公开(公告)号：TWI351100B

公开(公告)日：2011-10-21

申请号：TW099112711

申请日：2010-04-22

申请人： 艾康半導體公司

发明人： 布拉凱爾 亞歷山卓 ,  馬司里亞 丹尼斯

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/0617 ,  H01L27/095 ,  H01L27/098 ,  H03F1/223 ,  H03F3/195 ,  H03F3/245

摘要： 本發明提供用於包含信號放大之多種應用的電子電路及方法。一種例示性電子電路包括呈一共射-共基組態的一MOSFET及一雙閘極JFET。該雙閘極JFET包含安置於通道之上方及下方的頂部閘極及底部閘極。該JFET之頂部閘極係受控於一信號，該信號係相依於控制該MOSFET之閘極的信號。對該JFET之該底部閘極的控制可相依於或獨立於對該頂部閘極的控制。該等MOSFET及JFET可以不同尺寸(諸如閘極寬度)作為分離組件實施於相同基板上。

简体摘要： 本发明提供用于包含信号放大之多种应用的电子电路及方法。一种例示性电子电路包括呈一共射-共基组态的一MOSFET及一双闸极JFET。该双闸极JFET包含安置于信道之上方及下方的顶部闸极及底部闸极。该JFET之顶部闸极系受控于一信号，该信号系相依于控制该MOSFET之闸极的信号。对该JFET之该底部闸极的控制可相依于或独立于对该顶部闸极的控制。该等MOSFET及JFET可以不同尺寸(诸如闸极宽度)作为分离组件实施于相同基板上。

公开(公告)号：TWI345872B

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：TW097108692

申请日：2008-03-12

申请人： 財團法人工業技術研究院

发明人： 郭明清 ,  蔡佩玲 ,  陳志宏

IPC分类号： H03D ,  H03F

CPC分类号： H03F3/45201 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D7/1491 ,  H03D2200/0043 ,  H03F1/3211 ,  H03F3/195 ,  H03F3/45179 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/45292 ,  H03F2203/45318 ,  H03F2203/45322 ,  H03F2203/45366 ,  H03F2203/45394 ,  H03F2203/45544 ,  H03F2203/45638

摘要： 一種將輸入電壓轉換為輸出電流的跨導器，包括：由輸入電壓和驅動電流提供輸出電流的初級跨導級；與該初級跨導級串聯耦接以便由輸入電壓產生驅動電流的自適應跨導級；以及耦接為向初級跨導級提供初級偏置電壓以及向自適應跨導級提供自適應偏置電壓的偏置電路。

简体摘要： 一种将输入电压转换为输出电流的跨导器，包括：由输入电压和驱动电流提供输出电流的初级跨导级；与该初级跨导级串联耦接以便由输入电压产生驱动电流的自适应跨导级；以及耦接为向初级跨导级提供初级偏置电压以及向自适应跨导级提供自适应偏置电压的偏置电路。

公开(公告)号：TW201033781A

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：TW098136198

申请日：2009-10-26

申请人： 微晶片科技公司

发明人： 諾蘭 詹姆士B ,  布萊克 庫曼

IPC分类号： G05F

CPC分类号： H03F3/195 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/45977 ,  H03F2200/261 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/45048 ,  H03F2203/45136 ,  H03M1/1009 ,  H03M1/12

摘要： 本發明係關於類比電路的自動校準。當一使用者請求及/或一事件或諸事件發生時，發生類比電路的自動校準。該使用者可透過至混合信號積體電路之一自動校準(ACAL)輸入而按需要調用一自動校準。一外部電壓校準(VCAL)輸入可用於將該混合信號積體電路自動校準至一使用者供應的共模電壓參考。亦可在下列事件之任一者或多者發生時初始化該混合信號積體電路之自動校準：1)對自動校準資料損壞之偵測，例如對數位地儲存於該混合信號積體電路內之自動校準資料值的同位檢查；2)在一可程式化超時週期後，一內部定時器引起一校準請求；3)由一溫度感測器判定之內部積體電路晶粒溫度的變化；及4)電源供應電壓及/或內部供應電壓之一變化。

简体摘要： 本发明系关于模拟电路的自动校准。当一用户请求及/或一事件或诸事件发生时，发生模拟电路的自动校准。该用户可透过至混合信号集成电路之一自动校准(ACAL)输入而按需要调用一自动校准。一外部电压校准(VCAL)输入可用于将该混合信号集成电路自动校准至一用户供应的共模电压参考。亦可在下列事件之任一者或多者发生时初始化该混合信号集成电路之自动校准：1)对自动校准数据损坏之侦测，例如对数码地存储于该混合信号集成电路内之自动校准数据值的同位检查；2)在一可进程化超时周期后，一内部定时器引起一校准请求；3)由一温度传感器判定之内部集成电路晶粒温度的变化；及4)电源供应电压及/或内部供应电压之一变化。

公开(公告)号：TW201019592A

公开(公告)日：2010-05-16

申请号：TW098125350

申请日：2009-07-28

申请人： 馬維爾世界貿易股份有限公司

发明人： 羅希 帕歐羅

IPC分类号： H03F

CPC分类号： H03F3/45071 ,  H03F1/223 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/45179 ,  H03F3/68 ,  H03F2200/243 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/492 ,  H03F2200/541 ,  H03F2203/45221 ,  H03F2203/45681

摘要： 本發明提供可將單端訊號轉換為差分訊號的系統及方法。從一低雜訊放大器的輸入端接收一單端電壓訊號。該單端電壓訊號可耦合至一第一輸入區間來將該單端電壓訊號的來源阻抗與一預定的輸出阻抗作匹配。具有預定輸出阻抗的該單端電壓訊號可作為一第一電壓訊號輸出至一第一轉換區間。提供一輸入偏壓至該第一轉換區間以偏壓該第一電壓訊號。已偏壓的該第一電壓訊號可作為一第一差分端電流訊號輸出至該低雜訊放大器的一輸出端。

简体摘要： 本发明提供可将单端信号转换为差分信号的系统及方法。从一低噪声放大器的输入端接收一单端电压信号。该单端电压信号可耦合至一第一输入区间来将该单端电压信号的来源阻抗与一预定的输出阻抗作匹配。具有预定输出阻抗的该单端电压信号可作为一第一电压信号输出至一第一转换区间。提供一输入偏压至该第一转换区间以偏压该第一电压信号。已偏压的该第一电压信号可作为一第一差分端电流信号输出至该低噪声放大器的一输出端。

公开(公告)号：TW201006167A

公开(公告)日：2010-02-01

申请号：TW098105626

申请日：2009-02-23

申请人： 日本電氣股份有限公司

发明人： 赤石誠

IPC分类号： H04L

CPC分类号： H03F3/24 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/3247 ,  H03F1/34 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/451 ,  H04B1/0475 ,  H04B2001/0433

摘要： 傳送電路將來自於信號處理部之傳送信號傳送至通信埠。接收電路將來自於通信埠之接收信號傳送至信號處理部。波形監控機構，藉由監控傳送電路傳送至通信埠之傳送信號之波形，產生回波信號。開關部，於傳送時序將來自於波形監控機構之回波信號連接到接收電路。信號處理部，將傳送信號與該傳送信號之回波信號進行比較。

简体摘要： 发送电路将来自于信号处理部之发送信号发送至端口。接收电路将来自于端口之接收信号发送至信号处理部。波形监控机构，借由监控发送电路发送至端口之发送信号之波形，产生回波信号。开关部，于发送时序将来自于波形监控机构之回波信号连接到接收电路。信号处理部，将发送信号与该发送信号之回波信号进行比较。

公开(公告)号：TW201004164A

公开(公告)日：2010-01-16

申请号：TW098118237

申请日：2009-06-02

申请人： 高通公司

发明人： 佐登 普雷薩S ,  西卡瑞立 史提芬C ,  莫 肯 茲 金 ,  高 塞C

IPC分类号： H04B

CPC分类号： H03F1/304 ,  H03F1/0244 ,  H03F1/32 ,  H03F3/195 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/468 ,  H03F2200/511

摘要： 本發明係關於一種用於在一收發機中達成電力減少之積體電路，其可包括：一干擾信號偵測器，其判定對應於一所接收信號之一干擾位準；及一傳輸電力偵測器，其判定一所傳輸信號之一所需傳輸電力位準。該積體電路亦可包括以下各者中之至少一者：一處理程序監測器，其判定該接收器及/或該傳輸器內之組件之處理程序變異；及一溫度監測器，其判定該接收器及/或該傳輸器之一溫度。該積體電路亦可包括一狀態機。若滿足一組操作條件，則該狀態機可將該接收器自一高線性模式轉變至一低線性模式。類似地，若滿足一組操作條件，則該狀態機可將該傳輸器自一高電力模式轉變至一低電力模式。

简体摘要： 本发明系关于一种用于在一收发机中达成电力减少之集成电路，其可包括：一干扰信号侦测器，其判定对应于一所接收信号之一干扰位准；及一传输电力侦测器，其判定一所传输信号之一所需传输电力位准。该集成电路亦可包括以下各者中之至少一者：一处理进程监测器，其判定该接收器及/或该传输器内之组件之处理进程变异；及一温度监测器，其判定该接收器及/或该传输器之一温度。该集成电路亦可包括一状态机。若满足一组操作条件，则该状态机可将该接收器自一高线性模式转变至一低线性模式。类似地，若满足一组操作条件，则该状态机可将该传输器自一高电力模式转变至一低电力模式。

公开(公告)号：TW201004137A

公开(公告)日：2010-01-16

申请号：TW098117208

申请日：2009-05-22

申请人： 高通公司

发明人： 桑古皮塔 蘇珊塔 ,  巴奈特 肯尼士 查爾斯

IPC分类号： H03F

CPC分类号： H03F1/3211 ,  H03F3/195 ,  H03F3/45179 ,  H03F2200/294 ,  H03F2203/45018 ,  H03F2203/45454 ,  H03F2203/45512 ,  H03F2203/45544

摘要： 根據一些實施例，一種放大器可包括一跨導級、一尾電流源級及一自適應式偏壓級。該跨導級可經組態以接收一輸入電壓。該尾電流源級可經組態以將電流提供至該跨導級。該自適應式偏壓級可將該跨導級電容性地耦合至該尾電流源級。

简体摘要： 根据一些实施例，一种放大器可包括一跨导级、一尾电流源级及一自适应式偏压级。该跨导级可经组态以接收一输入电压。该尾电流源级可经组态以将电流提供至该跨导级。该自适应式偏压级可将该跨导级电容性地耦合至该尾电流源级。

公开(公告)号：TW200947850A

公开(公告)日：2009-11-16

申请号：TW098102171

申请日：2009-01-20

申请人： MKS儀器公司

发明人： 那賈卡迪 賽迪亞P ,  巴斯奇 葉夫傑尼 ,  田豐 ,  巴斯崔克 伊莉亞

IPC分类号： H03F

CPC分类号： H03F3/20 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32183 ,  H03F1/565 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/321 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/391 ,  H03F2200/393 ,  H03F2200/451 ,  H03H7/40 ,  Y10T307/305

摘要： 本發明提供用於傳送功率至一動態負載之系統及方法。該系統包括一提供具有一大體上恆定功率開環回應之DC功率的電源、一用於將該DC功率轉換至RF功率之功率放大器、一用於量測與該RF功率相關聯之電壓、電流及電壓與電流向量之間的相位角之感測器、一用以修改該功率放大器之阻抗以至少大體上匹配一動態負載之阻抗的電可控制阻抗匹配系統，及一用於控制該電可控制阻抗匹配系統之控制器。該系統進一步包括一用於判定由該功率放大器所傳送之功率的感測器校準量測模組、一用於判定傳送至一動態負載之功率的電子匹配系統校準模組，及一用於計算該電可控制阻抗匹配系統中所消耗之功率的功率消耗模組。

简体摘要： 本发明提供用于发送功率至一动态负载之系统及方法。该系统包括一提供具有一大体上恒定功率开环回应之DC功率的电源、一用于将该DC功率转换至RF功率之功率放大器、一用于量测与该RF功率相关联之电压、电流及电压与电流矢量之间的相位角之传感器、一用以修改该功率放大器之阻抗以至少大体上匹配一动态负载之阻抗的电可控制阻抗匹配系统，及一用于控制该电可控制阻抗匹配系统之控制器。该系统进一步包括一用于判定由该功率放大器所发送之功率的传感器校准量测模块、一用于判定发送至一动态负载之功率的电子匹配系统校准模块，及一用于计算该电可控制阻抗匹配系统中所消耗之功率的功率消耗模块。

公开(公告)号：TW200924375A

公开(公告)日：2009-06-01

申请号：TW097137482

申请日：2008-09-30

申请人： 希里康儲存技術公司 SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.

发明人： 小林文 KOBAYASHI, BUN

IPC分类号： H03F

CPC分类号： H03F3/211 ,  H03F1/302 ,  H03F1/565 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21139 ,  H03F2203/21157 ,  H03F2203/21178 ,  H03H7/38

摘要： 一種射頻功率放大器包括多個放大器胞元。各個放大器胞元包括一雙極電晶體及一基本電路,其包含一射頻耦合電容器、一偏壓電阻器、一基本電容器、及一基本電阻器。該基本電路發送直流偏壓電流及一射頻信號至該雙極電晶體之基極來提供選擇性頻率響應。該基本電路可使用堆疊電容器之結構實施。

简体摘要： 一种射频功率放大器包括多个放大器胞元。各个放大器胞元包括一双极晶体管及一基本电路,其包含一射频耦合电容器、一偏压电阻器、一基本电容器、及一基本电阻器。该基本电路发送直流偏压电流及一射频信号至该双极晶体管之基极来提供选择性频率响应。该基本电路可使用堆栈电容器之结构实施。

公开(公告)号：TW200518345A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：TW093119724

申请日：2004-06-30

申请人： 瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP.

发明人： 清水敏彥 ,  松永良國 ,  草刈由利

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H03F3/195 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H03F3/68 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明係將包含不同系統之功率放大電路的半導體裝置小型化。將構成可操作兩個頻帶之高頻信號之雙頻式數位行動電話之RF功率模組之系統不同之功率放大電路2A、2B配置於同一個IC晶片1C內。該情形時，將功率放大電路2A、2B配置於IC晶片1C之周邊，將周邊電路3配置於功率放大電路2A、2B之間。藉此，將不同系統之功率放大電路2A、2B設於同一個IC晶片1C內而謀求小型化，並且即使將不同系統之功率放大電路2A、2B設於同一個IC晶片1C內，亦可確保功率放大電路2A、2B間之距離，故而可抑制功率放大電路2A、2B間之耦合，可抑制功率放大電路2A、2B間的串擾。

简体摘要： 本发明系将包含不同系统之功率放大电路的半导体设备小型化。将构成可操作两个频带之高频信号之双频式数码移动电话之RF功率模块之系统不同之功率放大电路2A、2B配置于同一个IC芯片1C内。该情形时，将功率放大电路2A、2B配置于IC芯片1C之周边，将周边电路3配置于功率放大电路2A、2B之间。借此，将不同系统之功率放大电路2A、2B设于同一个IC芯片1C内而谋求小型化，并且即使将不同系统之功率放大电路2A、2B设于同一个IC芯片1C内，亦可确保功率放大电路2A、2B间之距离，故而可抑制功率放大电路2A、2B间之耦合，可抑制功率放大电路2A、2B间的串扰。