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公开(公告)号：KR1020170038631A
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020160042935
申请日：2016-04-07
Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/02 , G03F7/06
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/0206 , H01L21/0234 , H01L21/0273 , H01L21/3105 , H01L21/31144
Abstract: 유전체층을디스커밍(descumming) 하는방법이제공된다. 실시예에서, 유전체층은기판위에성막되고, 포토레지스트가도포되고, 포토레지스트가도포된이후에포토레지스트는노출되고현상된다. 포토레지스트의패터닝이아래놓인유전체층에전사되면, 디스커밍프로세스가수행되며, 여기서디스커밍프로세스는탄소함유프리커서, 디스커밍프리커서및 캐리어가스의혼합물을이용한다. 혼합물은처리플라즈마로점화(ignite)되며, 유전체층을디스커밍하기위해처리플라즈마가유전체층에가해진다.
Abstract translation: 提供了一种去电介质层的方法。 在一个实施例中，介电层沉积在基板上，涂覆光致抗蚀剂，并且在涂覆光致抗蚀剂之后，光致抗蚀剂被曝光并显影。 当将光致抗蚀剂图案化转移到下面的介电层时，执行凹陷处理，其中凹陷处理利用含碳前体，凹陷前体和载气的混合物。 用处理等离子体将混合物点燃，并且将处理等离子体施加到介电层以去除介电层。
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公开(公告)号：KR1020170057098A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020160017731
申请日：2016-02-16
Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02312 , H01L21/02123 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0332 , H01L21/306 , H01L29/66795
Abstract: 2개의상이한물질들위에생길수 있는물질의퇴적공정을변경시키는처리, 구조체및 시스템이제공된다. 일실시예에서, 물질중 하나의퇴적속도를물질중 제2 물질의퇴적속도에따라더 많이변경시키는처리에의해퇴적속도가조정될수 있다. 또한, 퇴적속도는물질중 제2 물질위보다도물질중 제1 물질위에더 선택적으로퇴적되도록허용하기위해서로다르게변경될수 있다.
Abstract translation: 提供了结构和系统，它们改变了可能发生在两种不同材料上的材料的沉积过程。 在一个实施例中，沉积速率可通过进一步改变材料之一的沉积速率至第二材料的沉积速率的处理来调整。 另外，可以改变沉积速率以允许材料在第一材料上的比在材料中的第二材料更多的选择性沉积。
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公开(公告)号：KR102011943B1
公开(公告)日：2019-08-26
申请号：KR1020180014124
申请日：2018-02-05
Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F7/06
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公开(公告)号：KR101904597B1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：KR1020160017731
申请日：2016-02-16
Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02312 , H01L21/02123 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0332 , H01L21/306 , H01L29/66795
Abstract: 2개의상이한물질들위에생길수 있는물질의퇴적공정을변경시키는처리, 구조체및 시스템이제공된다. 일실시예에서, 물질중 하나의퇴적속도를물질중 제2 물질의퇴적속도에따라더 많이변경시키는처리에의해퇴적속도가조정될수 있다. 또한, 퇴적속도는물질중 제2 물질위보다도물질중 제1 물질위에더 선택적으로퇴적되도록허용하기위해서로다르게변경될수 있다.
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