公开(公告)号：KR1020130111419A

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：KR1020130034153

申请日：2013-03-29

申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지

发明人： 나카야마타카히토

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01J3/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31776 ,  H01L21/0274 ,  G03F1/20 ,  G03F7/2059

摘要： PURPOSE: A shaping offset adjusting method and a charged particle writing apparatus are provided to reduce shaping offset adjusting errors by performing fitting using a third polynomial. CONSTITUTION: A control unit (3) includes a deflection controller (32), a detector (36), and a control calculator (31). The deflection controller controls the deflection of a charged particle beam. The detector measures a current value of the charged particle beam and includes a Faraday cup. A control calculator controls the deflection controller and a stage. [Reference numerals] (31a) Data processor; (31b) Setting unit; (31c) Calculation unit; (31d) Determination unit; (32) Deflection controller; (32a) Correction unit; (33) Blanking amplifier; (34,35) DAC amplifier; (36) Detector; (37) Memory; (39) External I/F

摘要翻译： 目的：提供成形偏移调整方法和带电粒子写入装置，以通过使用第三多项式进行拟合来减少成形偏移调整误差。 构成：控制单元（3）包括偏转控制器（32），检测器（36）和控制计算器（31）。 偏转控制器控制带电粒子束的偏转。 检测器测量带电粒子束的电流值，并包括法拉第杯。 控制计算器控制偏转控制器和舞台。 （附图标记）（31a）数据处理器; （31b）设定单位; （31c）计算单位; （31d）确定单位; （32）变形控制器; （32a）校正单元; （33）消隐放大器 （34,35）DAC放大器; （36）检测器; （37）记忆; （39）外部I / F

公开(公告)号：KR100894238B1

公开(公告)日：2009-04-20

申请号：KR1020020007723

申请日：2002-02-09

申请人： 가부시키가이샤 니콘

发明人： 하마따니마사또 ,  쯔까꼬시도시오

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： G03F7/706 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/30461

摘要： 컴퓨터 시스템은, 광학장치가 달성해야 하는 목표정보가 입력되는 제 1 컴퓨터와, 제 1 컴퓨터로부터 통신로를 통해 수신된 상기 목표정보에 의거하여 투영광학계가 만족해야 하는 파면수차를 규격치로 하여 투영광학계의 사양을 결정하는 제 2 컴퓨터를 구비한다. 따라서, 투영광학계를 제조할 때에, 결정된 사양을 만족하도록, 파면수차의 계측결과에 의거하여 투영광학계를 조정함으로써, 저차 수차 뿐만 아니라 고차 수차도 동시에 수정할 수 있어, 제조공정이 간략화된다. 또한, 제조된 투영광학계에 의해 노광 장치가 달성해야 하는 목표가 확실히 달성된다.
사양결정방법

公开(公告)号：KR1020080016901A

公开(公告)日：2008-02-22

申请号：KR1020077030940

申请日：2006-06-02

申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.

发明人： 반더포트존 ,  후앙용장

IPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/317 ,  H01J37/08 ,  H01J37/36

CPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/045 ,  H01J37/09 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31705

摘要： A system, method, and apparatus for mitigating contamination associated with ion implantation are provided. An ion source (208), end station(210), and mass analyzer (204) positioned between the ion source and the end station are provided, wherein an ion beam is formed from the ion source and selectively travels through the mass analyzer to the end station, based on a position of a beam stop assembly (220). The beam stop assembly selectively prevents the ion beam from entering and/or exiting the mass analyzer, therein minimizing contamination associated with an unstable ion source during transition periods such as a start-up of the ion implantation system.

摘要翻译： 提供了用于减轻与离子注入相关的污染的系统，方法和装置。 提供了一种位于离子源和终端之间的离子源（208），终端站（210）和质量分析器（204），其中离子束由离子源形成并选择性地通过质量分析器传送到 终端站，基于梁挡块组件（220）的位置。 光束停止组件选择性地防止离子束进入和/或离开质量分析器，其中在诸如离子注入系统的启动的过渡期间最小化与不稳定离子源相关联的污染。

公开(公告)号：KR1020020067012A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：KR1020020007723

申请日：2002-02-09

申请人： 가부시키가이샤 니콘

发明人： 하마따니마사또 ,  쯔까꼬시도시오

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： G03F7/706 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/30461

摘要： PURPOSE: A method of forming and adjusting optical system and exposure apparatus is provided to simultaneously correct higher-order components of the aberration as well as lower-order components by adjusting the projection optical system based on the result of measuring the wave-front aberration to satisfy the specification, so that the making process becomes simpler in the process of making the projection optical system. CONSTITUTION: A computer system includes a first computer into which target information that an optical apparatus is to achieve is inputted and a second computer that determines the specification of a projection optical system based on the target information received from the first computer via a communication path with using a wave-front aberration amount, which the projection optical system is to satisfy, as a standard.

摘要翻译： 目的：提供一种形成和调整光学系统和曝光装置的方法，以通过基于测量波前像差的结果调整投影光学系统来同时校正像差的高阶分量以及低阶分量 满足规格，使得在制造投影光学系统的过程中制造过程变得更简单。 构成：计算机系统包括：第一计算机，其中输入光学装置要实现的目标信息;以及第二计算机，其基于从第一计算机经由通信路径接收的目标信息来确定投影光学系统的规格， 使用投影光学系统要满足的波前像差量作为标准。

公开(公告)号：KR20180014837A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：KR20187002424

申请日：2016-06-24

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/265 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/28506 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 작업물을프로세싱하기위한방법들이개시된다. 프로세싱레이트프로파일로도지칭되는이온빔의상이한부분들이작업물을프로세싱할수 있는실제레이트는, 이온빔 위치의함수로서이온빔에의해작업물로부터제거되거나또는작업물에부가되는재료의양을측정함으로써결정된다. 프로세싱될작업물의초기두께프로파일이결정된다. 초기두께프로파일, 목표두께프로파일, 및이온빔의프로세싱레이트프로파일에기초하여프로세싱파라미터들의제 1 세트가결정된다. 그런다음작업물은프로세싱파라미터들의제 1 세트를사용하여프로세싱된다. 일부실시예들에있어서, 제 1 프로세스이후에갱신된두께프로파일이결정되며, 프로세싱파라미터들의제 2 세트가결정된다. 프로세싱파라미터들의제 2 세트를사용하여제 2 프로세스가수행된다. 스루풋을개선하기위한최적화들이또한개시된다.

摘要翻译： 公开了用于加工工件的方法。 离子束的不同部分（也称为加工速率分布图）可以处理工件的实际速率通过测量作为离子束位置的函数的由离子束去除或添加到工件上的材料的量来确定。 确定要处理的工件的初始厚度分布。 基于初始厚度分布，目标厚度分布和离子束的处理速率分布来确定第一组处理参数。 然后使用第一组处理参数处理工件。 在一些实施例中，在第一处理之后确定更新的厚度轮廓，并且确定第二组处理参数。 使用第二组处理参数执行第二处理。 还公开了优化以提高吞吐量。

公开(公告)号：KR101738264B1

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：KR1020150140987

申请日：2015-10-07

申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지

发明人： 모토스기도모

IPC分类号： G03F1/20 ,  G03F1/44 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01J37/3174 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31776 ,  H01J2237/31796

摘要： 피패터닝부재상에레지스트층이형성된시료에있어서의상기레지스트층에하전입자빔으로미세패턴의잠상을묘화하는하전입자빔 묘화장치에, 상기시료에대응한층 구성을갖는테스트샘플에소정의조건하에다수의치수측정용패턴을형성했을때의 XY 치수변동량의면 내분포데이터로부터얻어지는샷 단면사이즈및 샷조사위치각각의보정정보와, 상기미세패턴의설계데이터를사용해서상기레지스트층에조사해야할 하전입자빔의각 샷의샷 데이터를작성하는샷 데이터작성처리장치를설치한다.

公开(公告)号：KR101236563B1

公开(公告)日：2013-02-22

申请号：KR1020077030938

申请日：2006-06-02

申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.

发明人： 반더포트존 ,  후앙용장

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/08 ,  H01J37/304

CPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/045 ,  H01J37/09 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31705

摘要： 이온 주입 동안 오염을 완화시키는 시스템, 방법 및 장치가 제공된다. 이온 소스, 최종 스테이션, 및 상기 이온 소스와 최종 스테이션 사이에 배치된 질량 분석기가 제공되며, 여기서 이온 빔은 이온 소스로부터 형성되고 질량 분석기를 통하여 최종 스테이션으로 이동한다. 집진기, 입자 어트랙터, 및 차폐물을 포함하는 이온 빔 덤프 어셈블리는 질량 분석기와 관련되며, 상기 입자 어트랙터의 전위는 오염 입자를 끌어당겨서 집진기 내에서 제한하도록 동작 가능하며, 상기 차폐물은 질량 분석기 내의 이온 빔의 전위로부터 입자 어트랙터의 전위를 차폐하도록 동작 가능하다.
이온 주입 시스템, 이온 소스, 최종 스테이션, 집진기, 입자 어트랙터.

公开(公告)号：KR101115649B1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：KR1020107019573

申请日：2009-03-24

申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤

发明人： 츠지야스유키

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/04 ,  G21K1/093

CPC分类号： H01J37/12 ,  C23C14/48 ,  G21K1/093 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/30433

摘要： 이 이온 주입 장치는, 이온 빔의 전류 밀도 분포를 조정하기 위해, 띠모양 이온 빔의 빔폭 방향을 따라 복수의 단위 렌즈 요소를 늘어놓고, 각 단위 렌즈 요소가 만드는 자장 또는 전장을 조정하는 렌즈 요소와, 계측한 전류 밀도 분포에 따라 렌즈 요소로 조정하는 단위 렌즈 요소가 만드는 자장 또는 전장의 강도를 설정하는 제어부를 가진다. 렌즈 요소의 복수의 단위 렌즈 요소 중, 조정하려고 하는 위치에 대응하는 단위 렌즈 요소가 만드는 자장 또는 전장의 조정 강도를, 계측된 전류 밀도 분포로부터 구함과 아울러, 상기 단위 렌즈 요소에 인접하는 단위 렌즈 요소가 만드는 자장 또는 전장에 대해서, 구해진 조정 강도에 일정한 비율을 승산하여 얻어지는 값을 자장 또는 전장의 조정 강도로서 구한다.

公开(公告)号：KR1020080106045A

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：KR1020080049957

申请日：2008-05-29

申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지

发明人： 아베다까유끼

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01J37/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/30433 ,  G03F7/2051 ,  G03F7/70383

摘要： A charged particle beam writing apparatus and a charged particle beam writing method are provided to reduce the number of sensors using the multi columns. A charged particle beam writing apparatus(100) comprises the stage(105), the first column, the second column, and the sensor. The stage loads the sample and moves to the predetermined direction. The first column irradiates the charged particle beam to the drawing area of sample. The second column is behind positioned to the predetermined direction of the first column. The second column irradiates the charged particle beam to the drawing area of sample. The sensor measures the height of the sample.

摘要翻译： 提供带电粒子束写入装置和带电粒子束写入方法以减少使用多列的传感器的数量。 带电粒子束写入装置（100）包括台（105），第一列，第二列和传感器。 舞台加载样品并移动到预定方向。 第一列将带电粒子束照射到样品的绘图区域。 第二列位于第一列的预定方向之后。 第二列将带电粒子束照射到样品的绘图区域。 传感器测量样品的高度。

公开(公告)号：KR1020080031226A

公开(公告)日：2008-04-08

申请号：KR1020077030942

申请日：2006-06-02

申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.

发明人： 반더포트 ,  베리안도날드

IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304

CPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/045 ,  H01J37/09 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31705

摘要： A system and method for mitigating contamination in an ion implantation system is provided. The system comprises an ion source (200), a power supply (216) operable to supply power to a filament (214) and mirror electrode (218) of the ion source, a workpiece handling system, and a controller (228), wherein the ion source is selectively tunable via the controller to provide rapid control of a formation of an ion beam. The controller is operable to selectively rapidly control power to the ion source, therein modulating a power of the ion beam between an implantation power and a minimal power in less than approximately 20 microseconds based, at least in part, to a signal associated with a workpiece position. Control of the ion source therefore mitigates particle contamination in the ion implantation system by minimizing an amount of time at which the ion beam is at the implantation current.

摘要翻译： 提供了一种减轻离子注入系统污染的系统和方法。 该系统包括离子源（200），可操作以向离子源的细丝（214）和镜电极（218）供电的电源（216），工件处理系统和控制器（228），其中 离子源可以经由控制器选择性地调节，以提供对离子束形成的快速控制。 控制器可操作以选择性地快速地控制离子源的功率，其中至少部分地基于与工件相关联的信号，在小于约20微秒内在注入功率和最小功率之间调制离子束的功率 位置。 因此，离子源的控制因此通过使离子束处于注入电流的时间量最小化来减轻离子注入系统中的颗粒污染。