公开(公告)号：TWI614896B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW102133897

申请日：2013-09-18

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 戴威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  拉多沙弗傑維克 馬克 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  皮拉里塞堤 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  杵 空 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  穆客吉 尼洛 ,  MUKHERJEE, NILOY

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/511 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201804617A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW106120223

申请日：2014-09-19

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V.

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/155 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明說明了具有III-V族材料主動區及梯度閘極介電質之半導體裝置以及該裝置之製造方法。在一例子中，一半導體裝置包含被配置在一基材之上的一個III-V族材料通道區。一閘極堆疊被配置在該III-V族材料通道區上。該閘極堆疊包含被直接配置在該III-V族材料通道區與一閘極電極之間的一梯度高k值閘極介電層。該梯度高k值閘極介電層在接近該III-V族材料通道區之處具有較低的介電常數，且在接近該閘極電極之處具有較高的介電常數。源極/汲極區被配置在該閘極堆疊的兩側。

简体摘要： 本发明说明了具有III-V族材料主动区及梯度闸极介电质之半导体设备以及该设备之制造方法。在一例子中，一半导体设备包含被配置在一基材之上的一个III-V族材料信道区。一闸极堆栈被配置在该III-V族材料信道区上。该闸极堆栈包含被直接配置在该III-V族材料信道区与一闸极电极之间的一梯度高k值闸极介电层。该梯度高k值闸极介电层在接近该III-V族材料信道区之处具有较低的介电常数，且在接近该闸极电极之处具有较高的介电常数。源极/汲极区被配置在该闸极堆栈的两侧。

公开(公告)号：TW201739035A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW106124016

申请日：2012-12-22

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 蔡 庫提斯 ,  TSAI, CURTIS ,  簡嘉宏 ,  JAN, CHIA-HONG ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA DAVID ,  朴洙東 ,  PARK, JOODONG ,  哈弗茲 華利德M ,  HAFEZ, WALID MAC

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0922 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/401 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7855

摘要： 所描述的是具有不同閘極結構且形成於一單一積體電路上的兩種或兩種以上類型之鰭式電晶體。用於每一類型之電晶體的該等閘極結構係至少藉由閘極介電質層之厚度或組合物或藉由閘極電極中之功函數金屬層之組合物加以區別。亦提供的是用於製作具有至少兩種不同類型之鰭式電晶體之一積體電路的方法，其中該等電晶體類型係藉由閘極介電質層之厚度及組合物及/或藉由閘極電極中之功函數金屬之厚度及組合物加以區別。

简体摘要： 所描述的是具有不同闸极结构且形成于一单一集成电路上的两种或两种以上类型之鳍式晶体管。用于每一类型之晶体管的该等闸极结构系至少借由闸极介电质层之厚度或组合物或借由闸极电极中之功函数金属层之组合物加以区别。亦提供的是用于制作具有至少两种不同类型之鳍式晶体管之一集成电路的方法，其中该等晶体管类型系借由闸极介电质层之厚度及组合物及/或借由闸极电极中之功函数金属之厚度及组合物加以区别。

公开(公告)号：TW201735153A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105139539

申请日：2016-11-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 半導體裝置包括至少一半導體鰭、一閘極電極、至少一閘極間隔物，及一閘極介電質。半導體鰭包括至少一凹槽部分及至少一通道部分。閘極電極存在於半導體鰭之至少通道部分上。閘極間隔物存在於閘極電極之至少一側壁上。閘極介電質至少存在於半導體鰭之通道部分與閘極電極之間。閘極介電質至少延伸遠於半導體鰭之通道部分之至少一端部表面。

简体摘要： 半导体设备包括至少一半导体鳍、一闸极电极、至少一闸极间隔物，及一闸极介电质。半导体鳍包括至少一凹槽部分及至少一信道部分。闸极电极存在于半导体鳍之至少信道部分上。闸极间隔物存在于闸极电极之至少一侧壁上。闸极介电质至少存在于半导体鳍之信道部分与闸极电极之间。闸极介电质至少延伸远于半导体鳍之信道部分之至少一端部表面。

公开(公告)号：TW201727902A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW106109794

申请日：2014-11-25

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 艾利克索夫 艾列克珊德 ,  ALEKSOV, ALEKSANDAR

IPC分类号： H01L29/43 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66977 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0554 ,  H01L51/0562

摘要： 揭示使用氧化物及/或有機半導體材料之形成互補式穿隧場效電晶體(TFET)的設備。一種型式的TFET包括：基底；摻雜的第一區，形成在基底上方，具有選自週期表的III-V、IV-IV、及IV族組成的群組之p型材料；摻雜的第二區，形成在基底上方，具有透明氧化物n型半導體材料；及，閘極堆疊，耦合至摻雜的第一及第二區。另一型式的TFET包括：基底；摻雜的第一區，形成在基底上方，具有p型有機半導體材料；摻雜的第二區，形成在基底上方，具有n型氧化物半導體材料；及，閘極堆疊，耦合至摻雜的源極和汲極區。在另一實例中，以有機唯半導體材料用於主動區而製造TFET。

简体摘要： 揭示使用氧化物及/或有机半导体材料之形成互补式穿隧场效应管(TFET)的设备。一种型式的TFET包括：基底；掺杂的第一区，形成在基底上方，具有选自周期表的III-V、IV-IV、及IV族组成的群组之p型材料；掺杂的第二区，形成在基底上方，具有透明氧化物n型半导体材料；及，闸极堆栈，耦合至掺杂的第一及第二区。另一型式的TFET包括：基底；掺杂的第一区，形成在基底上方，具有p型有机半导体材料；掺杂的第二区，形成在基底上方，具有n型氧化物半导体材料；及，闸极堆栈，耦合至掺杂的源极和汲极区。在另一实例中，以有机唯半导体材料用于主动区而制造TFET。

公开(公告)号：TW201721837A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW106104796

申请日：2012-12-22

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 蔡 庫提斯 ,  TSAI, CURTIS ,  簡嘉宏 ,  JAN, CHIA-HONG ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA DAVID ,  朴洙東 ,  PARK, JOODONG ,  哈弗茲 華利德M ,  HAFEZ, WALID MAC

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0922 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/401 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7855

摘要： 所描述的是具有不同閘極結構且形成於一單一積體電路上的兩種或兩種以上類型之鰭式電晶體。用於每一類型之電晶體的該等閘極結構係至少藉由閘極介電質層之厚度或組合物或藉由閘極電極中之功函數金屬層之組合物加以區別。亦提供的是用於製作具有至少兩種不同類型之鰭式電晶體之一積體電路的方法，其中該等電晶體類型係藉由閘極介電質層之厚度及組合物及/或藉由閘極電極中之功函數金屬之厚度及組合物加以區別。

简体摘要： 所描述的是具有不同闸极结构且形成于一单一集成电路上的两种或两种以上类型之鳍式晶体管。用于每一类型之晶体管的该等闸极结构系至少借由闸极介电质层之厚度或组合物或借由闸极电极中之功函数金属层之组合物加以区别。亦提供的是用于制作具有至少两种不同类型之鳍式晶体管之一集成电路的方法，其中该等晶体管类型系借由闸极介电质层之厚度及组合物及/或借由闸极电极中之功函数金属之厚度及组合物加以区别。

公开(公告)号：TWI587394B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW098140841

申请日：2009-11-30

申请人： 辛納普蒂克斯日本合同公司 ,  SYNAPTICS JAPAN GK

发明人： 藤井康博 ,  FUJII, YASUHIRO ,  米倉和賢 ,  YONEKURA, KAZUMASA ,  金岡龍範 ,  KANEOKA, TATSUNORI

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42364

公开(公告)号：TWI570912B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW103142320

申请日：2014-12-05

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 沃爾 傑米 奧斯汀 ,  WAHL, JEREMY AUSTIN ,  里考西 尼古拉斯 文森特 ,  LICAUSI, NICHOLAS VINCENT

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823412 ,  H01L23/345 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201705361A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW104124822

申请日：2015-07-31

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 呂佳霖 ,  LU, CHIA-LIN ,  陳俊隆 ,  CHEN, CHUN-LUNG ,  劉恩銓 ,  LIOU, EN-CHIUAN ,  楊智偉 ,  YANG, CHIH-WEI ,  童宇誠 ,  TUNG, YU-CHENG ,  廖琨垣 ,  LIAO, KUN-YUAN ,  張峰溢 ,  CHANG, FENG-YI

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/535

CPC分类号： H01L29/42364 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/088 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843

摘要： 本發明提供一種半導體元件，其包含：至少兩閘極結構，該些閘極結構位在一基底上，其中各閘極結構包含：一閘極、一側壁子，以及一源極/汲極區，該源極/汲極區位在該閘極的兩側，一第一介電層，位在該基底上並且位於至少兩閘極之間，其中該第一介電層的表面為一凹面，此外該第一介電層直接接觸該側壁子，一浮設側壁子，該浮設側壁子位在該第一介電層以及閘極的一側壁之上；以及至少一接觸插塞，位於該源極/汲極區上，其中該接觸插塞直接接觸該浮設側壁子。

简体摘要： 本发明提供一种半导体组件，其包含：至少两闸极结构，该些闸极结构位在一基底上，其中各闸极结构包含：一闸极、一侧壁子，以及一源极/汲极区，该源极/汲极区位在该闸极的两侧，一第一介电层，位在该基底上并且位于至少两闸极之间，其中该第一介电层的表面为一凹面，此外该第一介电层直接接触该侧壁子，一浮设侧壁子，该浮设侧壁子位在该第一介电层以及闸极的一侧壁之上；以及至少一接触插塞，位于该源极/汲极区上，其中该接触插塞直接接触该浮设侧壁子。

公开(公告)号：TW201703145A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW105132412

申请日：2009-11-30

申请人： 辛納普蒂克斯日本合同公司 ,  SYNAPTICS JAPAN GK

发明人： 藤井康博 ,  FUJII, YASUHIRO ,  米倉和賢 ,  YONEKURA, KAZUMASA ,  金岡龍範 ,  KANEOKA, TATSUNORI

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42364

摘要： 本發明係使具有閘極絕緣膜之厚度不同之電晶體的半導體裝置之製造良率提高。 於矽基板1上形成高耐壓絕緣膜IH1之後，對高耐壓絕緣膜IH1之表面進行研磨，使膜厚變薄，並且以與高耐壓絕緣膜IH1鄰接之方式形成中耐壓絕緣膜IM1。高耐壓絕緣膜IH1係藉由熱氧化法而形成為自矽基板1之主面由內側到達外側，而中耐壓絕緣膜IM1係形成為薄於高耐壓絕緣膜IH1。高耐壓絕緣膜IH1係形成作為高耐壓MIS電晶體之閘極絕緣膜，中耐壓絕緣膜IM1係形成作為中耐壓MIS電晶體之閘極絕緣膜。

简体摘要： 本发明系使具有闸极绝缘膜之厚度不同之晶体管的半导体设备之制造良率提高。 于硅基板1上形成高耐压绝缘膜IH1之后，对高耐压绝缘膜IH1之表面进行研磨，使膜厚变薄，并且以与高耐压绝缘膜IH1邻接之方式形成中耐压绝缘膜IM1。高耐压绝缘膜IH1系借由热氧化法而形成为自硅基板1之主面由内侧到达外侧，而中耐压绝缘膜IM1系形成为薄于高耐压绝缘膜IH1。高耐压绝缘膜IH1系形成作为高耐压MIS晶体管之闸极绝缘膜，中耐压绝缘膜IM1系形成作为中耐压MIS晶体管之闸极绝缘膜。