는 초경합금, 서멧, 세라믹, 고속도강, 공구강 또는, 입방정계 질화붕소 또는 다이아몬드와 같은 초경 재료로 이루어진 본체를 포함하며, 상기 본체는 얇은 최외각에 색채의 비산화물층을 포함하는 경질의 내마모 코팅을 가지고, 상기 색채는 간섭에 의해 생성된다.

公开(公告)号：KR101235288B1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：KR1020050108711

申请日：2005-11-14

申请人： 삼성디스플레이 주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

发明人： 노순준 ,  백홍구 ,  김경찬 ,  김종복 ,  황병하 ,  안한진

IPC分类号： C09K19/56

CPC分类号： C23C16/325 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/3457 ,  C23C14/3464 ,  C23C16/56 ,  G02F1/1337 ,  G02F2202/00 ,  H01J37/3429 ,  Y10T428/10

摘要： 수직 무기 배향막의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치가 개시된다. 액정표시장치는 제1 표시기판, 제2 표시기판 및 액정층으로 이루어진다. 제1 및 제2 표시기판은 액정층에 포함된 액정분자들을 수직 배향시키기 위해 제1 및 제2 수직 무기 배향막을 각각 구비한다. 제1 및 제2 수직 무기 배향막은 탄화 실리콘으로 이루어지고, 화학기상증착 또는 스퍼터링 방법을 통해 상기 제1 및 제2 표시기판에 각각 형성된다. 따라서, 수직 무기 배향막의 제조공정을 단순화시킬 수 있고, 그 결과 액정표시장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.
CVD, 탄화 실리콘, 수직 배향

公开(公告)号：KR1020120076340A

公开(公告)日：2012-07-09

申请号：KR1020127003033

申请日：2010-09-01

申请人： 도요탄소 가부시키가이샤

发明人： 나카무라,마사하루 ,  미야모또,요시나리 ,  도조,테츠로

IPC分类号： C04B35/52 ,  C01B31/04 ,  C04B41/87 ,  C01B31/36

CPC分类号： C04B41/009 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/522 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62834 ,  C04B35/62884 ,  C04B35/62897 ,  C04B41/5025 ,  C04B41/87 ,  C04B2111/00405 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/0635 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/2991 ,  C04B35/565 ,  C04B41/4578 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/4531 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/455

摘要： 흑연 등의 탄소 기재의 표면에 탄화규소 피막이 치밀하고 또한 균일하게 피복된 탄화규소 피복 탄소 기재를 제조한다. 미 결합손을 갖지 않는 SP
2 탄소 구조로 이루어지는 베이스부와, 미 결합손을 갖는 SP
2
탄소 구조로 이루어지는 에지부를 표면에 갖는 탄소 기재를 준비하는 공정과, 온도 1400 내지 1600℃에서 압력 1 내지 150Pa의 분위기 중에 탄소 기재의 표면과 SiO 가스를 반응시켜서 탄화규소를 형성함으로써, 탄화규소로 피복된 탄소 기재를 제조하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.