公开(公告)号：KR101919203B1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：KR1020160134950

申请日：2016-10-18

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 리신-이 ,  짜이쳉-옌 ,  리다-유안

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/67167 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： 일함수조정을달성하기위해 (예를들어, 일-함수층의) 성막-전처리를제공하기위한방법및 구조물이제공된다. 다양한실시예에서, 게이트유전체층이기판위에형성되며, 그리고일-함수금속층이게이트유전체층 위에성막된다. 그후, 일-함수금속층의불소-기반처리가실행되며, 이때불소-기반처리는, 처리된일-함수금속층을형성하기위해일-함수금속층의상면으로부터산화된층을제거한다. 일부실시예에서, 불소-기반처리를실행한이후에, 다른금속층이처리된일-함수금속층 위에성막된다.

公开(公告)号：KR101882991B1

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：KR1020160017229

申请日：2016-02-15

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 이시자카타다히로

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238

摘要： CVD법에의해, 얇고, 또한연속적인루테늄막을형성하는방법을제공한다. 루테늄막의성막방법은, CO 가스를수용하는 CO 가스용기(43)로부터, 성막원료로서고체상태의루테늄카르보닐을수용하는성막원료용기(41)에캐리어가스로서 CO 가스를공급함으로써, 루테늄카르보닐가스를 CO 가스와의혼합가스로서처리용기(1) 내로도입하고, 웨이퍼(W) 상에서루테늄카르보닐을분해시켜루테늄막을성막하는퇴적공정과, 처리용기(1) 내에의혼합가스의도입을정지한상태에서, CO 가스용기(43)로부터 CO 가스를처리용기(1) 내로직접도입하여웨이퍼(W)의표면에 CO 가스를접촉시키는 CO 가스도입공정을포함한다. 바람직하게는, 퇴적공정과 CO 가스도입공정을복수회 반복한다.

公开(公告)号：KR101862547B1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：KR1020120038398

申请日：2012-04-13

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 지정근 ,  김진균 ,  최지훈 ,  황기현

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L29/66666 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/11582

摘要： 폴리실리콘막형성방법에있어서, 공정챔버내에로딩된대상체상에질소함유실리콘전구체를도입하여예비씨드층을형성한다. 예비씨드층상에염소함유실리콘전구체를도입하여씨드층을형성한다. 씨드층상에실리콘소스를도입하여폴리실리콘막을형성한다.

公开(公告)号：KR101850201B1

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：KR1020160034726

申请日：2016-03-23

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 스즈키겐지 ,  마에카와고지 ,  호타다카노부

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/045 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883

摘要： 본발명의과제는디바이스가미세화나복잡화되어도원료가스로서염화텅스텐가스를이용한 ALD법에의해, 양호한밀착성을갖는텅스텐막을양호한매립성으로성막하는것이다. 해결수단으로서, 염화텅스텐가스및 환원가스를, 챔버내의퍼지를사이에두고순차적으로챔버내에공급하여주 텅스텐막을성막하는주 텅스텐막성막공정과, 주텅스텐막성막공정에앞서, 염화텅스텐가스의공급량을주 텅스텐막성막공정보다적게하여, 염화텅스텐가스및 환원가스를퍼지가스의공급을사이에두고순차적으로, 또는염화텅스텐가스및 환원가스를동시에챔버내에공급하여, 하지막위에초기텅스텐막을성막하는초기텅스텐막성막공정을갖는다.

公开(公告)号：KR20180036740A

公开(公告)日：2018-04-09

申请号：KR20187005617

申请日：2016-06-30

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556

摘要： 박막증착방법및 장비가본원의일부실시예에따라제공된다. 일부실시예에서, 온도인덱싱된박막증착이복수의스테이션에서수행되며, 여기서각각의스테이션은상이한반응물또는반응물의조합물을제공한다. 스테이션은서로기체격리된상태일수 있고, 바람직하지않은기상반응, 화학기상증착 (CVD) 및/또는원자층증착법 (ALD) 반응을최소화하거나방지하기위해상이한온도에서상이한반응물과접촉될수 있다.

摘要翻译： 提供了根据本公开的一些实施例的薄膜沉积方法和设备。 在一些实施例中，温度索引薄膜沉积在多个站中执行，其中每个站提供不同的反应物或反应物的组合。 这些站可以是彼此隔离的气体并且可以在不同的温度下与不同的反应物接触以最小化或防止不希望的气相反应，化学气相沉积（CVD）和/或原子层沉积（ALD）反应。

公开(公告)号：KR20180018385A

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：KR20170100816

申请日：2017-08-09

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01J37/3244 ,  C23C16/06 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

摘要： (과제) 플라즈마 CVD에의해성막할때에, 기판외주부의막 두께를조정하여, 소망하는막 두께면 내균일성을얻을수 있는기술을제공한다. (해결수단) 성막장치(100)는, 웨이퍼 W가수용되는처리용기(1)와, 처리용기(1) 내에서웨이퍼가탑재되는서셉터(2)와, 서셉터(2)에탑재된웨이퍼 W에대향배치되고, 처리가스를서셉터(2)상의웨이퍼 W로향해서토출하는샤워헤드(10)와, 샤워헤드(10)와서셉터(2)의사이에플라즈마를생성하여처리가스를여기시키는고주파전원(41)을갖고, 플라즈마에의해여기된처리가스에의해웨이퍼 W상에소정의막을성막한다. 샤워헤드(10)는, 서셉터(2)에대향하는가스토출면(17)을갖고, 가스토출면(17)에는복수의가스토출구멍(15)이형성되고, 가스토출면(17)에있어서의복수의가스토출구멍(15)이형성된가스토출구멍형성영역(18)은, 가스토출면(17)의웨이퍼 W에대응하는영역보다작다.

摘要翻译： 一种用于利用由等离子体激发的处理气体在被处理基板上形成被膜的成膜装置，其特征在于，具有：容纳基板的处理容器; 安装台，其用于将处理室内的基板安装在其上; 气体注入部件，其设置成面对安装在所述载置台上的所述基板，并且向所述载置台上的所述对象基板注入所述处理气体; 以及等离子体产生单元，用于通过在气体注入构件和安装台之间产生等离子体来激发处理气体。 气体注入构件具有面向安装台的气体注入表面。 气体注入孔形成在气体注入表面中。 气体注入面上形成气体注入孔的气体注入孔形成区域小于气体注入表面上与目标基板相对应的区域。

公开(公告)号：KR20180005507A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：KR20160085710

申请日：2016-07-06

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/4885 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/764 ,  H01L21/823475

摘要： 반도체소자의제조방법으로, 기판상에제1 도전패턴및 하드마스크가적층되는복수의도전구조물들을형성한다. 상기도전구조물들의측벽상에, 제1 스페이서, 희생스페이서및 제2 스페이서를포함하는예비스페이서구조물들을형성한다. 상기예비스페이서구조물들사이의적어도일부영역의기판상에패드구조물들을형성하고, 상기패드구조물들사이에는상기희생스페이서의상부를노출하는개구부를형성한다. 상기희생스페이서의상부를노출하면서, 상기패드구조물들의표면을덮는마스크패턴을형성한다. 그리고, 상기희생스페이서를제거하여, 상기제1 스페이서, 에어스페이서및 상기제2 스페이서를포함하는스페이서구조물을형성한다. 상기공정에의하면, 상기희생스페이서를제거하는공정에서패드구조물의표면이노출되지않으므로, 상기도전구조물또는패드구조물의불량이감소될수 있다.

摘要翻译： 在制造半导体存储器件的方法中，包括第一导电图案和硬掩模的多个第一导电结构顺序地堆叠在基板上。 包括第一间隔物，牺牲间隔物和第二间隔物的多个初步间隔物结构顺序地堆叠在导电结构的侧壁上。 多个焊盘结构形成在初始间隔体结构之间的衬底上，并限定暴露牺牲间隔体的上部的开口。 形成第一掩模图案以覆盖焊盘结构的表面，并暴露牺牲间隔体的上部。 去除牺牲间隔物以形成具有相应空气间隔物的第一间隔物结构，并且第一间隔物结构包括顺序堆叠在导电结构的侧壁上的第一间隔物，空气间隔物和第二间隔物。

公开(公告)号：KR1020170137960A

公开(公告)日：2017-12-13

申请号：KR1020177035115

申请日：2013-03-22

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 조페,부산엔. ,  젤라토스,아브제리노스브이. ,  정,보 ,  레이,유 ,  푸,신유 ,  간디코타,스리니바스 ,  유,상호 ,  아브라함,매튜

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L23/532 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/66621

摘要： 반도체디바이스의컨택구조들내에컨택금속층을증착하기위한방법들이제공된다. 일실시예에서, 반도체디바이스내에컨택구조를형성하기위해컨택금속층을증착하기위한방법이제공된다. 방법은, 기판상에컨택금속층을증착하기위해주기적인금속증착프로세스(cyclic metal deposition process)를수행하는단계, 및기판상에배치된컨택금속층을어닐링하는단계를포함한다. 주기적인금속증착프로세스는, 기판상에컨택금속층의일부를증착하기위해, 기판을증착전구체가스혼합물에노출시키는단계, 컨택금속층의일부를플라즈마처리프로세스에노출시키는단계, 및미리결정된두께의컨택금속층을달성할때 까지, 기판을증착전구체가스혼합물에노출시키는단계및 컨택금속층의일부를플라즈마처리프로세스에노출시키는단계를반복하는단계를포함한다.

摘要翻译： 提供了用于在半导体器件的接触结构内沉积接触金属层的方法。 在一个实施例中，提供了一种用于沉积接触金属层以在半导体器件中形成接触结构的方法。 该方法包括执行循环金属沉积工艺以在衬底上沉积接触金属层，并且对设置在衬底上的接触金属层进行退火。 周期性金属沉积过程中，沉积在基板上的接触金属层的一部分，所述基板暴露在一沉积前体气体混合物，接触金属层的一部分暴露于等离子体处理工艺，并且接触金属层的预定厚度 ，将衬底暴露于沉积前体气体混合物，并将部分接触金属层暴露于等离子体处理工艺。

公开(公告)号：KR101804003B1

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：KR1020140091765

申请日：2014-07-21

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 사사키히로코 ,  와무라유 ,  고아쿠츠마사토

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76856

摘要： 기판을처리실내에반입하여상기기판상에질화막을성막하는성막처리를행하여, 상기성막처리가종료된후 상기기판을상기처리실내로부터반출할때까지를 1운전으로하고, 상기 1운전을복수회반복하여복수매의상기기판을계속적으로성막처리하는성막방법이제공된다. 상기성막방법에서는상기 1운전이소정횟수연속적으로행해지고, 상기처리실내에산화가스를공급하여상기처리실내가산화된다.

公开(公告)号：KR101785145B1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：KR1020150040022

申请日：2015-03-23

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 홋타,다카노부 ,  아이바,야스시 ,  마에카와,고지

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/76879 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76877

摘要： 핵생성용의초기텅스텐막을형성하지않고한 단계에서텅스텐막을성막하는것이가능한텅스텐막의성막방법을제공한다. 본발명의일 실시예에따른텅스턴막의성막방법은피처리기판에대하여감압분위기하에서텅스텐원료로서의염화텅스텐가스및 환원가스를공급하여, 피처리기판을가열하면서염화텅스텐가스및 환원가스를반응시켜서, 피처리기판의표면에직접, 핵생성용의초기텅스텐막을성막하지않고주 텅스텐막을성막한다.

摘要翻译： 本发明提供不形成用于成核的初始钨膜的一步形成钨膜的方法。 根据本发明的一个实施例的钨膜的形成方法是压力气氛相对减小的下供给氯化物钨气体和还原性气体作为钨原料到基底上，同时通过钨气体的氯反应和还原气体加热所述目标基板， 主钨膜直接形成在待处理衬底的表面上，而不形成用于成核的初始钨膜。