利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

9 条记录 (耗时 0.024 秒)

    低速開關應用的ＭＯＳＦＥＴ開關電路
    4.
    发明专利
    低速開關應用的ＭＯＳＦＥＴ開關電路 审中-公开
    低速开关应用的ＭＯＳＦＥＴ开关电路

    公开(公告)号：TW201539979A

    公开(公告)日：2015-10-16

    申请号：TW104110202

    申请日：2015-03-30

    申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

    发明人： 雷 燮光 ,  LUI, SIK K. ,  伍 時謙 ,  NG, DANIEL S. ,  王曉彬 ,  WANG, XIAOBIN

    IPC分类号： H03K17/687 ,  H03K17/284

    CPC分类号： H02M3/158 ,  H03K17/164

    摘要： 本發明涉及的一種開關電路包括導電類型相同的第一金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)和第二金屬氧化物半導體場效電晶體，並聯在第一端和第二端之間。第一和第二金屬氧化物半導體場效電晶體的閘極端分別耦接到控制端，接收控制信號，接通或斷開開關電路，其中控制信號以緩慢的切換速率，從第一電壓位準切換至第二電壓位準。第一金屬氧化物半導體場效電晶體具有第一臨界電壓，第二金屬氧化物半導體場效電晶體具有第二臨界電壓，第一臨界電壓小於第二臨界電壓。

    简体摘要： 本发明涉及的一种开关电路包括导电类型相同的第一金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)和第二金属氧化物半导体场效应管，并联在第一端和第二端之间。第一和第二金属氧化物半导体场效应管的闸极端分别耦接到控制端，接收控制信号，接通或断开开关电路，其中控制信号以缓慢的切换速率，从第一电压位准切换至第二电压位准。第一金属氧化物半导体场效应管具有第一临界电压，第二金属氧化物半导体场效应管具有第二临界电压，第一临界电压小于第二临界电压。

    二維遮罩柵電晶體裝置及其製備方法
    5.
    发明专利
    二維遮罩柵電晶體裝置及其製備方法 审中-公开
    二维遮罩栅晶体管设备及其制备方法

    公开(公告)号：TW201320348A

    公开(公告)日：2013-05-16

    申请号：TW101139753

    申请日：2012-10-26

    申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

    发明人： 雷 燮光 ,  LUI, SIK K. ,  叭剌 安荷 ,  BHALLA, ANUP ,  伍 時謙 ,  NG, DANIEL

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/4238 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

    摘要： 一種遮罩柵電晶體裝置包括形成在第一層次上的半導體襯底中的一個或多個遮罩電極，以及形成在第二層次上的半導體襯底中的一個或多個柵極電極，第二層次與第一層次不同。一個或多個柵極電極的一個或多個部分與一個或多個遮罩電極的一個或多個部分重疊。至少一部分柵極電極的方向不平行於一個或多個遮罩電極。遮罩電極與半導體襯底電絕緣，一個或多個柵極電極與襯底以及遮罩電極電絕緣。

    简体摘要： 一种遮罩栅晶体管设备包括形成在第一层次上的半导体衬底中的一个或多个遮罩电极，以及形成在第二层次上的半导体衬底中的一个或多个栅极电极，第二层次与第一层次不同。一个或多个栅极电极的一个或多个部分与一个或多个遮罩电极的一个或多个部分重叠。至少一部分栅极电极的方向不平行于一个或多个遮罩电极。遮罩电极与半导体衬底电绝缘，一个或多个栅极电极与衬底以及遮罩电极电绝缘。

    用於高頻切換的功率半導體器件之主動箝位保護電路
    8.
    发明专利
    用於高頻切換的功率半導體器件之主動箝位保護電路 审中-公开
    用于高频切换的功率半导体器件之主动箝位保护电路

    公开(公告)号：TW201414197A

    公开(公告)日：2014-04-01

    申请号：TW102134506

    申请日：2013-09-25

    申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

    发明人： 雷 燮光 ,  LUI, SIK K.

    IPC分类号： H03K17/08

    CPC分类号： H03K17/0822 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0266 ,  H03K17/08

    摘要： 本發明係揭露一種功率電晶體之保護電路，包括一個與功率電晶體並聯的第一電晶體，其中控制端藉由第一電阻元件連接到第一電壓源；並且，第一組二極體連接在第一電晶體的第一端和控制端之間。在實際運行中，第一電晶體的第一端的電壓，被箝位在箝位電壓，當功率電晶體的第一端發生過電壓情況時，接通第一電晶體，使電流正向傳導。

    简体摘要： 本发明系揭露一种功率晶体管之保护电路，包括一个与功率晶体管并联的第一晶体管，其中控制端借由第一电阻组件连接到第一电压源；并且，第一组二极管连接在第一晶体管的第一端和控制端之间。在实际运行中，第一晶体管的第一端的电压，被箝位在箝位电压，当功率晶体管的第一端发生过电压情况时，接通第一晶体管，使电流正向传导。