公开(公告)号：KR101889765B1

公开(公告)日：2018-08-20

申请号：KR1020120016522

申请日：2012-02-17

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨

Inventor： 모슬리데이비드 ,  토어슨데이비드

IPC: C09D11/03 ,  C09D11/52

CPC classification number: C09D11/03 ,  C09D11/52 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1608 ,  Y02E10/541

Abstract: 본발명은갈륨배합잉크를제공한다. 또한, 갈륨배합잉크의제조방법및, 예를들면박막트랜지스터(TFT), 발광다이오드 (LED); 광반응성장치{예를들면, 전자사진(레이저프린터및 복사기등), 정류기, 사진노출계및 광전지셀} 및칼코게나이드를함유하는상변화메모리물질과같은다양한칼코게나이드를함유하는반도체물질의제조에사용하기위한기판상에 1b족/갈륨/(임의로인듐)/6a족물질을침착하는갈륨배합잉크의사용방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101848460B1

公开(公告)日：2018-05-28

申请号：KR1020177029248

申请日：2014-07-17

Applicant: 나노코 테크놀로지스 리미티드

Inventor： 해리스,제임스 ,  그레스티,나탈리 ,  마살라,옴브레타 ,  피켓,나이젤

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L31/032 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/1864 ,  H01L51/0091

Abstract: 본발명은구리및 셀레나이드이온을포함하는나노입자전구체조성물을셀레놀화합물존재하에구리셀레나이드나노입자의물질로의전환을수행함으로써, 구리셀레나이드나노입자제조하는방법에관한것이다. 또한, 구리셀레나이드를포함하는막 및플럭싱제(fluxing agent)로서구리셀레나이드를사용하여제조된 CIGS 반도체막이설명된다.

公开(公告)号：KR101800829B1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：KR1020177004577

申请日：2013-07-05

Applicant: 나노코 테크놀로지스 리미티드

Inventor： 그레스티,나탈리 ,  마살라,옴브레타 ,  뉴먼,크리스토퍼 ,  와이트레그,스테판 ,  피켓,나이젤

IPC: C01B19/00 ,  C09D11/00 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1864 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C09D11/52 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/035218 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 13족셀렌화물나노입자의제조방법은 13족이온소스를셀레놀화합물과반응시킴을포함한다. 나노입자는 MSe(여기서 M은 In 또는 Ga) 반도체코어와탄소-셀레늄결함을통해이 코어에부착한유기캡핑리간드를포함한다. 셀레놀은반도체코어에포함되는셀레늄소스를제공하고또한유기캡핑리간드를제공한다. 나노입자는특히반도체필름제조의용액-기반방법에적합하다.

公开(公告)号：KR101723096B1

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：KR1020150159160

申请日：2015-11-12

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조아라 ,  조준식 ,  윤재호 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  유진수 ,  안승규 ,  박주형 ,  어영주 ,  김기환

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/0324 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02623 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864

Abstract: 본발명은태양전지의광흡수층에적합한칼코겐화합물박막을형성하는방법에관한것으로, Sn 전구체물질과 S 전구체물질을포함하는전구체액을제조하는단계; 상기전구체액을도포하여전구체막을형성하는단계; 및상기전구체막을열처리하는단계;를포함하여구성되며, 상기 Sn 전구체물질과상기 S 전구체물질이액체상태의물질인것을특징으로한다. 본발명은, 액체상태의전구체물질을사용하여황화열처리공정없이칼코겐화합물박막을형성하는방법을제공함으로써, 고품질의 SnS 박막을비용이낮고대량생산에적합한공정으로형성할수 있는뛰어난효과를나타낸다. 또한, 대량생산에적합한공정으로광흡수층을형성함으로써, 칼코겐화합물박막태양전지를낮은비용으로제조할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成适用于太阳能电池的光吸收层的硫族化合物薄膜的方法，包括以下步骤：制备含有Sn前体材料和S前体材料的前体流体; 施加前体流体以形成前体膜; 并且热处理前体膜，其中Sn前体材料和S前体材料是液体材料。 本发明中，通过使用前体材料在液体状态，以形成硫属化物薄膜，而不硫化物热处理过程中提供的方法中，显示出优异的效果，即可以形成用于大量生产高品质的SnS薄膜低成本一个合适的工艺。 此外，通过在适于批量生产的工艺中形成光吸收层，可以低成本地制造硫属化合物化合物薄膜太阳能电池。

公开(公告)号：KR1020170002264A

公开(公告)日：2017-01-06

申请号：KR1020150163840

申请日：2015-11-23

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 ,  내셔널 타이완 유니버시티

Inventor： 린스옌 ,  판사무엘씨 ,  우총롱 ,  창시엔뤠이

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L29/778 ,  C30B25/16 ,  C30B29/46 ,  C30B29/60 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 2차원(2D) 물질들을포함한반도체디바이스를제조하는방법은, 기판위에제1 2차원(2D) 물질층을에피택셜방식으로형성하는단계; 제1 2D 물질층의평균두께를계산하는단계; 제1 2D 물질층의평균두께를기준파라미터와비교하는단계; 제1 2D 물질층의평균두께가기준파라미터와실질적으로같지않다고결정하는단계; 및상기결정이후, 제1 2D 물질층위에제2 2D 물질층을에피택셜방식으로형성하는단계를포함할수 있다.

Abstract translation: 制造包括二维（2D）材料的半导体器件的方法可以包括：在衬底上外延地形成第一二维（2D）材料层; 计算第一2D材料层的平均厚度; 将第一2D材料层的平均厚度与参考参数进行比较; 确定第一2D材料层的平均厚度基本上不等于参考参数; 并且在确定之后，在所述第一2D材料层上外延地形成第二2D材料层。

公开(公告)号：KR1020160144468A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：KR1020167031626

申请日：2015-04-30

Applicant: 마테리온 어드벤스드 머티리얼즈 저머니 게엠베하

Inventor： 슐테이스,마르커스 ,  시몬스,크리스토프

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C22C9/04 ,  C22C18/02 ,  C22C9/02 ,  H01J37/34 ,  H01L31/0392 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C18/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/5866 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은 CuZnSn 물질, CuZn 물질또는 CuSn 물질을포함하는 3차원스퍼터타겟을청구한다. 대표 CuZnSn 물질은, 40 원자퍼센트내지 60 원자퍼센트범위의 Cu 함량; 20 원자퍼센트내지 30 원자퍼센트범위의 Zn 함량; 및 20 원자퍼센트내지 30 원자퍼센트범위의 Sn 함량을가지며, 여기서상기 3차원스퍼터타겟은 500㎜를초과하는적어도하나의주축치수를가지며, 상기 CuZnSn 물질은 0.005㎜내지 5㎜범위의입자크기를갖는다. 부가적으로, 본발명은 3차원스퍼터타겟을제조하는방법을청구한다.

Abstract translation: 本发明要求一种包含CuZnSn材料，CuZn材料或CuSn材料的三维溅射靶。 示例性的具有Cu含量范围为40原子％至60原子％的CuZnSn材料; Zn含量范围为20原子％至30原子％; 和Sn含量范围为20原子％至30原子％，其中三维溅射靶具有至少一个主轴尺寸大于500mm，CuZnSn材料具有0.005mm至5mm的晶粒尺寸。 本发明的另外要点是制造三维溅射靶的方法。

公开(公告)号：KR101670708B1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：KR1020117025860

申请日：2010-04-09

Applicant: 하너지 홀딩 그룹 리미티드

Inventor： 맥키,닐,엠.

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0392

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03928 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 태양전지는, 기판, 상기기판위에위치한제 1 전극으로서제 1 전이금속층을포함하는상기제 1 전극과, 상기제 1 전극위에위치한적어도하나의 p-형반도체흡수층과, 상기 p-형반도체흡수층위에위치한 n-형반도체층과, 상기 n-형반도체층위에위치한제 2 전극을포함한다. 상기제 1 전이금속층은, (ⅰ) 알칼리원소또는알칼리화합물과, (ⅱ) 격자왜곡원소또는격자왜곡화합물을포함한다. 상기 p-형반도체흡수층은구리인듐셀레나이드(CIS) 기반합금재료를포함한다.

公开(公告)号：KR1020160125828A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020150056833

申请日：2015-04-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민병권 ,  황윤정 ,  박세진

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0445

CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/065 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864

Abstract: 본발명은태양전지용 CIGSSe 박막및 이의제조방법, 이를이용한태양전지에관한것으로, 더욱상세하게는오제(Auger) 전자분광법의분석결과, 상기박막의표면에서깊이방향으로황 함량의극소값지점까지는황의피크세기(intensity)가감소하는것을특징으로하는태양전지용 CIGSSe 박막을제조하여, 상기 CIGSSe 박막내의밴드갭을제어함으로써상기 CIGSSe 박막을포함하는태양전지는광전변환효율을개선시키는데탁월한효과를나타낸다.

Abstract translation: 提供了一种用于太阳能电池的CIGSSe薄膜，其制备方法和使用其的太阳能电池。 更具体地说，用于太阳能电池的CIGSSe薄膜在基于俄歇电子能谱分析之后显示出从薄膜表面到硫含量的局部最小值点的硫的峰值强度的降低， 从而控制薄膜中的带隙。 因此，包含CIGSSe薄膜的太阳能电池在提高光电转换效率方面表现出极好的效果。

公开(公告)号：KR1020160124017A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：KR1020160046063

申请日：2016-04-15

Applicant: 코넬 유니버시티

Inventor： 박지웅 ,  강기범 ,  시에사이엔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02417 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/28556

Abstract: 금속-칼코제나이드의적어도하나의단층 (예를들어, 1 내지 10개의단층)을포함하는기질상에배치된금속-칼코제나이드막. 막은막으로커버된기질의 80% 이상에걸쳐연속적일수 있다 (예를들어, 구조적으로및/또는전기적으로연속적이다). 막은칼코제나이드전구체의농도에비해낮은금속전구체농도에기초한방법에의해만들어질수 있다. 방법은낮은물 농도에서수행될수 있다. 막은디바이스 (예를들어, 전기적디바이스)에서사용될수 있다.

Abstract translation: 金属硫族化物薄膜，其设置在包含金属硫族化物的至少一个单层（例如1至10个单层）的基材上。 该膜可以是由膜覆盖的基底的80％以上的连续（例如，结构上和/或电连续的）。 可以通过基于相对于硫族化物前体的浓度的低金属前体浓度的方法制备膜。 该方法可以在低水浓度下进行。 膜可以用于设备（​​例如，电气设备）中。

公开(公告)号：KR101645950B1

公开(公告)日：2016-08-12

申请号：KR1020117001447

申请日：2009-06-19

Applicant: 프로브스트 볼커

Inventor： 프로브스트볼커

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  F27B5/04 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C14/5866 ,  C23C16/4411 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은박층, 특히도성, 반도성또는절연성박층을제조하기위한특히편평기판형상의특히적층된가공품을처리하는처리장치에관한것이며, 특히처리챔버의적어도하나의벽, 특히모든벽과섹션으로및/또는열 작동성으로접속되는적어도하나의템퍼링장치로서, 상기챔버는소정의온도로처리챔버(14)의벽(16)의적어도일부영역, 특히처리챔버벽의실질적으로전체에설비되고적합화되고, 특히적층된가공품의처리의적어도일부동안제1 온도로동일하게유지하도록하고, 상기온도는제2 온도인실온미만이아니고처리챔버에서발생할수 있는제3 온도미만이고실온보다높은, 적어도하나의템퍼링장치와, 처리챔버에서특히강제대류인가스유동사이클을생성하기위한적어도하나의가스반송장치와, 가스를가열하기위한것이고, 가스반송장치(46, 50)에의해생성되는가스유동사이클에배치되거나배치될수 있는적어도하나의가열장치(36)와, 적어도하나의가스안내장치를포함한다.