염 및 이를 함유하는 감광성 내식막 조성물
    2.
    发明授权
    염 및 이를 함유하는 감광성 내식막 조성물 有权
    盐和包含其的光敏抗蚀剂组合物

    公开(公告)号:KR101827695B1

    公开(公告)日:2018-03-22

    申请号:KR1020100054357

    申请日:2010-06-09

    摘要: 화학식 a1의염. 화학식 a1위의화학식 a1에서, Q및 Q는각각독립적으로불소원자또는 C1-C4 퍼플루오로알킬그룹이고, X은 -CO-O-X- 또는 -CH-O-X-이고, 여기서, 상기 X및 X는각각독립적으로 C1-C15 알킬렌그룹이고, 상기알킬렌그룹중의하나이상의 -CH-는 -O- 또는 -CO-로대체될수 있으며, Y은 C3-C6 지환족탄화수소그룹또는 C6-C24 방향족탄화수소그룹이고, 상기지환족탄화수소그룹과상기방향족탄화수소그룹은하나이상의치환체들을가질수 있고, 상기지환족탄화수소그룹중의하나이상의 -CH-는 -O- 또는 -CO-로대체될수 있으며, Z는유기양이온이다.

    摘要翻译: 式a1的盐。 其中Q和Q各自独立地为氟原子或C1-C4全氟烷基,X为-CO-OX-或-CH-OX-,其中X和X为 并且亚烷基的至少一个-CH-可以被-O-或-CO-代替,Y是C3-C6脂环烃基或C6-C24芳香烃基 脂环族烃基和芳香族烃基可以具有一个或多个取代基,脂环族烃基的-CH-中的一个或多个可以被-O-或-CO-代替,并且Z是有机阳离子。

    감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 그것을 사용한 패턴 형성 방법
    5.
    发明授权
    감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 그것을 사용한 패턴 형성 방법 有权
    活性辐射敏感或辐射敏感树脂组合物及使用其的图案形成方法

    公开(公告)号:KR101727102B1

    公开(公告)日:2017-04-14

    申请号:KR1020090061774

    申请日:2009-07-07

    IPC分类号: G03F7/004

    摘要: [과제] 반도체제조의미세한패턴형성에사용되고, 종래제품보다노광래티튜드, LWR, 패턴붕괴성능이우수한감활성광선성또는감방사선성수지조성물을제공하는것이다. [해결수단] (A) 산의작용에의해알칼리현상액에대한용해도가증대하는수지, (B) 활성광선또는방사선의조사에의해술폰산을발생시키는술폰산발생제를 2종이상함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물로서, 2종의술폰산발생제(B)는이하의조건을만족시키는 (B1) 및 (B2)인것을특징으로하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물. (B1) 그발생산의산강도가 pKa pKa≥-3.50 또한구성원소수가 17 이상인술폰산발생제. 단, 발생산의구성원소수는수소원자를제외한다.

    摘要翻译: [问题]在半导体制造精细图案形成中使用,以提供常规的产品比曝光宽容度,LWR,图案倒塌性能是使用光化射线或辐射最后敏感性树脂组合物的极好的感觉。 [解决问题的手段](A)的树脂可溶于通过酸的作用碱显影液的增加,(B)用光化射线或光化射线的所述酸产生剂感产生含有两个或更多的人通过照射辐射城堡磺酸 其中两种磺酸产生剂(B)是满足以下条件的(B1)和(B2)。 (B1)所产生的酸的pKa <-3.50此外,少数部件20或更少磺酸超过九剂的酸强度; (B2)所生成的酸的酸强度为-2.00> pKa> -3.5,构成组分的数量为17或更多。 但是,所生成的酸的组成元素的数量不包括氢原子。

    광 산발생제, 화학 증폭형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
    9.
    发明公开
    광 산발생제, 화학 증폭형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 审中-实审
    光电发生器,化学放大电阻组合物和图案处理

    公开(公告)号:KR1020150122073A

    公开(公告)日:2015-10-30

    申请号:KR1020150054429

    申请日:2015-04-17

    IPC分类号: G03F7/004 G03F7/038 G03F7/039

    摘要: 본발명은일반식 (1a)로나타내는광 산발생제를제공한다.(A은헤테로원자로치환되어있어도되고, 헤테로원자가개재해도되는탄소수 1 내지 30의직쇄상, 분지상또는환상의 2가탄화수소기를나타내고, L, L는각각독립적으로에테르결합, 에스테르결합, 술폰산에스테르결합, 카르보네이트결합, 카르바메이트결합중 어느하나의연결기를나타내고, R, R는각각독립적으로수소원자또는트리플루오로메틸기를나타내고, Z, Z는각각독립적으로술포늄양이온또는요오도늄양이온중 어느하나를나타냄) 본발명의광 산발생제를포함하는레지스트재료를사용하여패턴형성을행한경우, 감도, MEF의밸런스가우수하고, 또한디펙트수가적어, 레지스트재료로서정밀한미세가공에매우유효하다.

    摘要翻译: 本发明提供由式(1a)表示的光酸产生剂。 A 1可以被杂原子取代,并且表示可以在其间具有杂原子的具有1至30个碳原子的直链,支链或环状二价烃基。 L_a和L_b各自独立地表示醚键,酯键,磺酸酯键,碳酸酯键和氨基甲酸酯键中的任何一个连接基团,R a和R b各自独立地表示氢原子或三氟甲基。 此外,Z_a ^ +和Z_b ^ +各自独立地表示锍阳离子或碘鎓阳离子中的任一种。 当通过使用包括本发明的光致酸发生剂的抗蚀剂材料形成图案时,MEF的灵敏度和平衡性优异,缺陷数小,从而可用于作为抗蚀剂材料的精确精细加工。

    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 산발생제
    10.
    发明公开
    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 산발생제 有权
    抗蚀剂组合物,形成抗蚀剂图案的方法,新型化合物和酸发生剂

    公开(公告)号:KR1020150058118A

    公开(公告)日:2015-05-28

    申请号:KR1020150062227

    申请日:2015-05-01

    摘要: 산의작용에의해알칼리현상액에대한용해성이변화되는기재성분 (A) 와, 식 (b1-1) 로나타내는화합물, 식 (b1-1') 로나타내는화합물및/또는식 (b1-1") 로나타내는화합물을함유하는산발생제성분 (B) 를함유하는레지스트조성물 ; [화학식 1][식중, R∼ R는아릴기또는알킬기를나타내고, 그적어도 1 개는식 (b1-1-0) 으로나타내는기로치환된치환아릴기이고, 어느 2 개가서로결합하여식 중의황 원자와함께고리를형성해도된다. X 는탄소수 3 ∼ 30 의탄화수소기, Q은카르보닐기를함유하는 2 가의연결기, p 는 1 ∼ 3 의정수이다. X은탄소수 1 ∼ 30 의탄화수소기, Q은단결합또는 2 가의연결기, Y은 -C(=O)- 또는 -SO-, Y은탄소수 1 ∼ 10 의알킬기또는불소화알킬기이다. Q는단결합또는알킬렌기이다. W 는탄소수 2 ∼ 10 의알킬렌기이다.]

    摘要翻译: 一种抗蚀剂组合物,其包含在酸性作用下在碱性显影液中具有改变的溶解度的碱成分(A)和含有式(b1-1)表示的化合物的酸产生剂成分(B),式 b1-1')和/或由式(b1-1“)表示的化合物。 在根据本发明的化学式1中,R 1'“-R”3“表示芳基或烷基,R 1'”-R 3'“中的至少一个表示取代的芳基 被式(b1-1-0)表示的基团取代,并且R 1'“ - R”3“中的两个可以相互键合以形成与硫原子的环。 X表示C 3 -C 30烃基,Q 1表示含羰基的二价连接基团,P表示1〜3的整数。X 10表示C 1 -C 30烃基,Q 3表示单键或 二价连接基团,Y 10表示-C(= O) - 或-SO 2 - ,Y 11表示C 1 -C 10烷基或氟代烷基。 Q 2表示单键或亚烷基,W表示C2-C10亚烷基。