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1.

发明专利
半導體封裝組件及其製造方法有权
简体标题：半导体封装组件及其制造方法

公开(公告)号：TWI618159B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW105114087

申请日：2016-05-06

申请人： 聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.

发明人： 林子閎 , LIN, TZU HUNG , 蕭景文 , HSIAO, CHING WEN , 彭逸軒 , PENG, I HSUAN

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/538

CPC分类号： H01L25/0652 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/49811 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2221/68359 , H01L2224/0231 , H01L2224/02319 , H01L2224/02373 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/221 , H01L2224/32145 , H01L2224/73259 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/8385 , H01L2224/9202 , H01L2224/96 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/37001 , H01L2924/014 , H01L2224/19

2.

发明专利
製造無凸塊覆晶互連結構的半導體裝置及方法有权
简体标题：制造无凸块覆晶互链接构的半导体设备及方法

公开(公告)号：TWI602272B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW102141020

申请日：2013-11-12

申请人： 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 金敬文 , KIM, KYUNGMOON , 李求鴻 , LEE, KOOHONG , 李在學 , YEE, JAEHAK , 金永澈 , KIM, YOUNGCHUL , 洪蘭 , HOANG, LAN , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C. , 安德森史蒂夫 , ANDERSON, STEVE , 林詩軒 , LIM, SEE CHIAN , 池熺朝 , CHI, HEEJO

IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60

CPC分类号： H01L21/4867 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05684 , H01L2224/10165 , H01L2224/13076 , H01L2224/131 , H01L2224/13294 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13316 , H01L2224/13324 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13355 , H01L2224/13794 , H01L2224/138 , H01L2224/16112 , H01L2224/16113 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1701 , H01L2224/17517 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/81007 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81024 , H01L2224/8114 , H01L2224/81192 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81424 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/81805

3.

发明专利
半導體裝置結構及其形成方法有权
简体标题：半导体设备结构及其形成方法

公开(公告)号：TWI596701B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW104136967

申请日：2015-11-10

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 劉獻文 , LIU, HSIEN WEN

IPC分类号： H01L21/70 , H01L23/29

CPC分类号： H01L23/564 , H01L21/02118 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2224/024 , H01L2224/03332 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012

4.

发明专利
半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法

公开(公告)号：TW201725710A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105132147

申请日：2016-10-05

申请人： 索尼半導體解決方案公司 , SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION

发明人： 脇山悟 , WAKIYAMA, SATORU , 清水完 , SHIMIZU, KAN , 林利彦 , HAYASHI, TOSHIHIKO , 中村卓矢 , NAKAMURA, TAKUYA , 城直樹 , JYO, NAOKI

IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/03828 , H01L2224/039 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05082 , H01L2224/05157 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81065 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/8182 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099

摘要： 本發明揭示一種成像裝置，其包含一第一半導體元件，該第一半導體元件包含具有一凹形形狀之至少一凸塊墊。該至少一凸塊墊包含一第一金屬層及該第一金屬層上之一第二金屬層。該成像裝置包含一第二半導體元件，其包含至少一電極。該成像裝置包含將該至少一凸塊墊電連接至該至少一電極之一微凸塊。該微凸塊包含該第二金屬層之一擴散部分，且該第一半導體元件或該第二半導體元件包含一像素單元。

简体摘要： 本发明揭示一种成像设备，其包含一第一半导体组件，该第一半导体组件包含具有一凹形形状之至少一凸块垫。该至少一凸块垫包含一第一金属层及该第一金属层上之一第二金属层。该成像设备包含一第二半导体组件，其包含至少一电极。该成像设备包含将该至少一凸块垫电连接至该至少一电极之一微凸块。该微凸块包含该第二金属层之一扩散部分，且该第一半导体组件或该第二半导体组件包含一像素单元。

5.

发明专利
用於修復裝置翹曲的方法和結構审中-公开
简体标题：用于修复设备翘曲的方法和结构

公开(公告)号：TW201707178A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105123882

申请日：2016-07-28

申请人： 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION

发明人： 烏卓塞普里昂艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 高桂蓮 , GAO, GUILIAN , 李奉燮 , LEE, BONGSUB , 麥克葛拉斯史考特 , MCGRATH, SCOTT , 沈虹 , SHEN, HONG , 威奇克查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 西塔朗亞卡爾古德R , SITARAM, ARKALGUD R. , 阿拉瓦爾阿卡許 , AGRAWAL, AKASH

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L24/03 , H01L21/31144 , H01L21/486 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53257 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/03009 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/0558 , H01L2224/10126 , H01L2224/13016 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/014

摘要： 本發明提供一種處理互連元件的方法，其包含提供一基板元件，該基板元件具有反向的前表面與後表面以及導電結構；一疊置在該前表面上方的第一介電層並且在該第一介電層的一第一表面處有複數個導體接點；以及一疊置在該後表面上方的第二介電層並且在該第二介電層的一第二表面處有一導體元件。該方法還會包含移除該第二介電層的一部分，以便將該部分的厚度縮減至一第二厚度，並且用以提供該第二介電層的一具有第一厚度的隆起部分以及一具有第二厚度的下降部分。該第一厚度會大於該第二厚度。該導體元件的至少一部分會凹陷至該第二介電層的該第一厚度的高度之下。

简体摘要： 本发明提供一种处理互连组件的方法，其包含提供一基板组件，该基板组件具有反向的前表面与后表面以及导电结构；一叠置在该前表面上方的第一介电层并且在该第一介电层的一第一表面处有复数个导体接点；以及一叠置在该后表面上方的第二介电层并且在该第二介电层的一第二表面处有一导体组件。该方法还会包含移除该第二介电层的一部分，以便将该部分的厚度缩减至一第二厚度，并且用以提供该第二介电层的一具有第一厚度的隆起部分以及一具有第二厚度的下降部分。该第一厚度会大于该第二厚度。该导体组件的至少一部分会凹陷至该第二介电层的该第一厚度的高度之下。