公开(公告)号：KR101691457B1

公开(公告)日：2016-12-30

申请号：KR1020157006153

申请日：2012-09-26

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 테라시마토모히데 ,  요시우라야스히로 ,  오츠키에이코

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/30 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/263 ,  H01J37/30 ,  H01J37/3002 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/20221 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/317 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67718 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/68

摘要： 본원의발명에관한반도체장치의제조방법은, 복수의피처리물을, 제1트레이위와, 상기제1트레이와접하는제2트레이위에늘어놓은공정과, 상기제1트레이와상기제2트레이가접하는접촉위치의바로위에형성된조사장치로부터조사물을방출하면서, 상기조사장치를상기접촉위치를횡단하는방향인제1 방향을따라스윙시키고, 상기제1트레이와상기제2트레이를상기제1 방향과수직을이루는제2 방향으로이동시킴으로써상기복수의피처리물에상기조사물을조사하는것을복수회반복하는복수의조사공정과, 상기복수의조사공정의사이에적어도 1회실시되고, 상기제1트레이와상기제2트레이의상기제2 방향으로향하는방향을변경하지않고상기제1트레이와상기제2트레이의위치를교체하는교체공정을구비한다.

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件制造方法包括将多个处理对象布置在与第一托盘相邻的第一托盘和第二托盘上的步骤，多个施加步骤，其中将应用物质应用于多个 通过从第一托盘和第二托盘彼此接触的接触位置正上方形成的施加装置发射施加物质，通过沿着第一方向跨越接触位置摆动施加装置来重复加工物体一定次数 并且通过沿着与第一方向垂直的第二方向移动第一托盘和第二托盘，以及互换步骤，将第一托盘和第二托盘互换在适当位置，而不改变对应于第一托盘和第二托盘的方向 所述第二方向，所述交换步骤在所述多个之中至少执行一次 应用步骤。

公开(公告)号：KR1020140012097A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：KR1020137024363

申请日：2012-02-13

申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.

发明人： 로센탈,알론

IPC分类号： H01J1/52 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20 ,  H01J27/18 ,  H01L21/302

CPC分类号： G03F7/70858 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/708 ,  H01J37/09 ,  H01J37/1475 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0264 ,  H01J2237/31754 ,  H01J2237/31774 ,  H01J2237/31793 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67213 ,  H01J1/52 ,  G03F7/20 ,  H01J27/18 ,  H01J37/147 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67

摘要： 본 발명은 하전 입자 리소그래피 장치를 자기 차폐하기 위한 시스템에 관한 것이다. 시스템은 제 1 챔버, 제 2 챔버 및 2개의 코일의 세트를 포함한다. 제 1 챔버는 자기 차폐 재료를 포함하는 벽을 갖고, 하전 입자 리소그래피 장치를 적어도 부분적으로 봉입한다. 제 2 챔버는 자기 차폐 재료를 포함하는 벽을 또한 갖고, 제 1 챔버를 봉입한다. 2개의 코일의 세트는 제 1 챔버의 대향 측면들에서 제 2 챔버 내에 배치된다. 2개의 코일은 공통축을 갖는다.

公开(公告)号：KR100402937B1

公开(公告)日：2003-10-24

申请号：KR1019997003170

申请日：1997-10-08

申请人： 에프.오.베.게엠베하 게젤샤프트 페아티궁 화르비가 옵토엘렉트로니샤 바우엘레멘테

发明人： 지그프리트판차 ,  유르겐덴하르트

IPC分类号： H01J37/30

CPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/30 ,  H01J2237/316

摘要： Multiple methods are known to process materials or alter their properties using an electron beam. Until now, it was not possible to impinge upon minuscule surface sections (pixel) with a given arrangement on the surface in order to achieve certain effects. According to the invention, the object to be impinged upon is moved contact-free under a mask. A bidimensional deflectable electron beam oscillating at a high frequency perpendicular to the direction of movement of the object is moved on the mask, the speed being essentially faster than that of the movement of the object. Said method can be used for processing any material, preferably plane or band-shaped objects, in order to achieve processing effects by means of physical or chemical reaction.

摘要翻译： 已知多种方法处理材料或使用电子束改变它们的性质。 到目前为止，为了达到一定的效果，不可能在表面上给定排列的微小表面部分（像素）。 根据本发明，待照射的物体在面罩下无接触地移动。 以与物体运动方向垂直的高频振荡的二维可偏转电子束在掩模上移动，该速度基本上快于物体运动的速度。 所述方法可用于处理任何材料，优选平面或带状物体，以通过物理或化学反应实现处理效果。

公开(公告)号：KR1020030013422A

公开(公告)日：2003-02-14

申请号：KR1020027015514

申请日：2002-02-27

申请人： 가부시키가이샤 히타치 하이테크 사이언스

发明人： 스즈키카츠미

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01J37/30 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/20214

摘要： 본 발명의 집속 이온 빔 장치는, 이온 빔의 조사 중심 위치가 구형상 시료실의 중심으로부터 하나의 모서리부 방향으로 편심된 곳에 오도록 이온 광학계를 배치함과 함께, 이온 조사 위치가 시료의 하나의 구석으부로부터 중심부에 걸치는 영역을 커버할 수 있는 분만큼 시료 스테이지가 X, Y방향 2차원 이동할 수 있는 시료실의 크기로 하고, 그것에 시료의 회전 기구를 조합시킴으로써 시료의 전 영역에 대응 가능하게 하였다.

摘要翻译： 本发明的聚焦离子束可以通过具有离子光学系统来处理样品的所有区域，离子光学系统被布置成使得离子束的照射中心位置到达从一个矩形样品的中心向一个角的方向偏心的位置 制作样品室，该样品室的尺寸使得能够在X和Y方向上二维地移动样品台，使得离子照射位置可以覆盖从样品的一个拐角跨越到中心区域的区域 ，并将其与样品旋转机构相结合。

公开(公告)号：KR1020170108804A

公开(公告)日：2017-09-27

申请号：KR1020170009732

申请日：2017-01-20

申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스

发明人： 오오니시츠요시 ,  하스다마사카츠

IPC分类号： G03F1/20 ,  G03F1/78 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01J37/09 ,  H01J37/023 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J37/30 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/31 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2809 ,  H01J2237/2813 ,  H01J2237/31745

摘要： (과제)집속이온빔 경통과전자빔 경통을모두구비한복합하전입자빔 장치에있어서, 전자빔 경통의오손을방지하여, 고정밀도로전자빔을조사가능한복합하전입자빔 장치를제공한다. (해결수단)시료를올려놓는시료대와, 상기시료에집속이온빔을조사하는집속이온빔 경통과, 상기시료에전자빔을조사하는전자빔 경통과, 상기시료대, 상기집속이온빔 경통, 및전자빔 경통을수용하는시료실과, 상기전자빔 경통의출사면과상기시료대의사이에삽입된삽입위치, 및상기출사면과상기시료대의사이로부터퇴출한개방위치의사이에서변위가능하게형성된방오판과, 상기방오판을상기삽입위치및 상기개방위치사이에서변위시키는조작수단을구비했다.

摘要翻译： （任务）在聚焦离子束柱和包含两种电子束柱的复合带电粒子束的装置，以防止电子束柱的结垢，并提供带电粒子束照射能够复杂且高度精确的电子束的装置。 [解决问题的手段]和以装载样品试样台，接收到该聚焦离子束柱用于照射聚焦离子束的样品和用于照射电子束到样品中，样品台，其中，所述聚焦离子束柱的电子束柱，和电子束柱 样品室，及电子束柱的出射面之间的插入位置和所述样品单元，并且形成出射表面，并从样品条带之间抽出的打开位置之间房间错误的决定进行位移，用于放电误判那 以及用于在插入位置和打开位置之间移位的操作装置。

公开(公告)号：KR1020170101884A

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：KR1020177009574

申请日：2015-12-28

申请人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.

发明人： 아이즈너,에드워드,씨 ,  밴더버그,보

IPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/20 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/05 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/20 ,  H01J37/30 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/31705

摘要： 저에너지로이온을공작물에주입하기위한시스템및 방법이제공된다. 이온빔을생성하도록형성된이온소스가제공되며, 질량분석자석은이온빔을질량분석하도록형성된다. 상기이온빔은리본빔또는스캔된스폿이온빔일수 있다. 질량분석자석의하류에위치한질량분석조리개는상기이온빔으로부터원하지않는종을여과한다. 결합정전렌즈시스템은질량분석기의하류에위치되며, 상기이온빔의경로는편향되고, 오염물은일반적으로이온빔으로부터필터링되어상기이온빔을동시에감속및 평행하게한다. 공작물스캐닝시스템은결합정전렌즈시스템의하류에위치되며, 상기이온빔을통해하나이상의방향으로공작물을선택적으로병진시키고이온을공작물에주입한다.

摘要翻译： 提供了一种用于以低能量将离子注入工件的系统和方法。 配置成产生离子束的离子源被提供，并且质量分析磁体被配置为对离子束进行质谱分析。 离子束可以是带状束或扫描点式离子束。 质谱仪位于质量分析磁体的下游，用于过滤来自离子束的不需要的物质。 耦合静电透镜系统位于质量分析仪的下游，离子束的路径偏转，并且通常从离子束中过滤污染物以同时减速和平行离子束。 工件扫描系统位于组合静电透镜系统的下游，并通过离子束在一个或多个方向上选择性地平移工件并将离子注入工件。

公开(公告)号：KR101495684B1

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：KR1020130036766

申请日：2013-04-04

申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지

发明人： 니시무라리에코

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01J37/30 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31776

摘要： 본 발명의 일태양의 하전 입자빔의 편향 형상 오차 취득 방법은, 하전 입자빔을 편향하는 편향기에 의해 편향되는 편향 영역이 배열되는 복수의 편향 영역에서의 이러한 편향 영역의 배열 피치와는 상이한 피치로, 하전 입자빔을 이용하여 이러한 편향 영역보다 작은 복수의 도형 패턴을 묘화하고, 당해 도형 패턴이 묘화된 위치를 포함하는 편향 영역과 당해 도형 패턴이 묘화된 위치와의 위치 관계에 기초하여, 편향 영역과 동일한 크기의 1 개의 가상 편향 영역 중에 상기 복수의 도형 패턴의 묘화 위치를 합성하고, 합성된 각 도형 패턴의 묘화 위치를 이용하여, 편향 영역에 패턴을 묘화한 경우에서의 형상 오차를 산출하고, 출력하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101385750B1

公开(公告)日：2014-04-18

申请号：KR1020070123631

申请日：2007-11-30

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 이도행 ,  김하나 ,  김용진

IPC分类号： H01J37/30 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01J37/30 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/04756 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/31

摘要： 중성빔을 이용하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. 이 기판 처리 장치는 이온 소스를 형성하는 이온 소스 발생 장치를 포함한다. 상기 이온 소스로부터 이온들을 추출 및 가속시키는 이온 추출 장치가 제공된다. 상기 이온 추출 장치로부터 추출 및 가속된 이온들을 중성빔으로 중성화시키는 이온 중성화 장치가 제공된다. 상기 이온 추출 장치로부터 추출 및 가속된 이온들 중 상기 이온 중성화 장치에 의해 중성빔으로 중성화하지 않은 잔여 이온이 상기 피처리 기판에 도달하지 않도록 상기 기판 지지대에 전원을 공급하는 기판 전원 공급 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020040091098A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：KR1020047013770

申请日：2003-03-03

申请人： 스테리스 인코퍼레이티드

发明人： 코레네브세르게이에이.

IPC分类号： A61L2/08

CPC分类号： A61L2/087 ,  A61L2/0011 ,  A61L2/081 ,  A61L2202/11 ,  H01J37/30 ,  H05G1/20

摘要： 휴대형, 방사선-발생 장치는 저전압 전원, 예로서 배터리(42)로부터 고 에너지 전자 빔 및 X-선을 발생시킨다. 펄싱된 고 전압 발생기(40)는 전원(42)과 테슬라 공진 변압기(41)를 포함한다. 테슬라 공진 변압기는 적어도 하나의 제1 커패시터(44), 일차 코일(46), 이차 코일(48) 및 적어도 하나의 제2 커패시터(50)를 포함한다. 적어도 하나의 제2 커패시터는 이차 코일 내부에 축선방향으로 배치된다. 제어 시스템(60)은 펄싱된 고 전압 발생기(40)로부터 방사선 발생 디바이스(22)로 에너지 전달을 선택적으로 제어하기 위해 펄싱된 고 전압 발생기(40)에 연결된다. 방사선 발생 디바이스는 전자 펄스 및 X-선을 발생시킨다. 각각의 펄스는 약 100 나노초 이하의 시간 지속시간을 갖는다. 방사선 발생 디바이스에 의해 발생된 전자 및 X-선은 병원균 오염물을 비활성화시키거나 다양한 물질을 조사할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990088413A

公开(公告)日：1999-12-27

申请号：KR1019990018116

申请日：1999-05-19

申请人： 세이코 인스트루 가부시키가이샤

发明人： 오이마사미치

IPC分类号： G01N23/225

CPC分类号： H01J37/30 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0203

摘要： 본발명은동일시료실내에집속이온빔 렌즈통과전자빔 렌즈통을가진복합하전입자빔 장치에있어서, 전자빔 렌즈통의대물렌즈의잔류자기를삭자(削磁)하는전자기적수법과, 상기전자빔 렌즈통의대물렌즈의여자전류값을기억하는기능을가진것을특징으로한다. 그리고, 집속이온빔으로절환하는타이밍에서전자빔 렌즈통의대물렌즈의잔류자기를삭자한다.