公开(公告)号：KR20180036549A

公开(公告)日：2018-04-09

申请号：KR20170121968

申请日：2017-09-21

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238

Abstract: 반도체제조방법이개시된다. 방법은제1 금속또는제1 금속의산화물이노출되는제1 표면을가진디바이스를수용하는단계를포함한다. 방법은, 유전체필름이, 유전체필름의제2 부분보다유전체필름의제1 부분에서더 높은농도의 N 및 C를갖도록, 제1 표면위에 Si, N, C, 및 O를가진유전체필름을성막하는단계를더 포함한다. 유전체필름의제1 부분은제1 표면근처에있고, 유전체필름의제2 부분은제1 부분보다제1 표면으로부터더 멀리위치하고있다. 방법은유전체필름위에도전성피처를형성하는단계를더 포함한다. 유전체필름은제1 금속또는제1 금속의산화물로부터도전성피처를전기적으로절연시킨다.

Abstract translation: 公开了一种用于半导体制造的方法。 该方法包括接收具有第一表面的器件，第一金属或第一金属的氧化物通过该第一表面暴露。 该方法进一步包括在第一表面上沉积具有Si，N，C和O的电介质膜，使得电介质膜在电介质膜的第一部分中靠近第一表面的N和C浓度高于第二表面 电介质膜的一部分比第一部分更远离第一表面。 该方法进一步包括在电介质膜上形成导电部件。 介电膜使导电部件与第一金属或第一金属的氧化物电绝缘。

公开(公告)号：KR20180032678A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：KR20187007933

申请日：2016-08-16

Applicant: APPLIED MATERIALS INC

Inventor： LU XINLIANG ,  LEI PINGYAN ,  KAO CHIEN TEH ,  BALSEANU MIHAELA ,  XIA LI QUN ,  SRIRAM MANDYAM

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

Abstract: SiN 막들의증착을위한방법들은, 대략 600℃와동일한또는그 초과의온도에서실리콘할로겐화물전구체에대한그리고질소-함유반응물에대한기판표면의순차적노출을포함한다.

Abstract translation: 在约600℃涡流相同或更高的温度为SiN膜的沉积，和氮到硅卤化物前体的方法 - 包括顺序地将所述基板暴露表面包含反应物。

公开(公告)号：KR20180019079A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：KR20177033500

申请日：2015-06-22

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BRISTOL ROBERT L ,  BLACKWELL JAMES M ,  HOURANI RAMI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76897 ,  H01L2224/16225

Abstract: BEOL(back end of line) 인터커넥트를위해상향식가교결합을사용하는유전체에의한이미지톤 반전이설명된다. 예에서, 금속화층을포함하는반도체구조체는기판위의층간유전체(ILD) 층에복수의트렌치를포함한다. 전촉매층은복수의트렌치중 하나이상(전부는아님)의트렌치의측벽들상에있다. 유전체재료의가교결합부분들은복수의트렌치중 하나이상의트렌치에서전촉매층에근접하여있다. 전도성구조체들은트렌치들의나머지것들에있다.

Abstract translation: 描述了通过使用自下而上的交叉链接进行后端线路（BEOL）互连的电介质图像音调反转。 在该实例中，包括金属化层的半导体结构包括在层间介电（ILD）层的衬底上的多个沟槽的。 催化剂层是在沟槽的侧壁之前（而不是所有都是）的一个或多个所述多个沟槽中的。 介电材料的交联的部分在靠近前催化剂层中的多个沟槽中的至少一个沟槽。 导电结构在沟槽的其余部分。

公开(公告)号：KR20180018726A

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：KR20187001211

申请日：2016-06-14

Applicant: VERSUM MAT US LLC

Inventor： LEI XINJIAN ,  LI JIANHENG ,  LEHMANN JOHN FRANCIS ,  COOPER ALAN CHARLES

IPC: C23C16/34 ,  C01B33/107 ,  C23C16/24 ,  C23C16/36 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C07F7/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/32055

Abstract: 할라이도실란화합물, 할라이도실란화합물을합성하기위한공정, 할라이도실란전구체를포함하는조성물, 및할라이도실란전구체를사용하여규소-함유막(예를들어, 실리콘, 비정질실리콘, 실리콘옥사이드, 실리콘니트라이드, 실리콘카바이드, 실리콘옥시니트라이드, 실리콘카보니트라이드, 도핑된실리콘막, 및금속-도핑된실리콘니트라이드막)을증착시키기위한공정이본원에기재된다. 본원에기재된할라이도실란전구체화합물의예는모노클로로디실란(MCDS), 모노브로모디실란(MBDS), 모노아이오도디실란(MIDS), 모노클로로트리실란(MCTS), 및모노브로모트리실란(MBTS), 모노아이오도트리실란(MITS)을포함하지만, 이로제한되지않는다. 또한, 약 500℃이하의하나이상의증착온도에서규소함유막, 예컨대, 제한없이, 실리콘, 비정질실리콘, 실리콘옥사이드, 실리콘니트라이드, 실리콘카바이드, 실리콘옥시니트라이드, 실리콘카보니트라이드, 도핑된실리콘막, 및금속-도핑된실리콘니트라이드막을증착시키기위한방법이본원에기재된다.

Abstract translation: 哈拉伊多硅烷化合物，哈拉伊多硅烷处理，哈拉伊组合物包含前体，以及使用硅的前体用于合成含化合物的层，以rayido硅烷（例如，硅，非晶硅，氧化硅，氧 氮化物，碳化硅，氧氮化硅，碳氮化硅，掺杂的硅膜，和金属 - 用于沉积掺杂的硅氮化物膜的方法）在本文中描述。 到在本文中描述的前体rayido化合物的实例是一氯苯乙硅烷（MCDS），单溴修改硅烷（MBDS），单碘乙硅烷（MIDS），一氯苯丙硅烷（MCTS），和单溴三硅烷 （MBTS），单碘三硅烷（MITS），但不限于此。 硅，非晶硅，氧化硅，氮化硅，碳化硅，氮氧化硅，碳氮化硅，掺杂硅膜， 并且在此描述用于沉积金属掺杂氮化硅膜的方法。

公开(公告)号：KR1020170141117A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：KR1020170068942

申请日：2017-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시토시오 ,  가타야마다이스케

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/46 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/475 ,  H01L29/518

Abstract: 저온에서의 CVD에의해성막된질화규소막이더라도원하는특성이되도록개질할수 있는질화규소막의처리방법을제공한다.기판상에플라즈마 CVD에의해성막된질화규소막의처리방법으로서, 질화규소막에마이크로파수소플라즈마를조사하여, 마이크로파수소플라즈마중의원자형상수소에의해질화규소막의표면부분의수소를제거하여그 부분을개질한다.

Abstract translation: 即使氮化硅膜通过CVD在低温下形成的，提供一种能够改性的这样的硅氮化物膜的处理方法，其所需的性能。作为氮化硅膜的处理方法成膜通过等离子体CVD法在基板上用氢等离子的微波照射的氮化硅膜 ，由形状微波氢等离子体以除去氢在氮化硅膜的表面部分中的氢原子被修饰成部分。

公开(公告)号：KR1020170125742A

公开(公告)日：2017-11-15

申请号：KR1020170056832

申请日：2017-05-04

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 샐리,마크 ,  톰슨,데이비드 ,  니슬리,토마스 ,  부얀,바스카죠티

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 실리콘전구체, 및알칸올아민과아민반응물의혼합물및 임의적플라즈마에대한순차적노출을포함하는 SiCON 막을형성시키는방법이기술된다. 임의적인플라즈마노출과함께실리콘전구체및 에폭사이드에대한순차적인노출을포함하는실리콘-함유막을형성시키는방법이또한기술된다.

Abstract translation: 描述包括所述顺序暴露到混合物中，和任选的硅前体的等离子体，和链烷醇胺作为胺反应物形成膜SICON的方法。 还描述了一种形成含硅膜的方法，该方法包括依次暴露于硅前体和具有可选等离子体暴露的环氧化物。

公开(公告)号：KR1020170123692A

公开(公告)日：2017-11-08

申请号：KR1020177028538

申请日：2014-09-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다,다로 ,  가사이,시게루 ,  하라,에미코 ,  후지노,유타카 ,  오사다,유키 ,  나카고미,준 ,  고마츠,도모히토

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/511 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 처리용기내에제1 가스와제2 가스를공급하는샤워플레이트를구비한플라즈마발생용안테나를갖고, 마이크로파의공급에의해그 샤워플레이트표면에형성된표면파에의해플라즈마를형성해서기판을처리하는플라즈마처리장치로서, 샤워플레이트의하단면으로부터하방으로돌출되는도전체의수하부재를갖고, 상기수하부재의외측면은, 상단부로부터하단부를향해서외측으로퍼지고, 샤워플레이트는, 복수의제1 가스공급구와복수의제2 가스공급구를구비하고, 제1 가스공급구는수하부재의외측면보다내측에배치되고, 제2 가스공급구는수하부재의외측면보다외측에배치되어있다.

Abstract translation: 具有具有喷淋板用于通过微波的供给供给第一气体和第二气体到处理容器中，以由形成在喷淋板表面处理的基板上的波，以形成等离子体的等离子体产生用天线的等离子体处理装置 并且淋浴板从上端朝向下端向外延伸，淋浴板具有多个第一供气口和多个开口 2设置有一个气体供给口，并且在相对于所述第一气体供给口侧令人惊讶的水下构件内部的布置中，被布置在外侧相对于所述两个令人惊讶侧气体供给口水下构件。

公开(公告)号：KR101793944B1

公开(公告)日：2017-11-06

申请号：KR1020150132165

申请日：2015-09-18

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 사노아츠시 ,  히로세요시로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/022 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

Abstract: 본발명은소정원소와, 붕소, 산소, 탄소및 질소로이루어지는군으로부터선택되는적어도 1개의원소를포함하는다원계의막의조성비의제어성등을향상시킨다.적어도 Si, Ti, Zr, Hf, Ta, Nb, Al, Mo 및 W로이루어지는군(群)으로부터선택되는미리지정된원소와, 산소, 탄소및 질소로이루어지는군(群)으로부터선택되는적어도 1개의원소를포함하고보라진환골격비함유의제1 막을형성하는공정; 및상기제1막상에적어도붕소와질소를포함하고보라진환골격을함유하는제2 막을형성하는공정;을교호적으로수행하는사이클을미리지정된횟수수행하는것에의해기판상에상기제1 막과상기제2 막이교호적으로적층되어이루어지는적층막을형성하는공정을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170109588A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：KR1020177023272

申请日：2016-01-05

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 첸,이홍 ,  첸,켈빈 ,  무커지,샤우낙 ,  말릭,아브히지트바수

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53228

Abstract: 본원에서개시되는구현들은일반적으로, 실리콘산화물막들을형성하는방법들에관한것이다. 방법들은말단수산기들을갖는기판의표면에대해실릴화를수행하는단계를포함할수 있다. 그후에, 기판의표면상의수산기들은, 부가적인실릴화를수행하기위해, 플라즈마및 HO 소크를사용하여재생성된다. 추가적인방법들은, 루이스산을사용하여, 노출된표면들에촉매작용을하여, 노출된제 1 및제 2 표면들을지향성으로비활성화시키는것, 및측벽표면들상에실리콘함유층을증착하는것을포함한다. 다수의플라즈마처리들이원하는두께를갖는층을증착하기위해수행될수 있다.

Abstract translation: 本文公开的实施方式总体上涉及形成氧化硅膜的方法。 该方法可以包括在具有末端羟基的基材表面上进行甲硅烷基化。 此后，使用等离子体和HO浸泡使衬底表面上的羟基再生，以进行额外的甲硅烷基化。 另外的方法包括使用路易斯酸催化暴露的表面以定向钝化暴露的第一和第二表面，并且在侧壁表面上沉积含硅层。 可以执行许多等离子体处理来沉积具有期望厚度的层。

公开(公告)号：KR1020170098189A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：KR1020170021875

申请日：2017-02-17

Applicant: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.

Inventor： 이시카와다이 ,  후쿠자와아츠키

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111

Abstract: 트렌치에층 구조를제조하는방법은, 상부표면, 그리고상기트렌치의바닥표면및 측벽들상에 Si-N 결합을함유하는유전체막을동시에형성하는단계로서, 상기상부표면및 상기바닥표면상에형성된상기막의상부/바닥부분과상기측벽들상에형성된상기막의측벽부분은상기기판이두 개의전극들에평행하게위치하는상기두 개의전극들사이에전압을인가함으로써여기되는플라즈마의충돌에의해상이한화학저항성특성들이주어지며, 상기단계; 및상기상이한화학저항성특성들에따라서상기유전체막의상기상부/바닥부분과상기유전체막의상기측벽부분중의하나를다른것보다더 우세하게제거하는습식식각에의해상기유전체막의상기상부/바닥부분및 상기측벽부분중의어느하나를그러나양쪽모두는아니게실질적으로제거하는단계를포함한다.

Abstract translation: 一种制造沟槽结构的方法，包括：在所述沟槽的底部和侧壁上同时形成顶部表面和含有Si-N键的介电膜，所述顶部表面和所述底部表面 由于激发等离子体通过在两个电极之间施加电压而发生碰撞，膜的顶部/底部和形成在侧壁上的膜的侧壁部分可以具有不同的耐化学性， 其特点在于; 和在顶/底部的电介质膜和在所述侧壁的一个或多个主要去除所述介电膜，所述电介质膜通过湿蚀刻，其中顶/底部，并根据不同的耐化学作用特性的侧壁比其他部分的 并且/或者可以使用任何其他方法。