公开(公告)号：KR101911055B1

公开(公告)日：2018-10-24

申请号：KR1020120063025

申请日：2012-06-13

申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤

发明人： 니노미야시로 ,  구도데츠야

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01L21/26586 ,  C23C14/48 ,  C23C14/54 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/3171

摘要： 메카니컬하게웨이퍼를주사하는웨이퍼주사영역길이와, 이온빔의빔 주사속도를, 동시에제어하면서웨이퍼에이온주입하는주입방법을, 이온빔에대한웨이퍼회전각을변경할때마다행하고, 이를웨이퍼 1회전동안에복수회 반복함으로써, 웨이퍼면내전체면영역에이온주입하면서, 2차원이온주입량면내분포를실현한다.

公开(公告)号：KR1020160011564A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：KR1020150030207

申请日：2015-03-04

申请人： 가부시끼가이샤 도시바

发明人： 요스케사토 ,  아키오유이 ,  히사타카하야시

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32577 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/32136

摘要： 본발명의실시예에따른플라즈마처리장치는챔버와, 유입부와, 기판전극과, 고주파전원과, 저주파전원과, 스위칭기구를구비한다. 유입부는챔버내에프로세스가스를유입한다. 기판전극은, 챔버내에배치되고직접적또는간접적으로기판이적재되고교대로배치되는제1, 제2 전극소자군을가진다. 고주파전원은, 프로세스가스를이온화하여플라즈마를발생시키기위한 40MHz 이상의고주파전압을출력한다. 저주파전원은플라즈마로부터의이온인입을위한 20MHz 이하의저주파전압을출력한다. 스위칭기구는상기저주파전압을상기제1, 제2 전극소자군에교대로인가한다.

摘要翻译： 根据本发明的实施例，等离子体处理装置包括室，引入部，基板电极，高频电源，低频电源和开关机构。 引入部分将工艺气体引入室中。 基板电极布置在室中，基板直接或间接安装在基板电极上，并且基板电极具有交替布置的第一和第二电极元件组。 高频电源输出40MHz或更高的高频电压，用于电离工艺气体以产生等离子体。 低频电源输出20MHz以下的低频电压，从等离子体引出离子。 切换机构将低频电压交替地施加到第一和第二电极元件组。

公开(公告)号：KR1020140099903A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：KR1020147016227

申请日：2012-11-13

申请人： 지티에이티 코포레이션

发明人： 스믹,시어도어 ,  라이딩,제프리 ,  글라비쉬,힐튼 ,  사카세,타카오 ,  파크,윌리엄 ,  에이드,폴 ,  아놀드,드류 ,  호너,로날드 ,  길레스피이,조셉

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC分类号： C23C14/48 ,  H01J37/1475 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/1523 ,  H01J2237/20214

摘要： 드럼형 스캔 휠을 사용하는 이온 주입 장치는 60°미만의 전체 원뿔 각으로 웨이퍼들을 유지한다. 시준되고 스캔된 이온들, 예를 들어 H
+ 의 빔이 스캔 휠의 회전 축선에 대해 45°이상의 각도를 이루는 최종 빔 경로를 따라 지향된다. 이온들은 소스로부터 추출되고 스캐닝 또는 질량 분석 이전에 선형 가속 경로를 따라 높은 주입 에너지(500 keV 초과)로 가속된다. 질량 분석기는 회전 축선의 근처에 위치될 수 있으며 바람직하지 않은 이온들이 스캔 휠에 장착될 수 있는 환형 빔 드럼으로 지향된다.

公开(公告)号：KR1020130059384A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：KR1020137001793

申请日：2011-05-12

申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤

发明人： 츠네카와코지 ,  스에나가마사히로 ,  곤노타케오

IPC分类号： C23C14/34 ,  G11B5/39

CPC分类号： H01J37/3476 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C14/542 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3473 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/332

摘要： 본 발명은 요철구조 전체에 걸쳐, 심지어 요철구조가 형성되는 기판에도 요철구조의 측면부에 증착된 박막의 균일한 막 두께를 보장할 수 있고 평평한 기판 표면에 균일한 막 두께를 갖는 다층막을 형성하는 기능을 갖는 스퍼터링 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 스퍼터링 장치는 회전가능하게 기판(21)을 유지하도록 구성된 기판홀더(22)와, 상기 기판홀더(22)에 대해 대각선으로 맞은편 위치에 배열된 음극유닛(40)과, 기판홀더에 보유된 기판의 회전위치를 탐지하기 위한 위치센서(23)와, 탐지된 회전위치에 따라 기판의 회전속도를 조절하기 위한 홀더 회전 컨트롤러(51)를 포함한다. 홀더 회전 컨트롤러(51)는 음극 유닛(40)이 요철구조의 처리 타겟 표면의 확장 방향으로서 제 1 방향으로 측면에 위치될 때 기판의 회전속도가 음극 유닛(40)이 제 1 방향에 수직하고 기판의 평면 방향에 나란한 제 2 방향으로 측면에 위치해 있을 때 기판의 회전속도보다 더 낮도록 회전속도를 컨트롤한다.

公开(公告)号：KR1020130038247A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：KR1020127027111

申请日：2011-03-16

申请人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.

发明人： 리,윌리엄 ,  푸로힛,아쉬윈 ,  라폰테인,마빈

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01J37/317 ,  H01J37/20

CPC分类号： H01L21/6831 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/2065 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/67109

摘要： 본 발명의 양태는 증기 압축 냉각 시스템을 이용하는 이온 주입 시스템에 관한 것이다. 일 실시예에서, 증기 압축 시스템 내 열 제어기는, 주입 동안 공작물의 원치 않는 가열을 제한하거나 방지하는 것을 돕거나, 공작물을 능동적으로 냉각하기 위해, 이상적인 증기 압축 사이클에 따라 압축기 및 응축기를 통해 냉각 유체를 흘려 보낸다.

公开(公告)号：KR101133678B1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020100043819

申请日：2010-05-11

申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.

发明人： 센쳉-후이 ,  베리안돈

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/31701

摘要： 본 발명은 웨이퍼에 대한 이온 주입 방법에 관한 것으로, 먼저 제1축 방향에서 웨이퍼의 직경보다 긴 길이와 제2축 방향에서 웨이퍼의 직경보다 작은 폭을 가진 밴드형 이온빔을 웨이퍼 상에 형성한 후, 이온빔을 통과하는 스캔 경로를 따라 특정 이동 속도로 웨이퍼 중심을 이동시키는 동시에 특정 회전 속도로 웨이퍼를 회전시키는 동시 이동 및 회전 단계를 수행한다. 상기 동시 이동 및 회전 단계를 수행하는 동안에 웨이퍼가 이온빔을 통과할 때 제1축 방향의 이온빔은 상기 웨이퍼를 완전히 커버하고, 회전 속도는 최대로 이동 속도의 몇 배이다. 이동 속도와 회전 속도는 모두 상수 또는 웨이퍼 상의 이온빔 위치에 대한 함수로 표시할 수 있다.

公开(公告)号：KR101055716B1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020090011024

申请日：2009-02-11

申请人： 닛신 이온기기 가부시기가이샤

发明人： 히노마사요시

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/20 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/31703

摘要： 이온 빔의 빔 전류와, 기판에 대한 도즈량, 그리고 1로 세팅된 기판의 스캔 회수의 초기값을 이용하여, 기판의 스캔 속도를 산출한다. 스캔 속도가 소정 범위 내에 있으면, 현재 스캔 회수 및 현재 스캔 속도를 각각 실용 스캔 회수 및 실용 스캔 속도로서 세팅한다. 스캔 속도가 소정 범위의 상한보다 높으면, 산출 과정을 중단한다. 스캔 속도가 소정 범위의 하한보다 낮으면, 스캔 회수를 1 증가시켜 보정 스캔 회수를 산출한다. 보정 스캔 회수 등을 이용하여, 보정 스캔 속도를 산출한다. 보정 스캔 속도가 허용 스캔 속도 범위 내에 들어갈 때까지, 전술한 단계를 반복 실시한다.

公开(公告)号：KR20090037437A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：KR20097001758

申请日：2006-07-28

申请人： AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP

发明人： AIGNER ROBERT

IPC分类号： H01L21/3065 ,  G01Q10/00 ,  H01J37/147 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01J37/305 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/3151

摘要： An apparatus for processing a processing surface 100 of a wafer 105 by means of a processing-beam 200 comprises a means for moving the wafer 105 and the processing-beam 200 relative to each other so that the processing-beam 200 scans the processing surface 100 of the wafer 105 in a scanning path 110 having a curved course with continuously or stepwise changing radiuses.

摘要翻译： 用于通过处理束200处理晶片105的处理表面100的装置包括用于相对于彼此移动晶片105和处理光束200的装置，使得处理光束200扫描处理表面100 在具有连续或逐步改变的半径的弯曲过程的扫描路径110中的晶片105。

公开(公告)号：KR1020170028495A

公开(公告)日：2017-03-14

申请号：KR1020150124939

申请日：2015-09-03

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 박종순 ,  김종규 ,  오정익 ,  김상국 ,  박종철

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/68764 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/31 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/68792

摘要： 본발명은척 어셈블리및 이를구비하는반도체제조장치에관한것으로, 수직방향으로제공되는이온빔에노출되는기판을척킹하는척, 상기척에결합되어상기척을지지하는필라, 그리고상기척을상기필라에회전가능하게연결하는연결부를포함한다. 상기연결부의회전은상기필라의중심을상기수직방향을따라관통하는상기필라의축에대하여상기척을경사지게하고, 상기척은상기필라를중심으로세차운동한다.

摘要翻译： 卡盘组件包括夹持基板的卡盘，以及连接到卡盘以支撑卡盘的支柱，支柱的轴线沿着柱的纵向方向穿过柱的中心，其中卡盘具有顶表面 ，其相对于柱的轴线倾斜，卡盘的顶表面可以围绕柱的轴线进行旋转。

公开(公告)号：KR1020160118177A

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：KR1020160124974

申请日：2016-09-28

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 왕샤오-후 ,  첸밍-테 ,  리셩-웨이

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/687 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20228 ,  H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/425 ,  H01L21/68764

摘要： 복수의기판들을동시에주입하기위한, 이온주입을위한이온주입장치및 방법이제공된다. 상이한기판들이이온주입챔버내의상응하는플래튼들상에위치되거나, 또는그 기판들이하나의과다크기의플래튼상의분리된기판홀더들상에배치된다. 기판들및 플래튼또는플래튼들이빔에대해서병진운동할수 있고, 개별적인기판들이회전운동될수 있으며그리고이온주입챔버내에서의기판들의서로에대한위치가이동될수 있다. 이온주입프로세스중에기판들을회전운동, 병진운동및 재배치하는것에의해서, 주입되는기판들의직경들에대비하여이온빔이비교적작은풋프린트를가지고비교적짧은스캔길이를가지는경우에도, 모든기판들전체가이온빔에의해서주입된다.