公开(公告)号：TWI529950B

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：TW104112315

申请日：2010-11-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41733

公开(公告)号：TWI529933B

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：TW099137947

申请日：2010-11-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/45 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI528527B

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW099124555

申请日：2010-07-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  高橋辰也 ,  TAKAHASHI, TATSUYA

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/45

公开(公告)号：TW201611301A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104141712

申请日：2010-08-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本發明之目的在於使用具有有利電性特徵及高可靠度之薄膜電晶體做為開關元件，以製造出高度可靠的顯示裝置。在包含非晶氧化物半導體的底部閘極薄膜電晶體中，具有晶體區的氧化物導電層係形成於氧化物半導體層與各源極電極層和汲極電極層之間，該氧化物半導體層係已藉由熱處理而脫水或脫氫，且該源極電極層和汲極電極層係使用金屬材料而形成。從而，可使該氧化物半導體層與各該源極電極層和該汲極電極層之間的接觸電阻降低；因此，可提供具有有利電性特徵的薄膜電晶體和使用該薄膜電晶體之高度可靠的顯示裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于使用具有有利电性特征及高可靠度之薄膜晶体管做为开关组件，以制造出高度可靠的显示设备。在包含非晶氧化物半导体的底部闸极薄膜晶体管中，具有晶体区的氧化物导电层系形成于氧化物半导体层与各源极电极层和汲极电极层之间，该氧化物半导体层系已借由热处理而脱水或脱氢，且该源极电极层和汲极电极层系使用金属材料而形成。从而，可使该氧化物半导体层与各该源极电极层和该汲极电极层之间的接触电阻降低；因此，可提供具有有利电性特征的薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管之高度可靠的显示设备。

公开(公告)号：TW201611127A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104140305

申请日：2010-06-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/477 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/383 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本發明的目的在於製造包含具有穩定電性特徵之薄膜電晶體的高度可靠之半導體裝置。在包含其中使用氧化物半導體膜於包含通道形成區之半導體層的薄膜電晶體之半導體裝置的製造方法中，熱處理(用於脫水或脫氫)被執行以改善氧化物半導體膜的純度，及降低包含水分或其類似物之雜質。然後，在氧氛圍之下執行緩慢冷卻。除了包含存在於氧化物半導體膜中之水分或其類似物的雜質之外，熱處理致使包含存在於閘極絕緣層中之水分或其類似物的雜質，以及包含存在於氧化物半導體膜與設置在該氧化物半導體膜之上面及下面且與其接觸的膜之間的介面中之該等水分或其類似物的雜質降低。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的在于制造包含具有稳定电性特征之薄膜晶体管的高度可靠之半导体设备。在包含其中使用氧化物半导体膜于包含信道形成区之半导体层的薄膜晶体管之半导体设备的制造方法中，热处理(用于脱水或脱氢)被运行以改善氧化物半导体膜的纯度，及降低包含水分或其类似物之杂质。然后，在氧氛围之下运行缓慢冷却。除了包含存在于氧化物半导体膜中之水分或其类似物的杂质之外，热处理致使包含存在于闸极绝缘层中之水分或其类似物的杂质，以及包含存在于氧化物半导体膜与设置在该氧化物半导体膜之上面及下面且与其接触的膜之间的界面中之该等水分或其类似物的杂质降低。

公开(公告)号：TWI523105B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW099141025

申请日：2010-11-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/465 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201604969A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW104135834

申请日：2010-06-28

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明之目的在於提供包含具有穩定電特徵的薄膜電晶體之高度可靠的半導體裝置。在包含以氧化物半導體膜使用於包含通道形成區的半導體層之薄膜電晶體的半導體裝置之製造方法中，執行熱處理(用於脫水或脫氫)以便純化氧化物半導體膜及降低例如濕氣之雜質。除了存在於氧化物半導體膜中例如濕氣的雜質之外，熱處理還可以降低存在於閘極絕緣層中例如濕氣之雜質以及存在於氧化物半導體膜與設於氧化物半導體膜之上及之下且與氧化物半導體膜相接觸的膜之間的介面中例如濕氣的雜質。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供包含具有稳定电特征的薄膜晶体管之高度可靠的半导体设备。在包含以氧化物半导体膜使用于包含信道形成区的半导体层之薄膜晶体管的半导体设备之制造方法中，运行热处理(用于脱水或脱氢)以便纯化氧化物半导体膜及降低例如湿气之杂质。除了存在于氧化物半导体膜中例如湿气的杂质之外，热处理还可以降低存在于闸极绝缘层中例如湿气之杂质以及存在于氧化物半导体膜与设于氧化物半导体膜之上及之下且与氧化物半导体膜相接触的膜之间的界面中例如湿气的杂质。

公开(公告)号：TW201601324A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104131799

申请日：2010-10-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  渡邊了介 ,  WATANABE, RYOSUKE ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 在使用氧化物半導體而形成通道形成區之通道保護薄膜電晶體中，經由脫水或脫氫之熱處理的氧化物半導體層被用做作用層，包括奈米晶體之結晶區係包括於該通道形成區之表面部分中，而其餘部分為非結晶或由非結晶/非晶體及微晶之混合物形成，其中非結晶區滿佈微晶。經由使用具有這種結構之氧化物半導體層，可避免經由濕氣進入或至/自該表面部分之氧的排除所造成之改變為n型及寄生通道的產生，並可降低與源極及汲極電極之接觸電阻。

Abstract in simplified Chinese: 在使用氧化物半导体而形成信道形成区之信道保护薄膜晶体管中，经由脱水或脱氢之热处理的氧化物半导体层被用做作用层，包括奈米晶体之结晶区系包括于该信道形成区之表面部分中，而其余部分为非结晶或由非结晶/非晶体及微晶之混合物形成，其中非结晶区满布微晶。经由使用具有这种结构之氧化物半导体层，可避免经由湿气进入或至/自该表面部分之氧的排除所造成之改变为n型及寄生信道的产生，并可降低与源极及汲极电极之接触电阻。

公开(公告)号：TW201547027A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104127879

申请日：2010-10-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78618

Abstract: 本發明的目的係設置具有令人滿意的電特性之薄膜電晶體；以及包括該薄膜電晶體作為開關元件之半導體裝置。該薄膜電晶體包括閘極電極，其形成在絕緣表面上；閘極絕緣膜，其在該閘極電極上；與該閘極電極重疊之氧化物半導體膜，其在該閘極絕緣膜上，及包括該氧化物半導體所含有之一或複數個金屬的該濃度高於其他區域的濃度之層；一對金屬氧化物膜，其形成在該氧化物半導體膜上並且與該層接觸；以及源極電極和汲極電極，其與該等金屬氧化物膜接觸。該等金屬氧化物膜係藉由氧化該源極電極和該汲極電極所含有之金屬所形成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的系设置具有令人满意的电特性之薄膜晶体管；以及包括该薄膜晶体管作为开关组件之半导体设备。该薄膜晶体管包括闸极电极，其形成在绝缘表面上；闸极绝缘膜，其在该闸极电极上；与该闸极电极重叠之氧化物半导体膜，其在该闸极绝缘膜上，及包括该氧化物半导体所含有之一或复数个金属的该浓度高于其他区域的浓度之层；一对金属氧化物膜，其形成在该氧化物半导体膜上并且与该层接触；以及源极电极和汲极电极，其与该等金属氧化物膜接触。该等金属氧化物膜系借由氧化该源极电极和该汲极电极所含有之金属所形成。

公开(公告)号：TWI512978B

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：TW099135446

申请日：2010-10-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869