-
公开(公告)号:KR101907035B1
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:KR1020160104349
申请日:2016-08-17
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C07C303/44 , C07C303/32 , C07C309/24
Abstract: 본발명은특유의정제과정을통하여불순물이전혀함유되지않은순수한이소프탈알데히드바이설파이트부가체를제조하고, 이를온화한조건하에서폴리벤즈이미다졸을중합하기위한출발물질로사용하는기술에관한것이다. 본발명에따르면, 미반응물이나부산물과같은불순물을전혀함유하지않은순수한이소프탈알데히드바이설파이트부가체를얻을수 있으며, 이를유기용매상의온화한조건하에서폴리벤즈이미다졸을중합하기위한출발물질로사용함으로써고분자량의폴리벤즈이미다졸을산업적으로양산할수 있다.
-
公开(公告)号:KR101860806B1
公开(公告)日:2018-05-24
申请号:KR1020127021718
申请日:2011-01-24
Applicant: 싸이클라셀 리미티드
Inventor: 스케드벤자민마크 , 웨럴크리스토퍼피터 , 애서턴조나단찰스크리스티안 , 노던줄리안스코트 , 페르난데스필리프
IPC: C07D473/16 , A61K31/52 , G01P3/48 , G01P5/07 , G01F1/115 , C07C65/05 , C07C303/32 , C07C309/29 , C07C57/145 , C07C59/245
CPC classification number: C07D473/16 , A61K31/52 , C07B2200/13 , C07C51/412 , C07C57/145 , C07C57/15 , C07C59/245 , C07C59/255 , C07C59/265 , C07C65/05 , C07C303/32 , C07C309/04 , C07C309/29 , G01F1/115 , G01P3/4802 , G01P5/07
Abstract: 본발명은우수한항종양활성을나타내는퓨린유도체의새로운결정형태에관한것이다. 또한, 본발명은활성성분으로서상기결정형태를포함하는약학조성물, 및질환의예방또는치료에있어서의용도에관한것이다. 또한, 본발명은상기결정형태의제조방법에관한것이다.
-
3.
公开(公告)号:KR1020170022945A
公开(公告)日:2017-03-02
申请号:KR1020160105647
申请日:2016-08-19
Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤 , 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/004 , C07D311/80 , C07D335/10 , G03F7/20 , G03F7/16 , G03F7/32 , G03F7/038
CPC classification number: G03F7/203 , C07C43/164 , C07C45/515 , C07C45/59 , C07C303/32 , C07C309/07 , C07C381/12 , C07D317/22 , C07D317/72 , C07D335/16 , C07D409/14 , C07D493/10 , C08F220/14 , C08F220/22 , C08F220/26 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/2002 , G03F7/2022 , G03F7/322 , G03F7/38 , C07C49/84
Abstract: EUV 광등의전리방사선등을이용한패턴형성기술의실용화에유용한화학증폭형레지스트재료를제공한다. 본발명의화학증폭형레지스트재료는, 레지스트재료막의소정의개소에전리방사선또는비전리방사선을조사하는패턴노광공정과, 상기레지스트재료막에비전리방사선을조사하는일괄노광공정과, 상기레지스트재료막을가열하는베이크공정과, 레지스트패턴을형성하는현상공정을구비하는프로세스에서사용되는화학증폭형레지스트재료이며, (1) 베이스성분과 (2) 노광에의해감방사선성증감체및 산을발생하는성분을포함하고, 상기 (2) 성분은, (a) 감방사선성산-증감체발생제, (b) 감방사선성증감체발생제및 (c) 감방사선성산 발생제중, (a) 성분및 (b) 성분, (b) 성분및 (c) 성분또는 (a) 내지 (c) 성분모두를함유하고 (b) 성분이식 (A)로표현되는화합물을포함한다.
Abstract translation: 本发明的化学放大抗蚀剂材料用于包括以下步骤:将抗蚀剂材料膜的预定区域图案化地暴露于电离辐射或非离子化辐射; 将抗蚀剂材料膜以暴露于无电离辐射的方式进行液化暴露; 烘烤抗蚀材料薄膜暴露; 以及显影抗蚀剂材料膜以形成抗蚀剂图案,所述化学放大抗蚀剂材料包含:(1)基底组分; (2)能够在曝光时产生辐射敏感敏化剂和酸的组分,其中组分(2)在(a)辐射敏感性酸敏感剂发生剂中包含(b) 辐射敏感敏化剂发生剂,和(c)辐射敏感性酸产生剂:组分(a)和(b); 组分(b)和(c); 或全部成分(a)〜(c),其中,成分(b)含有式(A)所示的化合物。
-
4.광증감 화학 증폭형 레지스트 재료 및 이를 이용한 패턴 형성 방법, 반도체 디바이스, 리소그래피용 마스크와, 나노임프린트용 템플릿 审中-实审
Title translation: 使用相同的半导体器件掩模形成图案的光致变色化学放大型材料方法用于印刷和模板的纳米压印公开(公告)号:KR1020160124769A
公开(公告)日:2016-10-28
申请号:KR1020167022604
申请日:2015-02-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸
CPC classification number: G03F7/0397 , C07C303/32 , C07C309/07 , C07C381/12 , C08F220/14 , C08F220/22 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F1/20 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2022 , G03F7/2041 , G03F7/32 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/0274 , G03F7/0002 , G03F7/70308 , G03F7/70575
Abstract: 본발명에관한광증감화학증폭형레지스트재료는, 2단노광리소그래피프로세스에사용되고, (1) 현상가능한베이스성분과, (2) 노광에의하여광증감제와산을발생하는성분을포함한다. 상기성분은, (a) 산-광증감제발생제, (b) 광증감제전구체, 및 (c) 광산발생제의 3개의성분중, (a) 성분만을함유하거나, 임의의 2개의성분을함유하거나, 또는 (a)~(c) 성분모두를함유한다.
-
公开(公告)号:KR101670361B1
公开(公告)日:2016-10-28
申请号:KR1020100049071
申请日:2010-05-26
Applicant: 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/039 , C07C303/32 , C07C309/17 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
Abstract: 식 (a)로나타낸염:- 여기서, Q및 Q는각각독립적으로불소원자등을나타내고, X은단일결합등을나타내며, X는단일결합등을나타내고, Y은 -X-Y기가 1 이상의불소원자를갖는다는전제하에 C3-C36 지환식탄화수소기등을나타내며, Z는유기상대양이온을나타냄 -, 및식 (a)로나타낸염, 및산-불안정기를갖고알칼리수용액에서불용성또는난용성이지만산의작용에의해알칼리수용액에서가용성이되는구조단위를포함한수지를포함하는포토레지스트조성물이개시된다.
Abstract translation: 其中,Q和Q各自独立地表示氟原子等,X表示二价连接等,X表示二价连接等,Y表示-XY基团具有1个以上的氟原子 C 3 -C 36脂环烃基等,Z代表有机抗衡阳离子,式(a)代表的盐和酸不稳定基团,并且在碱性水溶液中不溶或难溶于水, 公开了包含含有可溶于碱性水溶液中的结构单元的树脂的光致抗蚀剂组合物。
-
公开(公告)号:KR1020160085221A
公开(公告)日:2016-07-15
申请号:KR1020160001091
申请日:2016-01-05
Applicant: 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C25/18 , C07C303/32 , C07C309/04 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C309/17 , C07C309/19 , C07C381/12 , C07C2603/74 , C07D313/10 , C07D327/02 , C07D327/04 , C07D327/06 , C07D333/46 , C07D335/02 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/32 , G03F7/38
Abstract: 산불안정기를갖는수지; 식 (I)로나타내어지는염; 및식 (B1)로나타내어지는염을포함하는포토레지스트조성물.
Abstract translation: 本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物,其包含:具有酸不稳定基团的树脂; 以化学式(I)表示的盐; 和由化学式(B1)表示的盐。
-
公开(公告)号:KR1020160067900A
公开(公告)日:2016-06-14
申请号:KR1020167011435
申请日:2014-09-30
Applicant: 솔베이 스페셜티 폴리머스 이태리 에스.피.에이.
Inventor: 몬자니,크리스티아노 , 토르텔리,비토
IPC: C07D213/20 , C07D487/04 , C07C277/08 , C07C303/32 , C07C209/00 , C07C279/04 , C07C309/10 , C07C211/63
CPC classification number: C07C303/32 , C07C209/00 , C07C211/63 , C07C277/08 , C07C279/06 , C07C309/06 , C07D213/20 , C07D487/04 , C07C279/04 , C07C309/10
Abstract: 플루오로알킬술포닐할라이드를, 3급아민, 피리딘, 아미딘및 구아니딘으로이루어진군으로부터선택되는유기염기와반응시키는단계를포함하는, 질소계유기염기의플루오로알킬술포네이트염의제조방법.
-
8.아고멜라틴 및 P-톨루엔설폰산의 공결정의 신규한 형태, 이를 제조하기 위한 방법 및 이를 함유하는 약학적 조성물 审中-实审
Title translation: 聚酰胺和对羟基苯甲酸的共晶的新形式,其制备方法和含有其的药物组合物公开(公告)号:KR1020160035598A
公开(公告)日:2016-03-31
申请号:KR1020167004728
申请日:2014-07-30
Applicant: 르 라보레또레 쎄르비에르 , 상하이 인스티튜트 오브 파마수티컬 인더스트리
IPC: C07C233/18 , C07C309/30 , C07C303/32 , A61K31/16 , A61K31/185
CPC classification number: C07C233/18 , C07B2200/13 , C07C231/22 , C07C303/32 , C07C309/30
Abstract: 본발명은아고멜라틴및-톨루엔설폰산의공결정의신규한형태, 이를제조하기위한방법및 이를함유하는약학적조성물에관한것이다. 본발명에따른공결정은아고멜라틴보다더 나은용해도를가지며, 따라서약학적조성물을개발하기에더욱적합하다. 이들은더 높은수준의안정성및 순도를가지며, 또한어려운단계를포함하지않는간단한방법에의해획득된다.
-
9.술포늄염을 포함하는 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법, 및 술포늄염 단량체 및 그 제조 방법 有权
Title translation: 含硫酸盐聚合物电阻组合物图案和硫酸钠单体和制备方法公开(公告)号:KR101591546B1
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:KR1020110121267
申请日:2011-11-18
Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
CPC classification number: C07C309/20 , C07C69/54 , C07C303/32 , C07C309/12 , C07C381/12 , C08F20/38 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/38 , C08F228/02 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122
Abstract: 본발명은하기일반식(1a), 일반식(2) 및일반식(3)으로나타내어지는반복단위를함유하는고분자화합물을제공한다:식중, R은 H, F, CH또는 CF을나타낸다. R, R및 R는직쇄상또는분기상의알킬기, 알케닐기또는옥소알킬기, 또는아릴기, 아랄킬기, 아릴옥소알킬기또는 4-플루오로페닐기를나타낸다. R, R및 R중의임의 2개는서로결합하여식 중의유황원자와함께고리를형성하더라도좋다. 단, R∼R중의어느하나이상은 4-플루오로페닐기를나타낸다. n은 0∼2의정수. R은 H, 또는알킬기를나타낸다. p는 0 또는 1을나타낸다. B는단결합또는 2가의유기기를나타낸다. a는 O∼3의정수를나타낸다. b는 1∼3의정수를나타낸다, X는산불안정기를나타낸다. 본발명의술포늄염은중합용제에의용해성이우수하고, 또한이것을이용한고분자화합물은레지스트용제에의용해성도충분히높다.
-
10.광산 발생 화합물 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물, 포토레지스트를 포함하는 코팅된 제조품 및 제조품의 제조 방법 有权
Title translation: 光致发生化合物和包含包含光电子的包装物的光电组合物和制造方法公开(公告)号:KR101549446B1
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:KR1020130127289
申请日:2013-10-24
Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
IPC: C07C321/28 , C07D333/08 , G03F7/004
CPC classification number: C07C381/12 , C07C303/32 , C07C309/04 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C309/17 , C07C2603/74 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325
Abstract: 하기식 (I)을갖는화합물:여기서, a는 1 내지 10의정수이고, x는 1 내지 3의정수이고, X은플루오로알코올, 불소화된에스테르또는불소화된무수물을포함하고, Y는단일결합, C알킬렌기, O, S, NR, 에스테르, 카보네이트, 설포네이트, 설폰, 또는설폰아미드이고, 여기서, R은 H 또는 C알킬이고, 여기서, C알킬렌기는구조적으로탄소만이거나, C알킬렌기중의하나이상의구조적탄소원자는산소, 카보닐, 에스테르또는이들중적어도하나를포함하는조합에의해대체되고, Ar은치환또는비치환된 C이상의모노사이클릭, 폴리사이클릭또는융합된폴리사이클릭사이클로알킬; 또는치환또는비치환된 C이상의모노사이클릭, 폴리사이클릭또는융합된폴리사이클릭아릴기이고, 여기서사이클로알킬또는아릴은카보사이클이거나, O, S, N, F 또는이들중적어도하나를포함하는조합을포함하는헤테로원자를포함하고, 각각의 R은독립적으로치환된 C아릴, 치환된 C헤테로아릴, C알킬, C사이클로알킬이고, 여기서, x가 1인경우, 두개의 R기는분리되거나, 또는 C고리구조를형성하기위해서로결합되고, Z는카복실레이트, 설페이트, 설포네이트, 설파메이트또는설폰이미드의음이온이고, 여기서 Y가단일결합이면, Z는설포네이트가아니다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-