摘要:
냉각실 내에서 복수 매의 기판을 냉각할 때에, 온도가 높은 기판의 복사열의 영향을 온도가 낮은 기판이 받기 어려워지므로, 온도가 낮은 기판의 냉각 속도의 저하를 억제한다. 기판을 복수 단으로 수납하는 로드록 실; 상기 로드록 실의 일방측(一方側)으로부터 상기 로드록 실 내외에 상기 기판을 반송하는 엔드 이펙터를 구비한 제1 반송암(arm)을 포함하는 제1 반송 기구; 및 상기 로드록 실의 타방측(他方側)으로부터 상기 로드록 실 내외에 상기 기판을 반송하는 엔드 이펙터를 구비한 제2 반송암을 포함하는 제2 반송 기구;를 구비하는 기판 처리 장치로서, 상기 로드록 실 내의 기판 지지부에 지지되는 상기 기판의 사이에, 상기 기판과 이간하여, 상기 기판 사이의 열을 차단하는 격벽을 설치하고, 상기 기판과 상기 격벽의 사이에 있어서, 상기 엔드 이펙터 대기(待機) 공간과 상기 기판이 겹치지 않는 개소에, 상기 격벽 상방에 수납되는 상기 기판의 중심축에 접근하여, 상기 기판의 복사열을 흡수하는 격벽 부대부(付帶部)를 포함한다.
摘要:
PURPOSE: A symmetric plasma process chamber is provided to improve uniformity by crossing plasma which is formed inside over a substrate surface which is arranged in a processing domain. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus(100) includes a chamber main body(140) which surrounds a processing domain and a cover assembly(110). A substrate support assembly(160) is arranged in the chamber main body. A discharge assembly(190) defines a vacuum discharge domain in the chamber main body. The chamber main body is arranged symmetrically from the central axis of the substrate support assembly and includes multiple paths fluidly connecting the processing domain with the vacuum discharge domain. The substrate support assembly includes a support pedestal which is arranged in the center domain sealed fluidly from the processing and vacuum discharge domain; and a lower electrode. Multiple access tubes(180) are located through the chamber main body in order to provide contact with the center domain and are arranged symmetrically from the center axis of the substrate support assembly.
摘要:
PURPOSE: A symmetric plasma processing chamber is provided to offer electricity, gas flow and thermal symmetry for plasma uniform and supply uniform plasma density by supplying symmetry within a chamber. CONSTITUTION: A plasma processing unit(100) includes a chamber body(142) and a cover assembly(110) surrounding a processing region, a substrate support assembly(160) arranged in the chamber body and an upper liner surrounding the processing region by being arranged in the chamber body and including a backing liner covering at least one slot of a plurality of the slots by being combined with a cylindrical wall while having a cylindrical wall including a plurality of slots symmetrically arranged with respect to a central axis of the substrate support assembly.
摘要:
PURPOSE: Substrate depositing system and method are provided to reduce times required for operational process by including a mask storing chamber and replacing masks without interruption of the operational processes. CONSTITUTION: A substrate depositing system includes a substrate loading chamber(110), a substrate unloading chamber(120), at least one processing chamber(200), and a mask storing chamber(300). A substrate is loaded at the substrate loading chamber. The substrate is transferred to the substrate unloading chamber. The processing chamber is arranged between the substrate loading chamber and the substrate unloading chamber. The mask storing chamber is in connection with one side of the processing chamber.
摘要:
플라즈마 처리 장치는 측벽(34)을 가진 챔버(2)와, 전극 플랜지(4)와, 상기 챔버(2) 및 상기 전극 플랜지(4)에 의해 끼워진 절연 플랜지(81)로 구성되고 반응실(2a)을 가진 처리실(101)과, 상기 반응실(2a) 안에 수용되어 처리면(10a)을 가진 기판(10)이 재치되는 지지부(15)와, 상기 챔버(2)의 상기 측벽(34)에 설치된 반출입부(36)와, 상기 전극 플랜지(4)에 접속되어 고주파 전압을 인가하는 RF 전원(9)과, 상기 반출입부(36)에 설치되어 상기 반출입부(36)를 개폐하는 제1 도어 밸브(55)와, 상기 챔버(2)와 전기적으로 접속되고 상기 챔버(2)의 내측면(33)과 동일 평면상에 위치하는 면부(56a)를 가진 제2 도어 밸브(56)를 포함한다.
摘要:
코팅 시스템(1)이 록-인 챔버(3)와 록-아웃 챔버(4)를 포함한다. 또한, 상기 코팅 시스템이 록-인 챔버(3) 및 록-아웃 챔버(4)에 연결된 제1 전달 챔버(5)를 포함한다. 상기 전달 챔버(5)에 제1 회전 전달 모듈(6)이 배열된다. 기판 홀더들(7a, 7b)이 중심 축선을 중심으로 회전하여 기판 홀더들(7a, 7b)이 상기 록-인 챔버(3)와 록-아웃 챔버(4)에 각각 정렬되게 위치될 수 있다. 코팅 스테이션(1)이 제1 프로세스 챔버(8)와 제2 프로세스 챔버(9)를 더 포함한다. 또한, 상기 코팅 시스템(1)은 제3 기판 홀더(12a)와 제4 기판 홀더(12b)를 갖는 제2 회전 전달 모듈(11)을 포함하는 제2 전달 챔버(10)를 포함한다. 상기 제2 전달 챔버는 제1 프로세스 챔버(8) 및 제2 프로세스 챔버(9)는 물론 제3 프로세스 챔버(13) 및 제4 프로세스 챔버(14)에 연결된다. 제3 프로세스 챔버(13) 및 제4 프로세스 챔버(14)는 평행하게, 다시말해 클러스터 배열로 제2 전달 챔버(10)에 배열된다. 본 발명은 두 전달 챔버들(5, 10) 사이에서 한쪽은 진행 경로(F)에 속하고 다른 한쪽은 복귀 경로(R)에 속하며 상기 진행 경로(F)로부터 상기 복귀 경로(R)로 또는 그 역으로 기판을 전달하도록 구성된 두 평행한 코팅 챔버들(8, 9)의 샌드위치 배열에 의해 시스템의 가용성을 증가시키는 가능성을 제공한다.
摘要:
PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to accurately grasp carry-in/carry-out timing of a substrate by installing a sensor module which detects an entrance state of the substrate in a door valve. CONSTITUTION: A door valve(100) includes a valve housing(110) divided into three inner spaces, three blades(120), three hinge shafts, a connecting arm, a cylinder(150), and a sensor module(140). The blades are formed in each inner space of the valve housing. The blades perform a switch operation. The hinge shafts are formed in each inner space of the valve housing. The connecting arm connects the blades to the hinge shafts. The cylinder provides a driving force for a switching operation of the blades. The sensor module is installed in the valve housing. The sensor module detects an entrance state of the substrate by a transfer robot.
摘要:
A sputtering apparatus is so constituted that film qualities such as a film thickness distribution or a specific resistance can be substantially homogenized all over the surface of a treated substrate when a predetermined thin film is formed by a reactive sputtering. Between a plurality of sputter chambers (11a and 11b) in which targets (31a to 31h) of an equal number are equidistantly juxtaposed, a treated substrate (S) is transferred to positions confronting the individual targets. An electric power is thrown into the individual targets in the sputter chambers, in which the treated substrate exists, so that the individual targets are sputtered to laminate identical or different thin films on the surface of the treated substrate. At this time, the stop position of the treated substrate is so changed that the portion of the treated substrate surface to confront the region between the individual targets may shift between the mutually continuing sputter chambers.