기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
    1.
    发明授权
    기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
    衬底处理设备和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR101334758B1

    公开(公告)日:2013-11-29

    申请号:KR1020110057758

    申请日:2011-06-15

    IPC分类号: H01L21/677 H01L21/02

    摘要: 냉각실 내에서 복수 매의 기판을 냉각할 때에, 온도가 높은 기판의 복사열의
    영향을 온도가 낮은 기판이 받기 어려워지므로, 온도가 낮은 기판의 냉각 속도의 저하를 억제한다. 기판을 복수 단으로 수납하는 로드록 실; 상기 로드록 실의 일방측(一方側)으로부터 상기 로드록 실 내외에 상기 기판을 반송하는 엔드 이펙터를 구비한 제1 반송암(arm)을 포함하는 제1 반송 기구; 및 상기 로드록 실의 타방측(他方側)으로부터 상기 로드록 실 내외에 상기 기판을 반송하는 엔드 이펙터를 구비한 제2 반송암을 포함하는 제2 반송 기구;를 구비하는 기판 처리 장치로서, 상기 로드록 실 내의 기판 지지부에 지지되는 상기 기판의 사이에, 상기 기판과 이간하여, 상기 기판 사이의 열을 차단하는 격벽을 설치하고, 상기 기판과 상기 격벽의 사이에 있어서, 상기 엔드 이펙터 대기(待機) 공간과 상기 기판이 겹치지 않는 개소에, 상기 격벽 상방에 수납되는 상기 기판의 중심축에 접근하여, 상기 기판의 복사열을 흡수하는 격벽 부대부(付帶部)를 포함한다.

    摘要翻译: 当多个衬底在冷却室中冷却时,衬底的温度

    Depositing system for substrate and dspoiting method for the same
    4.
    发明公开
    Depositing system for substrate and dspoiting method for the same 审中-公开
    用于基板的沉积系统及其相同的DSPOITING方法

    公开(公告)号:KR20120039944A

    公开(公告)日:2012-04-26

    申请号:KR20100101411

    申请日:2010-10-18

    IPC分类号: C23C14/24 C23C14/56 H01L51/56

    摘要: PURPOSE: Substrate depositing system and method are provided to reduce times required for operational process by including a mask storing chamber and replacing masks without interruption of the operational processes. CONSTITUTION: A substrate depositing system includes a substrate loading chamber(110), a substrate unloading chamber(120), at least one processing chamber(200), and a mask storing chamber(300). A substrate is loaded at the substrate loading chamber. The substrate is transferred to the substrate unloading chamber. The processing chamber is arranged between the substrate loading chamber and the substrate unloading chamber. The mask storing chamber is in connection with one side of the processing chamber.

    摘要翻译: 目的:提供基板沉积系统和方法,以通过包括掩模存储室和更换面罩来减少操作过程所需的时间,而不会中断操作过程。 构成:衬底沉积系统包括衬底装载室(110),衬底卸载室(120),至少一个处理室(200)和掩模存储室(300)。 衬底装载在衬底装载室。 将基板转移到基板卸载室。 处理室布置在基板装载室和基板卸载室之间。 掩模存储室与处理室的一侧连接。

    플라즈마 다이싱 장치 및 반도체 칩의 제조 방법
    5.
    发明授权
    플라즈마 다이싱 장치 및 반도체 칩의 제조 방법 失效
    等离子体装置和半导体芯片制造方法

    公开(公告)号:KR101097682B1

    公开(公告)日:2011-12-22

    申请号:KR1020097015537

    申请日:2008-11-12

    IPC分类号: H01L21/78

    摘要: 회로형성면전체를피복하는보호시트가붙여짐과더불어, 회로형성면과는반대측의이면에내 에칭성을가지는마스크부재가붙여진반도체웨이퍼를, 마스크부재가위를향하도록재치대상에재치하고, 마스크부재를마스크로하여플라즈마에칭을행하고, 반도체웨이퍼를복수의반도체칩으로자르는플라즈마다이싱장치로서, 마스크부재의, 반도체웨이퍼의외주로부터튀어나온외주부를유지하는링 형상의프레임부재를구비하고, 재치대는반도체웨이퍼를지지하는웨이퍼지지부와, 프레임부재를지지하는프레임부재지지부로이루어진다. 이에따라, 진공챔버내로의반도체웨이퍼의반입반출이용이해진다.

    플라즈마 처리 장치
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020110094113A

    公开(公告)日:2011-08-19

    申请号:KR1020117015408

    申请日:2010-01-07

    IPC分类号: H01L21/205

    CPC分类号: H01J37/32743 H01J37/32091

    摘要: 플라즈마 처리 장치는 측벽(34)을 가진 챔버(2)와, 전극 플랜지(4)와, 상기 챔버(2) 및 상기 전극 플랜지(4)에 의해 끼워진 절연 플랜지(81)로 구성되고 반응실(2a)을 가진 처리실(101)과, 상기 반응실(2a) 안에 수용되어 처리면(10a)을 가진 기판(10)이 재치되는 지지부(15)와, 상기 챔버(2)의 상기 측벽(34)에 설치된 반출입부(36)와, 상기 전극 플랜지(4)에 접속되어 고주파 전압을 인가하는 RF 전원(9)과, 상기 반출입부(36)에 설치되어 상기 반출입부(36)를 개폐하는 제1 도어 밸브(55)와, 상기 챔버(2)와 전기적으로 접속되고 상기 챔버(2)의 내측면(33)과 동일 평면상에 위치하는 면부(56a)를 가진 제2 도어 밸브(56)를 포함한다.

    기판을 코팅하는 코팅 시스템 및 방법
    8.
    发明公开
    기판을 코팅하는 코팅 시스템 및 방법 无效
    用于涂覆基材的涂覆系统和方法

    公开(公告)号:KR1020110018425A

    公开(公告)日:2011-02-23

    申请号:KR1020117000624

    申请日:2009-03-16

    IPC分类号: C23C14/56 H01L21/203

    摘要: 코팅 시스템(1)이 록-인 챔버(3)와 록-아웃 챔버(4)를 포함한다. 또한, 상기 코팅 시스템이 록-인 챔버(3) 및 록-아웃 챔버(4)에 연결된 제1 전달 챔버(5)를 포함한다. 상기 전달 챔버(5)에 제1 회전 전달 모듈(6)이 배열된다. 기판 홀더들(7a, 7b)이 중심 축선을 중심으로 회전하여 기판 홀더들(7a, 7b)이 상기 록-인 챔버(3)와 록-아웃 챔버(4)에 각각 정렬되게 위치될 수 있다. 코팅 스테이션(1)이 제1 프로세스 챔버(8)와 제2 프로세스 챔버(9)를 더 포함한다. 또한, 상기 코팅 시스템(1)은 제3 기판 홀더(12a)와 제4 기판 홀더(12b)를 갖는 제2 회전 전달 모듈(11)을 포함하는 제2 전달 챔버(10)를 포함한다. 상기 제2 전달 챔버는 제1 프로세스 챔버(8) 및 제2 프로세스 챔버(9)는 물론 제3 프로세스 챔버(13) 및 제4 프로세스 챔버(14)에 연결된다. 제3 프로세스 챔버(13) 및 제4 프로세스 챔버(14)는 평행하게, 다시말해 클러스터 배열로 제2 전달 챔버(10)에 배열된다. 본 발명은 두 전달 챔버들(5, 10) 사이에서 한쪽은 진행 경로(F)에 속하고 다른 한쪽은 복귀 경로(R)에 속하며 상기 진행 경로(F)로부터 상기 복귀 경로(R)로 또는 그 역으로 기판을 전달하도록 구성된 두 평행한 코팅 챔버들(8, 9)의 샌드위치 배열에 의해 시스템의 가용성을 증가시키는 가능성을 제공한다.

    플라즈마 처리장치
    9.
    发明公开
    플라즈마 처리장치 失效
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR1020090120147A

    公开(公告)日:2009-11-24

    申请号:KR1020080046042

    申请日:2008-05-19

    发明人: 이상문 박상태

    IPC分类号: H05H1/24

    摘要: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to accurately grasp carry-in/carry-out timing of a substrate by installing a sensor module which detects an entrance state of the substrate in a door valve. CONSTITUTION: A door valve(100) includes a valve housing(110) divided into three inner spaces, three blades(120), three hinge shafts, a connecting arm, a cylinder(150), and a sensor module(140). The blades are formed in each inner space of the valve housing. The blades perform a switch operation. The hinge shafts are formed in each inner space of the valve housing. The connecting arm connects the blades to the hinge shafts. The cylinder provides a driving force for a switching operation of the blades. The sensor module is installed in the valve housing. The sensor module detects an entrance state of the substrate by a transfer robot.

    摘要翻译: 目的:提供一种等离子体处理装置,通过安装检测门阀中的基板的入口状态的传感器模块来精确地掌握基板的进/出时间。 构成:门阀(100)包括被分成三个内部空间的阀壳体(110),三个叶片(120),三个铰链轴,连接臂,气缸(150)和传感器模块(140)。 叶片形成在阀壳体的每个内部空间中。 刀片执行开关操作。 铰链轴形成在阀壳体的每个内部空间中。 连接臂将叶片连接到铰链轴。 气缸为叶片的切换操作提供驱动力。 传感器模块安装在阀壳体中。 传感器模块通过传送机器人检测基板的入口状态。

    박막 형성 방법 및 박막 형성 장치
    10.
    发明公开
    박막 형성 방법 및 박막 형성 장치 有权
    薄膜成型方法和薄膜成型装置

    公开(公告)号:KR1020090106654A

    公开(公告)日:2009-10-09

    申请号:KR1020097018297

    申请日:2008-02-22

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: A sputtering apparatus is so constituted that film qualities such as a film thickness distribution or a specific resistance can be substantially homogenized all over the surface of a treated substrate when a predetermined thin film is formed by a reactive sputtering. Between a plurality of sputter chambers (11a and 11b) in which targets (31a to 31h) of an equal number are equidistantly juxtaposed, a treated substrate (S) is transferred to positions confronting the individual targets. An electric power is thrown into the individual targets in the sputter chambers, in which the treated substrate exists, so that the individual targets are sputtered to laminate identical or different thin films on the surface of the treated substrate. At this time, the stop position of the treated substrate is so changed that the portion of the treated substrate surface to confront the region between the individual targets may shift between the mutually continuing sputter chambers.

    摘要翻译: 溅射装置的结构是,当通过反应溅射形成预定的薄膜时,在处理的基板的整个表面上,可以使膜厚度分布或电阻率等膜质量基本均匀化。 在多个相等数目的靶(31a至31h)等距地并置的多个溅射室(11a和11b)之间,经处理的基板(S)被转移到面对各个目标的位置。 将电力投入溅射室中的单个靶,其中存在经处理的基底,使得各个靶被溅射以在经处理的基底的表面上层压相同或不同的薄膜。 此时,经处理的基板的停止位置发生变化,使得处理的基板表面的部分面对各个目标之间的区域可能在相互连续的溅射室之间移动。