公开(公告)号：KR101901564B1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：KR1020147005309

申请日：2012-08-10

申请人： 메르크 파텐트 게엠베하

发明人： 노야고

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/11

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2016 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3081

摘要： [과제] 산화텅스텐막을수성용액으로형성시키기위한조성물및 이것을사용한패턴형성방법의제공. [해결수단] 수용성메타텅스텐산염과, 음이온성중합체, 비이온성중합체, 음이온성계면활성제, 및 3급아미노기함유비이온성계면활성제로부터선택되는적어도 1종의첨가제와, 물을포함하여이루어진산화텅스텐막형성용조성물. 화상반전 3층구조, 레지스트층막, 또는레지스트상층보호막을사용한패턴형성방법에서사용되는이산화규소막형성용조성물대신에, 상기산화텅스텐막형성용조성물을사용하여패턴을형성할수 있다.

公开(公告)号：KR20180021034A

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：KR20180018054

申请日：2018-02-13

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： LIN JING CHENG ,  LU SZU WEI ,  YU CHEN HUA ,  CHI YEN YAO

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005

摘要： 반도체소자구조체가제공된다. 반도체소자구조체는기판을포함한다. 반도체소자구조체는기판위의도전성구조체를포함한다. 반도체소자구조체는도전성구조체위의제1 금속산화물섬유를포함한다. 반도체소자구조체는기판위에있고도전성구조체와제1 금속산화물섬유를덮는유전체층을포함한다. 유전체층은제1 금속산화물섬유사이를채운다.

摘要翻译： 提供了一种半导体器件结构。 该半导体器件结构包括衬底。 半导体器件结构包括衬底上的导电结构。 半导体器件结构包括导电结构上的第一金属氧化物纤维。 半导体器件结构包括在衬底上的电介质层并覆盖导电结构和第一金属氧化物纤维。 介电层填充第一金属氧化物纤维之间的间隙。

公开(公告)号：KR1020170095808A

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：KR1020177011097

申请日：2015-10-05

申请人： 고쿠리츠다이가쿠호진 호쿠리쿠 센단 가가쿠 기쥬츠 다이가쿠인 다이가쿠 ,  스미토모 세이카 가부시키가이샤

发明人： 시모다,타츠야 ,  이노우에,사토시 ,  후쿠다,카즈히로 ,  니시오카,키요시 ,  후지모토,노부타카 ,  스즈키,마사히로

IPC分类号： C23C18/12 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C18/1216 ,  C23C18/12 ,  C23C18/1279 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/288 ,  H01L29/786 ,  C23C18/1208 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02554

摘要： 본발명은전자디바이스또는반도체소자에채용될수 있는박막을인쇄법에의해형성할때에, 예사성(曳絲性)을제어할수 있는지방족폴리카보네이트, 산화물의전구체, 및산화물층을제공한다. 본발명의하나인산화물의전구체는, 분자량이 6천이상 40만이하인지방족폴리카보네이트의비율이해당지방족폴리카보네이트전체의 80 질량% 이상인, 상술한지방족폴리카보네이트로이루어지는바인더(불가피불순물을포함할수 있음)를포함하는용액속에, 산화되었을때에금속산화물이되는금속의화합물을분산시킨것이다. 그결과, 도 1에나타내는바와같이, 반도체소자의제조에사용할수 있는양호한패턴을형성할수가있다.

摘要翻译： 本发明提供的前体，以及脂肪族聚碳酸酯的氧化物层，其可控制的氧化物，例如，放射性（曳丝性）由可在印刷方法中的电子装置或半导体装置中使用的薄膜形成的时间。 本发明的氧化物之一的前体具有的相应的脂族聚碳酸酯仆人脂肪族聚碳酸酯的小于6000或多个400比002 80质量％，由上述脂肪族聚碳酸酯（其可以包含不可避免的杂质的粘合剂的分子量 ）分散在含有金属化合物的溶液中，该金属化合物在氧化时成为金属氧化物。 其结果是，如示于图1，它能够形成可以在半导体器件的制造中使用的良好的图案。

公开(公告)号：KR1020170028005A

公开(公告)日：2017-03-13

申请号：KR1020150124728

申请日：2015-09-03

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 최경인 ,  김봉수 ,  김현승 ,  홍현기

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66803 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/2256 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

摘要： 본발명은반도체장치및 이의제조방법에관한것이다. 상기반도체제조방법은제1 방향으로연장되는액티브핀을형성하고, 액티브핀의장변을따라형성되고, 액티브핀의상부를노출시키는필드절연막을형성하고, 액티브핀 상에제1 방향과교차하는제2 방향으로연장된더미게이트패턴을형성하고, 더미게이트패턴의적어도일측에스페이서를형성하고, 스페이서와더미게이트패턴에의해노출된상기액티브핀을덮는라이너막을형성하고, 라이너막상에, 불순물원소를포함하는불순물공급막을형성하고, 불순물공급막을열처리하여, 액티브핀의상면을따라액티브핀 내에형성되는도핑영역을형성하는것을포함한다.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 该方法包括形成沿着第一方向延伸的活性翅片; 形成沿有源鳍片的长边暴露活性鳍片的上部的场绝缘层; 在所述活动翅片上形成沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸的虚拟栅极图案; 在所述伪栅极图案的至少一侧上形成间隔物; 形成覆盖由所述间隔物和所述伪栅极图案露出的所述有源鳍的衬垫层; 在所述衬垫层上形成含有掺杂剂元素的掺杂剂供给层; 以及通过热处理所述掺杂剂供应层，沿着所述活性鳍片的上表面在所述活性鳍片中形成掺杂区域。

公开(公告)号：KR1020160141705A

公开(公告)日：2016-12-09

申请号：KR1020167022863

申请日：2015-03-23

申请人： 사이프레스 세미컨덕터 코포레이션

发明人： 람쿠마,크리쉬나스와미 ,  시흐,후이메이

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/511 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： 메모리디바이스를제조하는방법이설명된다. 일반적으로, 방법은기판의표면상에터널링유전체및 터널링유전체위에전하-트랩핑층을포함하는유전체스택을형성하는단계; 유전체스택위에산화물을포함하는제 1 캡층을증착하는단계; 제 1 캡층 위에질화물을포함하는제 2 캡층을형성하는단계; 메모리디바이스의게이트스택을형성하기위해제 1 캡층과제 2 캡층 및유전체스택을패터닝하는단계; 제 2 캡층을제거하는단계; 및전하-트랩핑층 위에차단산화물을형성하기위해산화프로세스를수행하는단계를포함하고, 산화프로세스는제 1 캡층을소모한다. 다른실시예들이또한설명된다.

摘要翻译： 描述了一种制造存储器件的方法。 通常，该方法包括：在衬底的表面上形成包括隧道电介质和覆盖隧道电介质的电荷捕获层的电介质堆叠; 在电介质堆叠上沉积包含氧化物的第一盖层; 在所述第一盖层上形成包含氮化物的第二盖层; 图案化第一和第二盖层和电介质堆叠以形成存储器件的栅极堆叠; 移除所述第二盖层; 并进行氧化处理以在电荷捕获层上形成阻挡氧化物，其中氧化过程消耗第一盖层。 还描述了其它实施例。

公开(公告)号：KR1020140112016A

公开(公告)日：2014-09-22

申请号：KR1020147017353

申请日：2011-11-24

申请人： 유니버시티 오브 매니토바

发明人： 민코,옥센스 ,  부차난,더글라스에이.

IPC分类号： C01G27/02 ,  H01G4/10 ,  B32B18/00 ,  H01B19/04 ,  H01B3/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/335 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L21/02181 ,  H01B3/10 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/321 ,  H01L28/40

摘要： 금속성 막의 수용성 산화에 대한 방법이 설명된다. 예컨대, 실리콘 기판 상의 하프늄 금속의 막은 뜨거운 탈염수를 이용하여 하프늄 이산화물로 산화될 수 있다. 산화된 금속성 막을 이용하여 커패시터 및 전계 효과 트랜지스터와 같은 전기 컴포넌트를 제조하기 위한 방법이 또한 설명된다. 예컨대, 하프늄 이산화물 유전체 층을 가지는 커패시터가 제조될 수 있다.

摘要翻译： 描述了金属膜的水氧化方法。 例如，可以使用热去离子水将硅衬底上的铪金属膜氧化成二氧化铪。 还描述了使用氧化金属膜制造诸如电容器和场效应晶体管的电气元件的方法。 例如，可以制造具有二氧化铪电介质层的电容器。

公开(公告)号：KR101383120B1

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：KR1020070097909

申请日：2007-09-28

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 에구치,신고 ,  몬마,요헤이 ,  타니,아츠히로 ,  호사카,야슈하루 ,  하시모토,케니치 ,  히로슈에,미사코

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/13

CPC分类号： H01L21/67132 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1266

摘要： 본 발명은 반도체 소자의 제작시에 사용한 기판으로부터, 반도체 소자를 포함하는 소자 형성층을 박리할 때에, 박리에 의해서 발생한 정전기에 의한 방전을 억제한다.
기판(10)상에 박리층(12), 소자 형성층(11)을 형성한다. 소자 형성층(11)의 상면에는 나중에 박리 가능한 지지 기재(13)가 고정된다. 지지 기재(13)를 개재하여, 소자 형성층(11)을 변형시켜, 소자 형성층(11)과 박리층(12)의 계면에서 박리를 발생시킨다. 박리에 의해서 차차 나타나는 소자 형성층(11) 및 박리층(12)이 순수 등의 액체(15)로 젖도록, 액체(15)를 공급하면서 박리를 한다. 액체(15)에 의해 소자 형성층(11) 및 박리층(12)의 표면에 발생한 전하가 확산되어, 박리 대전에 의한 방전을 없앨 수 있다.
반도체 소자, 박리층, 소자 형성층, 방전, 정전기

公开(公告)号：KR1020120048590A

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：KR1020127002767

申请日：2010-07-26

申请人： 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

发明人： 오미다다히로

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78636 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/28008 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L29/51 ,  H01L2924/00

摘要： 기판 상에 형성된 Al 또는 Al 합금을 함유하는 게이트 전극과, 그 게이트 전극의 적어도 상면을 덮도록 형성되고 그 게이트 전극의 Al 또는 Al 합금을 양극 산화한 양극 산화막을 포함하는 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극의 두께 및 그 상면의 게이트 절연막의 두께의 합계 두께와 실질적으로 동등한 두께를 갖고 상기 게이트 전극을 둘러싸도록 상기 기판 상에 형성된 절연체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치가 얻어진다.

公开(公告)号：KR1020120018148A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：KR1020117026483

申请日：2010-04-06

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 유우야시게노리

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/0392 ,  C25D11/04 ,  H01L21/02244 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/548

摘要： 본 발명에는 절연층으로서 작용하는 애도느화 필름을 갖는 절연 금속 기판을 이용한 반도체 소자가 개시되어 있고, 이것은 절연층의 내전압이 높고, 누설 전류의 변화가 적게 제공되어 양호한 절연 특성을 제공한다. 반도체 소자는 절연 금속 기판(10) 상의 반도체 회로를 포함하고, 이것은 Al 기판(11)의 적어도 한 면 상에 형성된 애노드화 필름(12)을 포함하며, 상기 Al 기판(11)은 반도체 회로 구동시 반도체 회로의 평균 전위보다 높은 전위를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020110075474A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：KR1020090131935

申请日：2009-12-28

申请人： 주식회사 원익홀딩스

发明人： 조병철 ,  한창희

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28556 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： PURPOSE: A semiconductor capacitor and a fabrication method thereof are provided to increase dielectric constant by replacing Ru with Ru/RuO2 in a bottom electrode and Ru with RuO2/Ru in a top electrode. CONSTITUTION: A bottom electrode(210) has a first Ru layer(211) and a first RuO2 layer(212) in sequence. A dielectric film(220) is formed on the bottom electrode. A top electrode(230) is formed on the dielectric film. A second RuO2 layer(231) and a second Ru layer(232) are stacked on the top electrode in sequence.

摘要翻译： 目的：提供一种半导体电容器及其制造方法，以通过在底部电极中用Ru / RuO 2替换Ru，并在Ru电极中使用RuO 2 / Ru来使Ru增加介电常数。 构成：底部电极（210）依次具有第一Ru层（211）和第一RuO 2层（212）。 在底部电极上形成电介质膜（220）。 在电介质膜上形成顶部电极（230）。 第二RuO 2层（231）和第二Ru层（232）依次层叠在顶部电极上。