公开(公告)号：TWI622153B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW105124596

申请日：2016-08-03

Applicant: 聯發科技股份有限公司 ,  MEDIATEK INC.

Inventor： 劉興治 ,  LIU, HSING-CHIH ,  周哲雅 ,  CHOU, CHE-YA

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247

公开(公告)号：TW201814871A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW106133475

申请日：2017-09-28

Applicant: 乾坤科技股份有限公司 ,  CYNTEC CO., LTD.

Inventor： 呂保儒 ,  LU, BAU-RU

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F17/0013 ,  H01F17/06 ,  H01F27/40 ,  H01F2017/008 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657

Abstract: 本發明提供了一種具有電感的組件和一種封裝結構，包含具有一上表面和一下表面的磁性本體，其中從所述磁性本體的上表面到下表面形成複數個導電通孔，且所述複數個導電通孔經由配置在所述磁性本體的上表面上的第一導電圖案和配置在所述磁性本體的下表層面上的第二導電圖案電性連接，以便形成至少一導電路徑，每個導電路徑通過相應的一組導電通孔，其中所述至少一導電路徑中的每一個具有兩個端子和一相應電感，一第一電子裝置的至少一部分配置在被至少一導電路徑至少部分包圍的一第一空間中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种具有电感的组件和一种封装结构，包含具有一上表面和一下表面的磁性本体，其中从所述磁性本体的上表面到下表面形成复数个导电通孔，且所述复数个导电通孔经由配置在所述磁性本体的上表面上的第一导电图案和配置在所述磁性本体的下表层面上的第二导电图案电性连接，以便形成至少一导电路径，每个导电路径通过相应的一组导电通孔，其中所述至少一导电路径中的每一个具有两个端子和一相应电感，一第一电子设备的至少一部分配置在被至少一导电路径至少部分包围的一第一空间中。

公开(公告)号：TW201814864A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW105133328

申请日：2016-10-14

Applicant: 恆勁科技股份有限公司 ,  PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.

Inventor： 許詩濱 ,  HSU, SHIH PING

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/16 ,  H01L24/18 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本發明揭示一種封裝結構及其製作方法。該封裝結構包括：一導電圖案層，包含一凸塊區及一線路區，其中該凸塊區包含複數個導電凸塊及一圍繞該等導電凸塊的第一介電材料，該線路區包含複數個第一導電線路及一圍繞並覆蓋該等第一導電線路的第二介電材料；一電路元件，具有複數個連接端並設置於該凸塊區上，其中該等連接端與該等導電凸塊彼此對應；一絕緣阻隔膠，其形成於該第二介電材料上並圍繞該電路元件的側邊下緣；以及一第三介電材料，包覆該電路元件及該線路區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种封装结构及其制作方法。该封装结构包括：一导电图案层，包含一凸块区及一线路区，其中该凸块区包含复数个导电凸块及一围绕该等导电凸块的第一介电材料，该线路区包含复数个第一导电线路及一围绕并覆盖该等第一导电线路的第二介电材料；一电路组件，具有复数个连接端并设置于该凸块区上，其中该等连接端与该等导电凸块彼此对应；一绝缘阻隔胶，其形成于该第二介电材料上并围绕该电路组件的侧边下缘；以及一第三介电材料，包覆该电路组件及该线路区。

公开(公告)号：TWI621241B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW103109664

申请日：2014-03-14

Applicant: 盧森堡商經度半導體責任有限公司 ,  LONGITUDE SEMICONDUCTOR S. A. R. L.

Inventor： 畑澤秋彥 ,  HATAZAWA, AKIHIKO

IPC: H01L25/04 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L24/97 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI620308B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105120728

申请日：2016-06-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡敏瑛 ,  TSAI, MIN YING ,  杜友倫 ,  TU, YEUR LUEN

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/80

公开(公告)号：TWI620292B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105101513

申请日：2016-01-19

Applicant: 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 坎嘉因 泰勒斯弗 ,  KAMGAING, TELESPHOR ,  梅耶爾 特羅斯登 ,  MEYER, THORSTEN

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/565 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24245 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/241 ,  H01Q1/38

公开(公告)号：TW201812932A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105128137

申请日：2016-08-31

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林長甫 ,  LIN, CHANG FU ,  姚進財 ,  YAO, CHIN TSAI ,  余國華 ,  YU, KUO HUA ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/09 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/13541 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17055 ,  H01L2224/17132 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一種電子封裝件，係包括：第一基板、設於該第一基板上之第一電子元件、藉由第一與第二導電元件堆疊於該第一基板上並藉由結合層結合至該第一電子元件上之第二基板、以及形成於該第一基板與第二基板之間的第一封裝層，藉由不同構造之第一導電元件與第二導電元件支撐該第二基板，以於模壓過程中，避免該第一封裝層之模流產生向上推擠力，而造成該第二基板發生破裂。本發明復提供該電子封裝件之製法。

Abstract in simplified Chinese: 一种电子封装件，系包括：第一基板、设于该第一基板上之第一电子组件、借由第一与第二导电组件堆栈于该第一基板上并借由结合层结合至该第一电子组件上之第二基板、以及形成于该第一基板与第二基板之间的第一封装层，借由不同构造之第一导电组件与第二导电组件支撑该第二基板，以于模压过程中，避免该第一封装层之模流产生向上推挤力，而造成该第二基板发生破裂。本发明复提供该电子封装件之制法。

公开(公告)号：TW201810602A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106114931

申请日：2017-05-05

Applicant: 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 傑雅拉曼 賽庫瑪 ,  JAYARAMAN, SAIKUMAR ,  古札克 約翰 S. ,  GUZEK, JOHN S. ,  梅康寧 衣德尼卡喬 S. ,  MEKONNEN, YIDNEKACHEW S.

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/85815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161

Abstract: 與積體電路 (IC)封裝體設計關聯的設備、方法與系統是被揭露於此中。一IC封裝堆疊可以包括一第一IC封裝體和一第二IC封裝體。該第一IC封裝體可以包括一第一晶粒和一使位於該第一IC封裝體之第一側之接點連通地耦合到該第一晶粒及到位於該第一IC封裝體之第二側之接點的第一重新分佈層，該第二側是與該第一側相對。該第二IC封裝體可以被安裝到該第一IC封裝體的第二側。該第二IC封裝體可以包括一第二晶粒和一使位於該第二IC封裝體之一側之接點連通地耦合到該第二晶粒，該第二IC封裝體的接點是被連通地耦合到位於該第一IC封裝體之第二側的接點。

Abstract in simplified Chinese: 与集成电路 (IC)封装体设计关联的设备、方法与系统是被揭露于此中。一IC封装堆栈可以包括一第一IC封装体和一第二IC封装体。该第一IC封装体可以包括一第一晶粒和一使位于该第一IC封装体之第一侧之接点连通地耦合到该第一晶粒及到位于该第一IC封装体之第二侧之接点的第一重新分布层，该第二侧是与该第一侧相对。该第二IC封装体可以被安装到该第一IC封装体的第二侧。该第二IC封装体可以包括一第二晶粒和一使位于该第二IC封装体之一侧之接点连通地耦合到该第二晶粒，该第二IC封装体的接点是被连通地耦合到位于该第一IC封装体之第二侧的接点。

公开(公告)号：TW201810552A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106103789

申请日：2017-02-06

Applicant: 東芝記憶體股份有限公司 ,  TOSHIBA MEMORY CORPORATION

Inventor： 岩本正次 ,  IWAMOTO, MASAJI

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/373 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06582

Abstract: 根據一項實施例，一種半導體裝置包含一基板、安裝於該基板上之半導體晶片、密封該等半導體晶片之一密封樹脂層及覆蓋該密封樹脂層之至少一上表面之一膜，該膜由選自由鋅、鋁、錳、其等之合金、金屬氧化物、金屬氮化物及金屬氮氧化物組成之群組之一材料製成。

Abstract in simplified Chinese: 根据一项实施例，一种半导体设备包含一基板、安装于该基板上之半导体芯片、密封该等半导体芯片之一密封树脂层及覆盖该密封树脂层之至少一上表面之一膜，该膜由选自由锌、铝、锰、其等之合金、金属氧化物、金属氮化物及金属氮氧化物组成之群组之一材料制成。

公开(公告)号：TWI618222B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW103122569

申请日：2014-06-30

Applicant: 高通公司 ,  QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： 杜 楊 ,  DU, YANG

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L21/77 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2225/06544 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00014