公开(公告)号：TWI601215B

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105130993

申请日：2016-09-26

申请人： 台灣半導體股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.

发明人： 蔡宜龍 ,  TSAI, YI LUNG ,  馬林納 阿亞弟 ,  MRINAL, ARYADEEP ,  阿馬努拉 穆罕默德 ,  AMANULLAH, MOHAMMAD ,  楊博文 ,  YANG, PO WEN ,  梁書祥 ,  LIANG, SHU SIANG

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

公开(公告)号：TW201814797A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW105130993

申请日：2016-09-26

申请人： 台灣半導體股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.

发明人： 蔡宜龍 ,  TSAI, YI LUNG ,  馬林納 阿亞弟 ,  MRINAL, ARYADEEP ,  阿馬努拉 穆罕默德 ,  AMANULLAH, MOHAMMAD ,  楊博文 ,  YANG, PO WEN ,  梁書祥 ,  LIANG, SHU SIANG

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

摘要： 一種利用氧化層與氮化層依序包覆電極部之場效電晶體及其製造方法，場效電晶體中之半導體基板上的磊晶層開設有一溝槽，且溝槽內的殘餘氧化層部份包覆一包覆氮化層，包覆氮化層包覆一包覆氧化層，包覆氧化層包覆一電極部。閘極氧化層形成於溝槽的溝槽側壁、包覆氮化層與殘餘氧化層。閘極部形成於閘極氧化層上，並依序藉由閘極氧化層、包覆氮化層與包覆氧化層而與電極部相間隔。磊晶層中設有鄰近於閘極部處之本體區及源極區，且源極區與閘極部上覆蓋有層間介電層。源極電極覆蓋本體區與層間介電層並接觸於源極區。

简体摘要： 一种利用氧化层与氮化层依序包复电极部之场效应管及其制造方法，场效应管中之半导体基板上的磊晶层开设有一沟槽，且沟槽内的残余氧化层部份包覆一包覆氮化层，包覆氮化层包覆一包覆氧化层，包覆氧化层包覆一电极部。闸极氧化层形成于沟槽的沟槽侧壁、包覆氮化层与残余氧化层。闸极部形成于闸极氧化层上，并依序借由闸极氧化层、包覆氮化层与包覆氧化层而与电极部相间隔。磊晶层中设有邻近于闸极部处之本体区及源极区，且源极区与闸极部上覆盖有层间介电层。源极电极覆盖本体区与层间介电层并接触于源极区。

公开(公告)号：TWM531653U

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105212429

申请日：2016-08-16

申请人： 台灣半導體股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.

发明人： 蔡宜龍 ,  TSAI, YI LUNG ,  馬林納 阿亞弟 ,  MRINAL, ARYADEEP ,  阿馬努拉 穆罕默德 ,  AMANULLAH, MOHAMMAD ,  楊博文 ,  YANG, PO WEN ,  梁書祥 ,  LIANG, SHU SIANG

IPC分类号： H01L29/78

公开(公告)号：TW201810666A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW105126092

申请日：2016-08-16

申请人： 台灣半導體股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.

发明人： 蔡宜龍 ,  TSAI, YI LUNG ,  馬林納 阿亞弟 ,  MRINAL, ARYADEEP ,  阿馬努拉 穆罕默德 ,  AMANULLAH, MOHAMMAD ,  楊博文 ,  YANG, PO WEN ,  梁書祥 ,  LIANG, SHU SIANG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4916

摘要： 一種具有多重寬度電極結構之場效電晶體及其製造方法，場效電晶體中的半導體基板上的磊晶層開設有一溝槽，且溝槽內設有氧化層，而氧化層上設有具有第一寬度與第一高度之第一電極部與具有第二寬度與第二高度之第二電極部。閘極氧化層覆蓋於氧化層及第二電極部上，閘極氧化層上設有具有第三寬度之閘極部，磊晶層中設有鄰近於閘極部處之本體區及源極區，且源極區與閘極部上覆蓋有層間介電層。源極電極覆蓋本體區與層間介電層並接觸於源極區。其中，第一高度大於或等於第二高度，第一寬度小於第二寬度，第二寬度小於第三寬度。

简体摘要： 一种具有多重宽度电极结构之场效应管及其制造方法，场效应管中的半导体基板上的磊晶层开设有一沟槽，且沟槽内设有氧化层，而氧化层上设有具有第一宽度与第一高度之第一电极部与具有第二宽度与第二高度之第二电极部。闸极氧化层覆盖于氧化层及第二电极部上，闸极氧化层上设有具有第三宽度之闸极部，磊晶层中设有邻近于闸极部处之本体区及源极区，且源极区与闸极部上覆盖有层间介电层。源极电极覆盖本体区与层间介电层并接触于源极区。其中，第一高度大于或等于第二高度，第一宽度小于第二宽度，第二宽度小于第三宽度。

公开(公告)号：TWI593117B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW105126092

申请日：2016-08-16

申请人： 台灣半導體股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.

发明人： 蔡宜龍 ,  TSAI, YI LUNG ,  馬林納 阿亞弟 ,  MRINAL, ARYADEEP ,  阿馬努拉 穆罕默德 ,  AMANULLAH, MOHAMMAD ,  楊博文 ,  YANG, PO WEN ,  梁書祥 ,  LIANG, SHU SIANG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4916