公开(公告)号：KR101881192B1

公开(公告)日：2018-07-23

申请号：KR1020147022778

申请日：2012-12-05

申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.

发明人： 메이예얀안드리스 ,  스헤페르스파울에이메르트 ,  사르아브다우

IPC分类号： H01J37/09 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/252 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/09 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/24521 ,  H01J2237/2802 ,  H01J2237/30477 ,  H01J2237/31793

摘要： 본발명은다중대전입자비임리소그래피시스템에서웨이퍼레벨에서의스팟크기를측정하기위한장치에관한것이다. 본발명의장치는 YAG 물질과같은섬광물질의상부에위치되는나이프에지구조체를포함한다. 나이프에지구조체는 Si 웨이퍼의 (1 1 0) 평면에대해예각인상부면을갖는 Si 웨이퍼에배치된다. 일실시예에서, 상술된예각은 2도내지 4도의범위, 바람직하게는 2.9도내지 3.1도의범위이다. 또한, 본발명은다중대전입자비임리소그래피시스템에서웨이퍼레벨에서의스팟크기를측정하기위한장치를제조하는방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020160125425A

公开(公告)日：2016-10-31

申请号：KR1020167025650

申请日：2015-02-17

申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.

发明人： 피시,로저,비. ,  아넬라,스티븐 ,  매키천,토드루이스

IPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/6833

摘要： 그들사이에실질적으로무-누설가스이송을제공하면서그리고플래튼부분의열적팽창및 수축을허용하면서, 가열된플래튼부분을차가운베이스플레이트로부터열적으로절연하도록적응된플래튼지지구조체. 다양한예들이, 내부가스도관을갖는튜브형굴곡부, 굴곡부에연결되며굴곡부의내부가스도관과유체연통하는내부가스입력슬롯을갖는플래튼부분장착탭으로서, 상기플래튼부분장착탭은플래튼의플래튼부분으로연결을위해적응되는, 상기플래튼부분장착탭, 및굴곡부에연결되며굴곡부의내부가스도관과유체연통하는내부가스출력슬롯을갖는베이스플레이트장착탭으로서, 상기베이스플레이트장착탭은플래튼의베이스플레이트로의연결을위해적응되는, 상기플래튼부분장착탭을제공하는지지구조체를제공한다.

公开(公告)号：KR101665221B1

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：KR1020147032399

申请日：2013-06-04

申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈

发明人： 나가꾸보,야스히라 ,  미즈오,다까시

IPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/26

CPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/26 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/20207

摘要： 본발명은, 기존의시료냉각홀더에서는, 시료의방향을바꾸면냉각원용기도함께기울고, 수용된냉각원의버블링이발생한다. 따라서, 가공또는관찰에적합한방향으로시료(1)를경사시켜도, 냉각원용기의자세를일정방향으로유지하면서시료(1)를냉각할수 있는기구(14, 15, 17, 18)를갖는시료냉각홀더(13)를제공한다. 또한, 냉각원을유지하는내측용기(23)를외기로부터진공단열하는외측용기(21)에진공유지기구(24, 25)를장착한냉각원용기를제공한다.

公开(公告)号：KR101647901B1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：KR1020147006903

申请日：2012-08-23

申请人： 제이에프이 스틸 가부시키가이샤

发明人： 야마시타다카코 ,  노로히사토 ,  세키모토미츠요시 ,  와타나베마나부 ,  가지마요시히사

IPC分类号： H01J37/20

CPC分类号： H01J37/20 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2001

摘要： 초고진공화가불필요하고, 시료표면의파괴를일으키지않아시료표면의컨태미넌트를안정적으로방지할수 있는전자선을사용한현미경혹은분석장치용시료가열홀더, 및그것을사용한시료가열방법을제공한다. 발열체로서정온도계수 (PTC) 서미스터를구비하는것을특징으로하는, 관찰·분석중의카본컨태미네이션의성장과열 드리프트의억제능력이우수한, 전자선을사용한현미경혹은분석장치용시료가열홀더.

公开(公告)号：KR101599048B1

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：KR1020117000939

申请日：2009-06-19

申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.

发明人： 수로넨,데이빗 ,  스톤,데일,케이. ,  오시로,시게오,에스. ,  리아프,아더,피. ,  매킨토시,에드워드,디.

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67109 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2007 ,  H01L21/6875

摘要： 기판위의입자오염을감소시키기위한기술들이개시된다. 하나의특정한예시적인실시예에서, 상기기술은상이한영역들을갖는플래튼으로실현될수 있고, 이영역들에서의압력레벨들은실질적으로동일할수 있다. 예를들어, 플래튼은, 기판의온도를희망하는온도에서유지하기위한유체를수용하기위한유체영역을형성하는제 1 오목부와, 접지회로를수용하기위한제 1 공동을형성하는제 2 오목부를포함하는플래튼본체; 플래튼본체에형성되고, 유체영역에근접한제 1 개구와, 제 1 공동에근접한제 2 개구를갖는제 1 비아를포함하고, 유체영역의압력레벨은제 1 공동의압력레벨과실질적으로동일한레벨에서유지될수 있다.

公开(公告)号：KR101550579B1

公开(公告)日：2015-09-07

申请号：KR1020097027534

申请日：2008-05-27

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 리커,마틴 ,  왕,웨이더블유.

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  C23C14/02 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32724 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67207 ,  Y10T29/49826

摘要： 기판세정챔버(24)가예를들어소모성세라믹라이너(60), 기판가열받침대(80), 및프로세스키트(114)와같은여러부품들을포함한다. 소모성세라믹라이너(60)는원격가스에너자이저(52)의가스배출채널(62)을기판세정챔버(24)의가스유입채널(40)에연결시키기위해제공된다. 기판가열받침대(80)는리세스(88)들의어레이에위치하는복수의세라믹볼(90)들을구비하는기판수용표면(84)을가지는환형플레이트(82)를포함한다. 프로세스키트(114)는상부플레이트(116), 상부라이너(118), 가스분배플레이트(120), 하부라이너(122), 및포커스링(124)을포함한다.

摘要翻译： 例如，基板清洁腔室24包括各种部件，例如可消耗陶瓷衬里60，基板加热基座80和处理套件114。 提供可消耗陶瓷衬里60，用于将远程气体激发器52的气体排放通道62连接到衬底清洁室24的气体入口通道40。 基板加热基座80包括具有基板接收表面84的环形板82，基板接收表面84具有定位在凹槽88阵列中的多个陶瓷球90。 处理套件114包括顶板116，顶部衬里118，气体分配板120，底部衬里122和聚焦环124。

公开(公告)号：KR1020140114817A

公开(公告)日：2014-09-29

申请号：KR1020147017920

申请日：2013-01-09

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 오오하시카오루

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/67248 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L22/26 ,  H02N13/00

摘要： 고주파 전력에 의해 가스를 플라즈마화하고, 이 플라즈마의 작용에 의해 피처리체를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치로서, 감압 가능한 챔버와, 챔버 내에 설치되고, 피처리체를 재치하는 재치대와, 재치대에 설치되고, 척 전극에 전압을 인가함으로써 피처리체를 정전 흡착하는 정전 척과, 정전 척 내 또는 근방에 설치되고, 원형의 센터 존과 그 외주측에 동심원 형상으로 설치된 2 개 이상의 미들 존과, 최외주에 동심원 형상으로 설치된 엣지 존으로 분할된 히터와, 히터의 제어 온도를 상기 분할된 존마다 조정하는 온도 제어부를 구비하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR101310494B1

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：KR1020117025754

申请日：2010-03-29

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 마츠자키가즈요시 ,  나가세키스미에

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67109 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

摘要： 종래의 온도 조정 방법에 비해, 반도체 웨이퍼의 균일한 온도 조정 및 고응답성을 실현할 수 있는 반도체 제조 장치 및 온도 조정 방법을 제공한다. 내부에 공동(21)을 갖는 웨이퍼 탑재대(2)와, 웨이퍼 탑재대(2)의 온도를 프로세스 온도로 조정하기 위해, 프로세스 온도 이하의 물을 공동(21)의 내벽에 분사하는 노즐(64a)을 구비하는 반도체 제조 장치로서, 공동(21)내의 압력을 검출하는 압력 센서(71)와, 압력 센서(71)에서 검출된 압력이, 노즐(64a)로부터 분사되는 물의 온도에 대한 포화 증기압 이상, 프로세스 온도에 대한 포화 증기압 이하가 되도록 공동(21)내의 기체를 배출하는 진공 펌프를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020130098267A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020137000153

申请日：2011-06-02

申请人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.

发明人： 오타,칸 ,  리,윌리엄디.

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/20

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2005 ,  H01J2237/20278 ,  H01J2237/31701

摘要： 이온 주입 환경에서 회전 경계면을 가온하는 방법은 스캔 아암을 제공하며, 피가공재를 선택적으로 고정시키도록 모터를 통해서 상기 스캔 아암에 연결되는 제 1 축선 및 엔드 이펙터를 중심으로 회전하도록 구성된다. 상기 엔드 이펙터는 제 2 축선 및 모터와 관련된 베어링 및 시일을 갖는 제 2 축선을 중심으로 회전하도록 구성된다. 모터는 활성되며, 모터의 회전은 제 2 축선을 중심으로 엔드 이펙터의 회전으로 인한 모터의 오류 또는 예정된 시간 후에 역전된다. 상기 제 2 축선을 중심으로 한 엔드 이펙터의 회전이 허용가능한지에 관한 결정이 이루어지며, 상기 스캔 아암은 상기 엔드 이펙터의 회전이 허용불가능할 때 상기 제 1 축선을 중심으로 왕복운동되며, 상기 엔드 이펙터의 관성은 제 2 축선을 중심으로 한 엔드 이펙터의 회전을 유발한다.

公开(公告)号：KR101299891B1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：KR1020110063340

申请日：2011-06-29

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 오다기리마사야 ,  무라끼유우스께 ,  후지하라진

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/67248 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32779 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/201 ,  H01L21/68771

摘要： 본 발명의 과제는, 기판의 주연부와 중심부의 온도 관리ㆍ온도 제어를 각각 독립적으로 정밀하게 행하는 것이 가능하고, 또한 배관 구성을 간소화한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
기판을 진공 처리 공간에 있어서 처리하는 기판 처리 장치이며, 적어도 2매 이상의 기판을 적재하는 기판 적재대를 구비하고, 상기 기판 적재대는 적재되는 기판의 수에 대응하는 수의 기판 적재부로 구성되고, 상기 기판 적재부에는 적재된 기판의 중앙부를 냉각시키는 중앙 온도 조절 유로와, 기판의 주연부를 냉각시키는 주연 온도 조절 유로가 서로 독립적으로 형성되고, 상기 기판 적재대에는 상기 주연 온도 조절 유로에 온도 조절 매체를 도입시키는 온도 조절 매체 도입구가 1개 설치되고, 상기 주연 온도 조절 유로로부터 온도 조절 매체를 배출시키는 온도 조절 매체 배출구가 적재되는 기판의 수에 대응하는 수만큼 설치되는, 기판 처리 장치가 제공된다.