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    염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물
    4.
    发明授权
    염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 有权
    盐和包含它的光致抗蚀剂组合物

    公开(公告)号：KR101771390B1

    公开(公告)日：2017-08-25

    申请号：KR1020100113304

    申请日：2010-11-15

    申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤

    发明人： 이치가와고지 ,  오치아이미쓰요시 ,  스기하라마사코

    IPC分类号： C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    CPC分类号： C07D333/46 ,  C07C25/18 ,  C07C309/12 ,  C07C309/17 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  C07D307/33 ,  C07D307/93 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

    摘要： 본발명은화학식 X의염에관한것이다. 화학식 X위화학식 X에서, Q및 Q는각각독립적으로불소원자또는 C1-C6 퍼플루오로알킬그룹이고, L및 L는각각독립적으로 C1-C17 2가포화탄화수소그룹(여기서, 하나이상의 -CH-는 -O- 또는 -CO-로대체될수 있다)이고, 환 W은 C3-C36 포화탄화수소환이고, R는각각독립적으로 C1-C6 알킬그룹또는 C1-C6 알콕시그룹이고, w는 0 내지 2의정수이고, v는 1 또는 2이고, Z는유기짝이온이고, W은화학식 X-1의그룹또는화학식 X-2의그룹이다. 화학식 X-1위화학식 X-1에서, 환 W는 C3-C36 포화탄화수소환이고, R은 C1-C12 탄화수소그룹이고, R는각각독립적으로 C1-C6 알킬그룹또는 C1-C6 알콕시그룹이고, s는 0 내지 2의정수이다. 화학식 X-2위화학식 X-2에서, 환 W는 C4-C36 락톤환이고, R는각각독립적으로 C1-C6 알킬그룹, C1-C6 알콕시그룹또는 C2-C7 알콕시카보닐그룹이고, t는 0 내지 2의정수이다.

    摘要翻译： 式（X）的盐本发明涉及式（X）的盐。 式以上式X（X）中，Q和Q各自独立地为烷基，氟原子或C1-C6全氟烷基，L 1和L各自独立地为C1-C17烃基2饱和（其中一个或多个所述-CH-的 可以被-O-或-CO-取代），和环W是饱和烃环C3-C36，R各自独立地为C1-C6烷基或C1-C6-烷氧基，w是从0至2协议 V是1或2，Z是有机抗衡离子，W是式X-1的基团或式X-2的基团。 其中R为C1-C12烃基，R各自独立地为C1-C6烷基或C1-C6烷氧基，并且s 0和0。 其中R各自独立地为C1-C6烷基，C1-C6烷氧基或C2-C7烷氧基羰基，并且t为0 Lt。

    광산발생제, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
    7.
    发明公开
    광산발생제, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 无效
    光电发生器及其制造方法和包含其的耐蚀组合物

    公开(公告)号：KR1020110132207A

    公开(公告)日：2011-12-07

    申请号：KR1020110006934

    申请日：2011-01-24

    申请人： 금호석유화학 주식회사

    发明人： 한준희 ,  김진호 ,  조승덕 ,  신대현

    IPC分类号： C07C309/12 ,  C07C309/15 ,  C07C309/19 ,  G03F7/004

    CPC分类号： C07C309/12 ,  C07C309/15 ,  C07C309/19 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/0045

    摘要： PURPOSE: A photoacid generator is provided to improve a line width roughness with the slow diffusion rate of acid generated at exposure, and control the elution of solvent. CONSTITUTION: A photoacid generator is in the chemical formula 1. In the chemical formula1, Y is selected from the group consisting of C3-30 cycloalkyl group and C3-30 cycloalkenyl. Q1 and Q2 is halogen atom, respectively, independently from one another. X is selected from the group consisting of alkanediyl, alkanediyl, NR', S, O, CO and combination thereof. R is selected from the group consisting of hydrogen and alkyl group. n is the integer of 0-5. A+ is a counter ion.

    摘要翻译： 目的：提供光致酸发生器，以在曝光时产生的酸缓慢扩散速率改善线宽粗糙度，并控制溶剂的洗脱。 构成：光致酸发生剂为化学式1.化学式1中，Y选自C3-30环烷基和C3-30环烯基。 Q1和Q2分别是卤素原子，彼此独立。 X选自烷二基，烷二基，NR'，S，O，CO及其组合。 R选自氢和烷基。 n是0-5的整数。 A +是一种抗衡离子。

    염 및 포토레지스트 조성물
    8.
    发明公开
    염 및 포토레지스트 조성물 有权
    销售和光电组合物

    公开(公告)号：KR1020110055415A

    公开(公告)日：2011-05-25

    申请号：KR1020100113455

    申请日：2010-11-15

    申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤

    发明人： 이치카와고지 ,  요시다이사오 ,  스기하라마사코

    IPC分类号： C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    CPC分类号： C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0271

    摘要： PURPOSE: Salts are provided to form resist patterns with excellent resolution and excellent line edge roughness when applied to a resist composition. CONSTITUTION: Salts are represented by chemical formula I. An acid generator includes the salt. A photoresist composition includes the acid generator and a resin. A method for preparing photoresist pattern comprises the steps of: (i) applying the photoresist composition to a substrate to form a photoresist composition layer; (ii) drying the photoresist composition layer to form a photoresist layer; (iii) exposing the photoresist layer; (iv) heating the photoresist layer after exposure; and (v) developing the photoresist film.

    摘要翻译： 目的：当应用于抗蚀剂组合物时，提供盐以形成具有优异分辨率和优异的线边缘粗糙度的抗蚀剂图案。 构成：盐由化学式I表示。酸产生剂包括盐。 光致抗蚀剂组合物包括酸发生剂和树脂。 制备光致抗蚀剂图案的方法包括以下步骤：（i）将光致抗蚀剂组合物施加到基底上以形成光致抗蚀剂组合物层; （ii）干燥光致抗蚀剂组合物层以形成光致抗蚀剂层; （iii）曝光光致抗蚀剂层; （iv）曝光后加热光刻胶层; 和（v）显影光致抗蚀剂膜。

    산 발생제용으로 적당한 염 및 이를 함유한 화학증폭형레지스트 조성물
    10.
    发明公开
    산 발생제용으로 적당한 염 및 이를 함유한 화학증폭형레지스트 조성물 有权
    适用于酸发生器的盐和含有其的化学放大电阻组合物

    公开(公告)号：KR1020060106713A

    公开(公告)日：2006-10-12

    申请号：KR1020060027789

    申请日：2006-03-28

    申请人： 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤

    发明人： 요시다이사오 ,  하라다유카코 ,  야마구치사토시 ,  안도노부오

    IPC分类号： C07C309/23 ,  C07C321/24 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12

    CPC分类号： C07C309/17 ,  C07C2603/74

    摘要： 본 발명은 하기 화학식 (L) 의 염에 관한 것이다.
    하기 화학식 (L) 의 염:
    (L)
    {식 중, Q 는 -CO- 기 또는 -C(OH)- 기를 나타내고; 고리 X 는 탄소수가 3 내지 30 인 단일환 또는 다환 탄화수소기이고, 이때 Q 가 -C(OH)- 기인 경우 Q 위치에서 수소 원자가 히드록실기로 치환되거나 또는 Q 가 -CO- 기인 경우 Q 위치에서 2 개의 수소 원자가 =O 기로 치환되고, 상기 단일환 또는 다환 탄화수소기 중 하나 이상의 수소 원자가 탄소수 1 내지 6 의 알킬기, 탄소수 1 내지 6 의 알콕시기, 탄소수 1 내지 4 의 퍼플루오로알킬기, 탄소수 1 내지 6 의 히드록시알킬기, 히드록실기 또는 시아노기로 임의 치환될 수 있고; R
    10 및 R
    20 은 각각 독립적으로 불소 원자 또는 탄소수 1 내지 6 의 퍼플루오로알킬기를 나타내고; A
    + 는 유기 반대 이온 (counter ion) 을 나타낸다}.
    본 발명은 또한 상기 화학식 (L) 의 염을 함유한 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.
    화학증폭형 레지스트 조성물, 산 발생제, 해상도, 패턴 프로파일