公开(公告)号：TWI560773B

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW100149435

申请日：2011-12-28

申请人： 賽方塊股份有限公司 ,  ZYCUBE CO., LTD.

发明人： 盆子原學 ,  BONKOHARA, MANABU

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/762 ,  H01L23/34

CPC分类号： H05K1/0203 ,  H01L23/34 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H05K7/20218 ,  H05K7/2039 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TWI434384B

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：TW095128264

申请日：2006-08-02

申请人： 國立大學法人大阪大學 ,  OSAKA UNIVERSITY ,  賽方塊股份有限公司 ,  ZYCUBE CO., LTD.

发明人： 佐藤了平 ,  SATOH, RYOHEI ,  盆子原學 ,  BONKOHARA, MANABU ,  岩田剛治 ,  IWATA, YOSHIHARU ,  安田尚平 ,  YASUDA, SHOUHEI

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49833 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/66 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19033 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201308532A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101119685

申请日：2012-05-31

申请人： 賽方塊股份有限公司 ,  ZYCUBE CO., LTD.

发明人： 中村博文 ,  NAKAMURA, HIROFUMI ,  盆子原學 ,  BONKOHARA, MANABU

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 提供一種積層模組，其即使係具有積層有消耗電力大之半導體元件之構成之情形，亦能抑制伴隨該等半導體元件發熱導致之溫度上升而穩定地動作。積層模組40b，具備：中介層30a；配置於中介層30a單側之1個以上之第1半導體元件11b；以及配置於中介層30a之與第1半導體元件11b相反側之1個以上之第2半導體元件12b。中介層30a具有：具有流體流動之通道31之本體、以及配置於區劃該通道31之本體內壁之既定區域之熱放射層61b及熱反射層61a之至少一方。

简体摘要： 提供一种积层模块，其即使系具有积层有消耗电力大之半导体组件之构成之情形，亦能抑制伴随该等半导体组件发热导致之温度上升而稳定地动作。积层模块40b，具备：中介层30a；配置于中介层30a单侧之1个以上之第1半导体组件11b；以及配置于中介层30a之与第1半导体组件11b相反侧之1个以上之第2半导体组件12b。中介层30a具有：具有流体流动之信道31之本体、以及配置于区划该信道31之本体内壁之既定区域之热放射层61b及热反射层61a之至少一方。

公开(公告)号：TWI604578B

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW101119685

申请日：2012-05-31

申请人： 賽方塊股份有限公司 ,  ZYCUBE CO., LTD.

发明人： 中村博文 ,  NAKAMURA, HIROFUMI ,  盆子原學 ,  BONKOHARA, MANABU

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TWI590315B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW102126204

申请日：2013-07-22

申请人： 賽方塊股份有限公司 ,  ZYCUBE CO., LTD.

发明人： 盆子原學 ,  BONKOHARA, MANABU ,  中村博文 ,  NAKAMURA, HIROFUMI ,  何奇偉 ,  HE, QIWEI

IPC分类号： H01L21/288

公开(公告)号：TW201505083A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW102126204

申请日：2013-07-22

申请人： 賽方塊股份有限公司 ,  ZYCUBE CO., LTD.

发明人： 盆子原學 ,  BONKOHARA, MANABU ,  中村博文 ,  NAKAMURA, HIROFUMI ,  何奇偉 ,  HE, QIWEI

IPC分类号： H01L21/288

摘要： 本發明提供一種因應半導體製造技術之微細化，可更高密度地配置、低電阻且高可靠性之貫穿/內嵌電極的形成方法。 本發明具備如下步驟：於基板50之開孔51內填充第1導電材之膏56並使其乾燥之步驟；及將開孔51內填充之膏56固相燒結而生成多孔質之第1導電體57之步驟；及以覆蓋該第1導電體57之方式塗佈第2導電材的膏之步驟；及對上述第2導電材之膏進行熱處理而使其熔解並使其含浸於該第1導電體57之步驟。

简体摘要： 本发明提供一种因应半导体制造技术之微细化，可更高密度地配置、低电阻且高可靠性之贯穿/内嵌电极的形成方法。 本发明具备如下步骤：于基板50之开孔51内填充第1导电材之膏56并使其干燥之步骤；及将开孔51内填充之膏56固相烧结而生成多孔质之第1导电体57之步骤；及以覆盖该第1导电体57之方式涂布第2导电材的膏之步骤；及对上述第2导电材之膏进行热处理而使其熔解并使其含浸于该第1导电体57之步骤。

公开(公告)号：TW201308536A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101119684

申请日：2012-05-31

申请人： 賽方塊股份有限公司 ,  ZYCUBE CO., LTD.

发明人： 中村博文 ,  NAKAMURA, HIROFUMI ,  盆子原學 ,  BONKOHARA, MANABU

IPC分类号： H01L23/427

CPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 提供一種積層模組，其即使係具有積層有消耗電力大之半導體元件之構成之情形，亦能抑制伴隨該等半導體元件發熱導致之溫度上升而穩定地動作。積層模組具備：中介層70，具有流體流動之通道71；配置於中介層70單側之1個以上之第1半導體元件；以及配置於中介層70之與第1半導體元件相反側之1個以上之第2半導體元件。中介層70之通道71，具有剖面積相對小之第1區域與剖面積相對大之第2區域，且流體在從前述第1區域往前述第2區域移動之途中引起斷熱膨脹。

简体摘要： 提供一种积层模块，其即使系具有积层有消耗电力大之半导体组件之构成之情形，亦能抑制伴随该等半导体组件发热导致之温度上升而稳定地动作。积层模块具备：中介层70，具有流体流动之信道71；配置于中介层70单侧之1个以上之第1半导体组件；以及配置于中介层70之与第1半导体组件相反侧之1个以上之第2半导体组件。中介层70之信道71，具有剖面积相对小之第1区域与剖面积相对大之第2区域，且流体在从前述第1区域往前述第2区域移动之途中引起断热膨胀。

公开(公告)号：TW201304088A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：TW101119683

申请日：2012-05-31

申请人： 賽方塊股份有限公司 ,  ZYCUBE CO., LTD.

发明人： 中村博文 ,  NAKAMURA, HIROFUMI ,  盆子原學 ,  BONKOHARA, MANABU

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L25/04

CPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 提供一種積層模組之構裝構造，其即使係將消耗電力大之半導體元件積層而成之積層模組，亦能抑制伴隨該等半導體元件發熱導致之溫度上升而穩定地動作。於基板10上，搭載包含中介層30、第1半導體元件11b及第2半導體元件12b之積層模組40、以及覆蓋積層模組40整體之罩體42。將以罩體42與基板10形成之內部空間50，藉由配置於罩體42與基板10之間之堰部51區分為連通於入口43之上游側空間與連通於出口44之下游側空間。藉由中介層30之通道，使上游側空間與下游側空間相互連通。第1半導體元件11b及第2半導體元件12b藉由通過通道31之流體L而被冷卻。

简体摘要： 提供一种积层模块之构装构造，其即使系将消耗电力大之半导体组件积层而成之积层模块，亦能抑制伴随该等半导体组件发热导致之温度上升而稳定地动作。于基板10上，搭载包含中介层30、第1半导体组件11b及第2半导体组件12b之积层模块40、以及覆盖积层模块40整体之罩体42。将以罩体42与基板10形成之内部空间50，借由配置于罩体42与基板10之间之堰部51区分为连通于入口43之上游侧空间与连通于出口44之下游侧空间。借由中介层30之信道，使上游侧空间与下游侧空间相互连通。第1半导体组件11b及第2半导体组件12b借由通过信道31之流体L而被冷却。

公开(公告)号：TW201241919A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：TW100149435

申请日：2011-12-28

申请人： 賽方塊股份有限公司

发明人： 盆子原學

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H05K1/0203 ,  H01L23/34 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H05K7/20218 ,  H05K7/2039 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明提供在配置於2個熱源之間時能更有效地抑制在該等熱源間之熱傳導之中介層。中介層24,具備:具有維持於真空之腔室23之本體;分別形成於本體之上壁20a與下壁20b之絕緣層22a及22b;以及分別形成於絕緣層22a及22b上之熱反射層21a及21b。中介層24係將搭載於其上下之半導體元件11a與12a之間予以熱絕緣。

简体摘要： 本发明提供在配置于2个热源之间时能更有效地抑制在该等热源间之热传导之中介层。中介层24,具备:具有维持于真空之腔室23之本体;分别形成于本体之上壁20a与下壁20b之绝缘层22a及22b;以及分别形成于绝缘层22a及22b上之热反射层21a及21b。中介层24系将搭载于其上下之半导体组件11a与12a之间予以热绝缘。

公开(公告)号：TW201241892A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：TW100149088

申请日：2011-12-27

申请人： 賽方塊股份有限公司

发明人： 盆子原學

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/46 ,  H01L23/473 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供能抑制伴隨消耗電力大之半導體元件或電子零件之發熱導致之溫度上升,以使之穩定動作之半導體元件/電子零件之構裝構造。具備:中介層10;搭載於中介層10之表面10a之半導體元件11;以及罩體12,以包含半導體元件11之方式緊貼固定於中介層10之表面10a,與中介層10一起形成內部空間S。罩體12具有將吸收熱之流體L從外部導入內部空間S之入口13與將流體L從內部空間S排出至外部之出口14。內部空間S係除了入口13與出口14以外均密閉之空間。

简体摘要： 本发明提供能抑制伴随消耗电力大之半导体组件或电子零件之发热导致之温度上升,以使之稳定动作之半导体组件/电子零件之构装构造。具备:中介层10;搭载于中介层10之表面10a之半导体组件11;以及罩体12,以包含半导体组件11之方式紧贴固定于中介层10之表面10a,与中介层10一起形成内部空间S。罩体12具有将吸收热之流体L从外部导入内部空间S之入口13与将流体L从内部空间S排出至外部之出口14。内部空间S系除了入口13与出口14以外均密闭之空间。