公开(公告)号：KR101691457B1

公开(公告)日：2016-12-30

申请号：KR1020157006153

申请日：2012-09-26

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 테라시마토모히데 ,  요시우라야스히로 ,  오츠키에이코

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/30 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/263 ,  H01J37/30 ,  H01J37/3002 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/20221 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/317 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67718 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/68

摘要： 본원의발명에관한반도체장치의제조방법은, 복수의피처리물을, 제1트레이위와, 상기제1트레이와접하는제2트레이위에늘어놓은공정과, 상기제1트레이와상기제2트레이가접하는접촉위치의바로위에형성된조사장치로부터조사물을방출하면서, 상기조사장치를상기접촉위치를횡단하는방향인제1 방향을따라스윙시키고, 상기제1트레이와상기제2트레이를상기제1 방향과수직을이루는제2 방향으로이동시킴으로써상기복수의피처리물에상기조사물을조사하는것을복수회반복하는복수의조사공정과, 상기복수의조사공정의사이에적어도 1회실시되고, 상기제1트레이와상기제2트레이의상기제2 방향으로향하는방향을변경하지않고상기제1트레이와상기제2트레이의위치를교체하는교체공정을구비한다.

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件制造方法包括将多个处理对象布置在与第一托盘相邻的第一托盘和第二托盘上的步骤，多个施加步骤，其中将应用物质应用于多个 通过从第一托盘和第二托盘彼此接触的接触位置正上方形成的施加装置发射施加物质，通过沿着第一方向跨越接触位置摆动施加装置来重复加工物体一定次数 并且通过沿着与第一方向垂直的第二方向移动第一托盘和第二托盘，以及互换步骤，将第一托盘和第二托盘互换在适当位置，而不改变对应于第一托盘和第二托盘的方向 所述第二方向，所述交换步骤在所述多个之中至少执行一次 应用步骤。

公开(公告)号：KR1020160046294A

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：KR1020150140987

申请日：2015-10-07

申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지

发明人： 모토스기도모

IPC分类号： G03F1/20 ,  G03F1/44 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01J37/3174 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31776 ,  H01J2237/31796

摘要： 피패터닝부재상에레지스트층이형성된시료에있어서의상기레지스트층에하전입자빔으로미세패턴의잠상을묘화하는하전입자빔 묘화장치에, 상기시료에대응한층 구성을갖는테스트샘플에소정의조건하에다수의치수측정용패턴을형성했을때의 XY 치수변동량의면 내분포데이터로부터얻어지는샷 단면사이즈및 샷조사위치각각의보정정보와, 상기미세패턴의설계데이터를사용해서상기레지스트층에조사해야할 하전입자빔의각 샷의샷 데이터를작성하는샷 데이터작성처리장치를설치한다.

摘要翻译： 本发明涉及带电粒子束光刻设备，使用带电粒子束的光刻方法和带电粒子束光刻法中的镜头校正方法。 在带电粒子束光刻设备中，使用带电粒子束将抗蚀剂层上的微图案的潜像相对于其上形成有抗蚀剂层的样品写入待图案化的构件上，拍摄数据制作和处理设备 ，其中涉及对要照射在抗蚀剂层上的带电粒子束的每个镜头进行拍摄数据。 为此，使用的是用于微图案的设计数据和用于针对XY尺寸变化的平面内分布数据中的每个截面尺寸和拍摄照射位置的校正信息，当形成用于测量尺寸的图案时 在一定条件下，在具有对应于样品的层的组成的测试样品上。

公开(公告)号：KR1020150143328A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：KR1020150081702

申请日：2015-06-10

申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤

发明人： 츠키하라미츠쿠니 ,  이도노리야스 ,  스에츠구노리유키

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/304

CPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/31703

摘要： 빔조사처리의품질을높이는기술을제공한다. 빔조사장치(10)는, 하전입자빔(B)을소정의주사방향으로왕복주사시키는빔주사기(26)와, 계측대상으로하는영역에입사하는하전입자의각도성분을계측가능한측정기(42)와, 측정기(42)의계측결과를이용하여, 하전입자빔(B)의실효조사이미턴스를산출하는데이터처리부를구비한다. 측정기(42)는, 주사방향으로왕복주사되는하전입자빔(B)이계측대상으로하는영역을통과하여측정기(42)에입사하는시간에걸쳐, 하전입자빔(B)에대한각도분포의시간변화치를계측하고, 데이터처리부는, 측정기가계측한각도분포의시간변화치에포함되는시간정보를위치정보로변환하여실효조사이미턴스를산출한다. 실효조사이미턴스는, 주사방향으로주사되어계측대상으로하는영역에입사하는하전입자빔의일부를서로합침으로써형성될수 있는가상적인빔다발에대한이미턴스를나타낸다.

摘要翻译： 提供了一种用于提高光束照射质量的技术。 光束照射装置（10）准备具有向预定方向前后扫描带电粒子束（B）的束扫描单元（26），能够测量接收到的带电粒子的角度的测量单元（42） 以及用于通过使用来自测量单元（42）的测量结果来计算带电粒子束（B）的有效发射率的数据处理单元。 测量单元（42）在从扫描方向向前扫描的带电粒子束（B）到达测量单元的时间期间测量带电粒子束（B）的角度分布的时变值 （42）穿过目标区进行测量。 数据处理单元基于由测量单元测量的角度分布的时间变量值中包括的时间信息来计算有效发射率。 有效发射率示出了通过合并被扫描的扫描方向并被目标区域接收的用于测量的带电粒子束的一部分而形成的一束假想波束的发射。

公开(公告)号：KR1020150123704A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：KR1020150042189

申请日：2015-03-26

申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤

发明人： 구로세다케시 ,  이도노리야스 ,  가리야히로유키

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24514 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30488 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/265

摘要： 이온조사량분포및 단위시간당이온조사량의쌍방을제어하는기술을제공한다. 이온주입장치(10)는, 빔주사기(26)와, 웨이퍼위치에있어서의빔주사방향의이온조사량분포를측정가능한빔계측부와, 이온빔을왕복주사시키기위한제어파형을빔주사기(26)로출력하는제어부(60)를구비한다. 제어부(60)는, 기준제어파형을빔주사기(26)에출력하는출력부와, 기준제어파형에근거하여왕복주사시키는이온빔에대하여측정된이온조사량분포를빔계측부(50)로부터취득하는취득부와, 취득한이온조사량분포를이용하여보정제어파형을생성하는생성부를포함한다. 제어부(60)는, 이온조사량분포가목표로하는분포이며, 단위시간당이온조사량분포가목표치가되도록조정되는보정제어파형을출력한다.

摘要翻译： 提供了能够单位时间控制离子剂量分布和离子剂量的技术。 离子注入装置（10）包括：射束注射器（26）; 光束测量部件，其测量在晶片的位置处的光束注入方向上的离子剂量分布; 以及控制部分（60），其向束注射器（26）输出用于使离子束往复运动的控制波形。 控制部分（60）包括：向射束喷射器（26）输出参考控制波形的输出部分; 基于所述参考控制波形，从所述光束测量部分（50）获得从所述往复离子束测量的离子剂量分布的获得部分; 以及通过使用离子剂量分布生成校正控制波形的生成部。 控制部（60）输出校正控制波形，使得离子剂量分布成为目标分布，单位时间内的离子用量的分布成为目标值。

公开(公告)号：KR101271502B1

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：KR1020077031022

申请日：2006-06-07

申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.

发明人： 굽타,아툴 ,  올슨,조셉,씨

IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/1477 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/1507 ,  H01J2237/3045 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/26586

摘要： 이온 빔 각 확산 제어를 위한 기술이 개시된다. 한 특정 실시예에서, 본 기술은 이온 빔 각 확산 제어를 위한 방법으로서 구현될 수 있다. 본 방법은 2개 또는 그 이상의 다른 입사각들로 기판 표면에 하나 또는 그 이상의 이온 빔들을 유도하고, 이에 따라 이온 빔 입사각들의 제어된 확산으로 상기 기판 표면을 노광하는 단계를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR101119282B1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020067010573

申请日：2004-10-29

申请人： 마이어 버거 (저머니) 아게

发明人： 마이,요아힘 ,  로트,디트마르 ,  라우,베른트 ,  디트리히,카를-하인츠

IPC分类号： H01J37/36 ,  H01J37/305 ,  H01L21/265 ,  H01J37/30

CPC分类号： H01J37/3053 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20221 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/2067 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31774

摘要： 본 발명은 기판이 광역 빔-이온 소스에 의해서 발생되는 이온 빔에 마주 놓이고, 기술적으로 규정된 새로운 특성 패턴이 형성되는, 기판 표면의 이온 빔 처리 방법 및 장치에 관한 것이다. 상기 방법에 따라, 기판(8)의 표면(15)에 있는 상기 이온 빔의 현재의 기하학적 활동 패턴이 공지된 특성 패턴 및 기술적으로 규정된 새로운 특성 패턴에 따라서 그리고 빔 특성의 변동에 의한 및/또는 이온 빔의 펄스화에 의한 방법 단계들에 따라서 조절된다. 본 발명에 따른 장치는 하나 이상의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 캐리어를 포함하며, 상기 기판 캐리어는 Y-축(4) 및 X-축(6)에서 이동될 수 있고, 이온 빔을 형성하기 위한 광역 빔-이온 소스(1)는 Z-축(11)에 있는 처리될 기판(8)의 표면(15)에 대하여 수직으로 서있거나 또는 Z-축에 대하여 기울어진 축에 배치될 수 있다. 처리될 기판(8)의 표면(15)으로부터 광역 빔-이온 소스(1)까지의 간격은 고정적일 수 있거나 또는 가변적일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100105645A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：KR1020107014668

申请日：2008-11-11

申请人： 텔 에피온 인크

发明人： 하우탈라존제이. ,  그윈매튜씨. ,  딕스트라제랄드피.

IPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/08 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/304 ,  H01J27/026 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/30455 ,  H01L21/26566

摘要： 가스 혼합물에서 다수의 공정 가스로부터 형성된 가스 클러스터 이온 빔을 조절하기 위한 방법 및 장치가 기재되어 있다. 본 발명의 방법 및 장치는 가스 분석기(380, 360, 414, 502, 552)를 갖는 가스 혼합물의 조성물과 관련된 가스 분석 데이타를 측정하는 단계, 및 검출된 매개변수에 반응하여 워크피스(workpiece)(152)의 조사를 변경하는 단계를 포함한다. 가스 분석 데이타는 가스 공급장치(230, 232)로부터 가스 클러스터 이온 빔 장치(200, 300, 400, 500, 550)로 유동하는 가스 혼합물의 조성물의 샘플, 또는 가스 클러스터 이온 빔 장치(200, 300, 400, 500, 550)의 진공 용기(102) 내 잔류 가스의 샘플로부터 유도될 수 있다.

公开(公告)号：KR100877544B1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：KR1020060130780

申请日：2006-12-20

申请人： 닛신 이온기기 가부시기가이샤

发明人： 이케지리다다시

IPC分类号： H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01J37/09 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31703

摘要： 이온 빔 조사 장치는 타켓(8)의 위치와 근접한 곳에서 적어도 이온 빔(4)의 y 방향에서의 빔 전류 밀도 분포를 측정하는 빔 프로파일 모니터(14)와, 타겟 위치의 상류측에서 이온 빔 경로를 사이에 두고 서로 대향하도록 y 방향으로 배치되고 서로 독립적으로 x 방향으로 이동 가능한 복수 개의 가동 차폐판(16)을 각각 구비하는 가동 차폐판 그룹(18a, 18b)과, 가동 차폐판 그룹을 구성하는 가동 차폐판(16)을 서로 독립적으로 x 방향을 따라 왕복 구동시키는 차폐판 구동 장치(22a, 22b)와, 빔 프로파일 모니터(14)에 의해 얻은 측정 정보에 기초하여 차폐판 구동 장치(22a, 22b)를 제어하여 측정한 y 방향의 빔 전류 밀도가 상대적으로 큰 위치에 대응하는 가동 차폐판(16)에 의한 이온 빔(4)의 차폐량을 상대적으로 증가시키는 것인 차폐판 제어 장치(24)를 구비하여, y 방향의 빔 전류 밀도 분포의 균일성을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR1020070116269A

公开(公告)日：2007-12-07

申请号：KR1020077024608

申请日：2006-03-31

申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.

发明人： 로우,러셀제이. ,  올손,조셉시. ,  팀버레이크,데이비드알. ,  맥레인,제임스알. ,  사운더스,마크디. ,  커밍스,제임스제이. ,  칼라한,토마스비. ,  잉글란드,조나단

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/304

CPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31761 ,  Y10S438/961

摘要： An ion implanter includes a source of a stationary, planar ion beam, a set of beamline components that steer the ion beam along a normal beam path as determined by first operating parameter values, an end station that mechanically scans the wafer across the normal beam path, and control circuitry that responds to a glitch in the ion beam during implantation pass to (1) immediately alter an operating parameter of at least one of the beamline components to a second value to direct the ion beam away from the normal beam path and thereby cease implantation at an implantation transition location on the wafer, (2) subsequently move the wafer to an implantation-resuming position in which the implantation transition location on the wafer lies directly on the normal path of the ion beam, and (3) return the operating parameter to its first value to direct the ion beam along the normal beam path and resume ion implantation at the implantation transition location on the wafer. The operating parameter may be an output voltage of an extraction power supply, or other voltages and/or currents of beamline components that affect the path of the ion beam.

摘要翻译： 离子注入机包括静止的平面离子束的源，一组束线分量，其通过由第一操作参数值确定的沿正常光束路径引导离子束;终端，其通过正常光束路径机械扫描晶片 以及在注入期间响应于离子束中的毛刺的控制电路通过（1）立即将至少一个束线分量的操作参数改变为第二值，以将离子束引导离开正常光束路径，从而 在晶片上的植入转变位置处停止植入，（2）随后将晶片移动到植入恢复位置，其中晶片上的注入转变位置直接位于离子束的正常路径上，并且（3） 操作参数到其第一值以引导离子束沿着正常光束路径并在晶片上的注入转变位置处恢复离子注入。 操作参数可以是提取电源的输出电压，或影响离子束路径的束线组件的其他电压和/或电流。

公开(公告)号：KR1020070003977A

公开(公告)日：2007-01-05

申请号：KR1020067020007

申请日：2005-02-23

申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.

发明人： 레이앤디 ,  그래프마이클

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31703

摘要： The present invention is directed to modulating ion beam current in an ion implantation system to mitigate non- uniform ion implantations, for example. Multiple arrangements are revealed for modulating the intensity of the ion beam. For example, the volume or number of ions within the beam can be altered by biasing one or more different elements downstream of the ion source. Similarly, the dosage of ions within the ion beam can also be manipulated by controlling elements more closely associated with the ion source. In this manner, the implantation process can be regulated so that the wafer can be implanted with a more uniform coating of ions. ® KIPO & WIPO 2007

摘要翻译： 本发明涉及在离子注入系统中调节离子束电流以减轻例如不均匀的离子注入。 显示了用于调制离子束强度的多种布置。 例如，可以通过在离子源下游偏置一个或多个不同元件来改变束内的离子的体积或数量。 类似地，离子束内离子的剂量也可以通过控制与离子源更紧密相关的元素来操纵。 以这种方式，可以调节注入工艺，使得可以以更均匀的离子涂层注入晶片。 ®KIPO＆WIPO 2007